叉指背接触(IBC)晶体硅太阳能电池因其高短路电流(Jsc)和理论效率接近29.4%的潜力,成为光伏领域的研究热点。其结构通过将正负电极移至背面,避免了传统前接触电池的金属遮挡问题,同时提升了光捕获能力和载流子收集效率。然而,IBC电池的产业化应用受限于复杂制造工艺(如背接触对准精度)及背面复合损失等问题。现有研究多聚焦于发射极宽度或接触类型优化,但对硅片参数(如厚度、电阻率、体寿命)与几何设计(如面积占比)的系统性协同研究仍不足。本研究基于Quokka3模拟平台,结合美能QE量子效率测试仪对光谱响应的精准量化能力,深入分析关键参数对IBC电池性能的影响,提出优化方案以提升效率至26.64%,为实验制备提供理论指导。

IBC太阳能结构的模型示意图
硅片参数优化
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a) 硅片电阻率与厚度对效率的影响;b) 体寿命与厚度对效率的影响
硅片厚度、电阻率与体寿命是决定IBC电池性能的核心参数。通过三维模拟发现,当硅片厚度从80 μm增至200 μm时,效率提升显著。结合电阻率1 Ω·cm与体寿命≥10 ms的条件,效率可达24.85%。进一步优化表明,体寿命延长至10 ms以上可有效抑制基底复合,提升开路电压(Voc)与填充因子(FF)。此外,硅片电阻率过低(<1 Ω·cm)会导致串联电阻增加,而过高(>2 Ω·cm)则限制载流子浓度,因此1 Ω·cm为最优选择。
表面钝化技术影响
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前/后表面J0对a) Voc、b) Jsc、c) FF、d) η的影响
前/后表面钝化质量直接影响Voc与Jsc。模拟显示,当前后表面复合电流密度(J0)从50 fA·cm⁻²降至1 fA·cm⁻²时,Voc提升约25.4 mV,效率增加1.91%。此结果表明,采用高质量钝化层(如原子层沉积Al2O3)可显著降低表面复合损失。值得注意的是,后表面钝化需兼顾均匀性与厚度,过厚钝化层可能导致寄生吸收损失。
背面结构设计与电阻率优化
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硼发射极背面a) Voc、b) Jsc、c) FF、d) η随电阻率与J0的变化

磷扩散背面a) Voc、b) Jsc、c) FF、d) η随电阻率与J0的变化
背面硼发射极与磷扩散BSF的电阻率(Rsheet)和复合速率(J0)对性能至关重要。模拟表明,硼发射极Rsheet=100 Ω/□、J0=1 fA·cm⁻²时,效率达26.05%;而磷扩散BSF在Rsheet=50 Ω/□、J0=1 fA·cm⁻²时,效率进一步提升至26.25%。条状接触结构因横向导电性优于点状接触,可降低串联电阻并提升FF。此外,发射极与BSF间需保持适当间隙以避免隧道结效应导致的低偏压穿透风险。
面积占比与复合控制

硼发射极面积占比与J0对a) Voc、b) Jsc、c) FF、d) η的影响

磷扩散面积占比与J0对a) Voc、b) Jsc、c) FF、d) η的影响
硼发射极面积占比增加可提升Jsc,但需控制J0<10 fA·cm⁻²以抑制复合损失。模拟显示,发射极占比70%时效率最优。对于磷扩散BSF,面积占比超过10%会导致Voc下降,因此建议BSF面积≤30%并优化J0<1 fA·cm⁻²。此外,间隙区域需最小化以减少阴影损失,同时避免发射极与BSF直接接触引发隧道效应。本研究通过Quokka3模拟明确了IBC电池高效化的关键参数:硅片厚度200 μm、电阻率1 Ω·cm、体寿命≥10 ms、发射极占比70%、前后表面J0≤1 fA·cm⁻²。在此条件下,理论效率达26.64%(Voc=737.9 mV, Jsc=42.06 mA/cm², FF=85.85%)。研究为IBC电池设计提供了实验依据,未来可结合新型钝化材料(如超薄SiCx:H)与激光掺杂技术进一步降低复合损失,推动其产业化进程。
美能QE量子效率测试仪
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美能QE量子效率测试仪可以用来测量太阳能电池的光谱响应,并通过其量子效率来诊断太阳能电池存在的光谱响应偏低区域问题。它具有普遍的兼容性、广阔的光谱测量范围、测试的准确性和可追溯性等优势。
兼容所有太阳能电池类型,满足多种测试需求
光谱范围可达300-2500nm,并提供特殊化定制
氙灯+卤素灯双光源结构,保证光源稳定性
美能QE量子效率测试仪可精准验证优化后电池的Jsc提升与光谱响应特性,为实验参数校准提供关键支撑。也为IBC电池设计提供了实验依据,推动其产业化进程。
原文参考:Systematic Modeling and Optimization for High-Efficiency Interdigitated Back-Contact Crystalline Silicon Solar Cells
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