中芯AI领域发力 工艺研发进度加快

中芯国际联席CEO梁孟松10日指出，中芯目前28纳米持续推进进度良好，继去年下半年HKC工艺制程进入量产，明年下半年HKC+也会进入量产，FinFET预计明年上半年风险试产。他强调，中芯国际也不会放过在AI领域发力，目前正准备相关领域ASIC IP，明年上半年跨入。

梁孟松在10日中芯法说会上作出上述表示；同时，联席CEO赵海军也在法说会中指出，尽管面对许多挑战，但中芯首季营运比预期要好，市场需求持续增长，产能利用率回升，公司对研发深具信心，处于转型过渡期的中芯国际，对今年持续保持谨慎乐观态度。

2018第一季财报表现优于预期

中芯国际第一季财报，销售额8.31亿美元，其中包含光罩制造、晶圆测试及其它技术授权收入为1.076亿美元，毛利2.202亿美元，毛利率达26.5%。

产能方面，由于今年第一季深圳8吋工厂产能的扩充，中芯从2017年第四季44.275万片8吋等值晶圆增至2018年第一季44.775万片8吋等值晶圆，产能利用率提升至88.3%。

研发方面，中芯第一季支出达1.23亿美元，环比增加了2170万美元。2018年第一季度的资本开支为 3.222亿美元，相比2017年第四季为 4.987亿美元。其中，2018年计划用于晶圆厂运作的资本支出由2017第四季19亿元增加至约 23亿元，增加4亿元主要用于研究发展设备及天津、深圳8吋晶圆厂产能扩充。

中芯预期第二季营收将增加7%至9%；毛利率介于23%至25%范围内；非控制权益将介于正1,700-1,900万美元之间。

中芯联席CEO赵海军表示，目前仍处于过渡时期，面对诸多挑战；但已看到中芯整体的运营状况优于预期：客户与产业需求回升，产能利用率持续改善，工艺研发及新业务平台的进展皆顺利。

第一季来自中国区收入环比上升28%，同比上升40%，赵海军也在法说会上称，中国市场巨大成长机遇，尤其消费电子与物联网普及应用，中芯占良好区位优势。赵更提到，中芯在电源管理IC与影像感测器件代工已引领业内，今年Nor/Nand Flash产品线更将跃增30%。

梁孟松透露多项研发推进成果

联席CEO梁孟松则针对外界关注的研发进度与28纳米进程给了更清晰的答案。他首先指出，先进工艺方面，继28纳米HKC去年下半年量产后，今年下半年HKC+工艺也将顺利迈入量产，28纳米是一重要节点，如何在28纳米节点上记取教训，顺利推进下一代工艺及时进入市场是关键的一课。

根据中芯最新透露，28纳米第二季应可呈现高个位数增长，到第三季，28纳米HKC量产则将接近28纳米Poly-SiON工艺，全年28纳米将达高个位数出货占比。

其次，在成熟工艺平台方面，梁孟松特别提到电源管理IC工艺平台提升效能与BCD高压工艺转向12吋晶圆厂。中芯国际透露，当前所有8吋厂都受到电源管理IC供不应求影响，产能吃紧，尤其IGBT元器件需求强，中芯也会在上海之外的JV基地建置好产能因应客户需求。

外界预料，除了深圳、天津8吋厂产能，中芯宁波新设厂也将担任起电源管理IC与高压模拟等代工产能要角。

梁孟松最后强调，中芯会致力于搭建业务平台，完整对接客户，把握机遇，加速技术开发，目标是建立起完整的工艺平台，整合技术、IP以及完备的设计服务，强化竞争力，以满足客户需求，包括跨入人工智能AI领域，中芯也都准备完整的ASIC IP建置，提供客户完整设计代工方案，预计明年上半年投入。