TPS53317A 0.9V-6V 输入、6A 输出、D-CAP+ 模式、用于 DDR VTT 的 SWIFT 同步降压转换器数据手册

该器件是集成 FET 的同步降压稳压器，主要设计 用于 DDR 终止。它可以提供 1/2 V 的稳压输出DDQ具有 Sink 和 Source 功能。该设备采用 D-CAP+ 模式作 提供易用性、低外部元件数量和快速瞬态 响应。该器件还可用于其他负载点 （POL） 调节 需要高达 6A 电流的应用。此外，该器件还支持全电流、6A 电流、 具有严格电压调节的输出灌电流能力。
*附件：tps53317a.pdf

该器件具有两种开关频率设置（600 kHz 和 1 MHz）， 集成 Droop 支持、外部跟踪功能、预偏置启动、 输出软放电、集成自举开关、电源良好功能、V5IN 引脚 UVLO 保护，并支持陶瓷和 SP/POSCAP 电容器。它 支持高达 6.0 V 的输入电压，输出电压可在 至 2.0 伏

该器件采用 3.5 mm × 4 mm、20 引脚 VQFN 封装（绿色 符合 RoHs 标准且无铅），采用 TI 专有的集成 MOSFET 和封装 技术，额定温度范围为 –40°C 至 85°C。

特性

• TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术
• 支持具有高达 6A 连续输出拉电流或灌电流的 DDR 存储器终端
• 外部跟踪
• 最少的外部元件数量
• 至 6V 转换电压
• D-CAP+ 模式架构
• 支持所有 MLCC 输出电容器和 SP/POSCAP
• 可选 SKIP 模式或强制 CCM
• 优化轻负载和重负载下的效率
• 可选 600kHz 或 1MHz 开关频率
• 可选过流限制 （OCL）
• 过压、过热和打嗝欠压保护
• 可调输出电压：低至 2 V
• 3.5 mm × 4 mm、20 引脚、VQFN 封装

参数

1. 产品概述

• ‌类型‌：6A输出，D-CAP+模式，同步降压转换器
• ‌特点‌：
  • 集成FET
  • 支持DDR内存终止
  • 可选600kHz或1MHz开关频率
  • 集成droop支持
  • 外部跟踪能力
  • 预偏置启动
  • 输出软放电
  • 集成bootstrap开关
  • 电源良好功能
  • V5IN引脚UVLO保护

2. 主要特性

• ‌输入电压范围‌：0.9V至6V
• ‌输出电压范围‌：0.45V至2V
• ‌最大输出电流‌：6A
• ‌开关频率‌：600kHz或1MHz
• ‌效率优化‌：轻载和重载时均优化效率
• ‌保护功能‌：过流限制、过压保护、欠压保护、过热保护
• ‌封装‌：3.5mm x 4mm，20引脚VQFN封装

3. 应用领域

• 主要用于DDR、DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4内存终止
• 低电压应用，输入电压范围0.9V至6V

4. 功能框图

• 包含PWM控制器、栅极驱动器、电流感测放大器、过流保护、软启动、电源良好信号等模块。

5. 电气特性

• ‌工作温度范围‌：-40°C至85°C
• ‌5V电源UVLO阈值‌：4.20V至4.50V
• ‌VREF电压‌：2.00V ±1%
• ‌输出电压精度‌：±1%
• ‌过流限制‌：正限流7.6A，负限流-9.3A
• ‌热关断阈值‌：约145°C

6. 保护功能

• ‌ 过压保护（OVP） ‌：输出电压超过120% VREF时触发
• ‌ 欠压保护（UVP） ‌：输出电压低于68% VREF时触发
• ‌过流保护‌：提供正限流和负限流保护
• ‌热保护‌：结温超过约145°C时关断

7. 通信接口与控制

• ‌ 使能引脚（EN） ‌：3.3V逻辑兼容
• ‌ 模式引脚（MODE） ‌：允许选择不同的操作模式（如PWM、SKIP等）
• ‌ 电源良好引脚（PGOOD） ‌：开漏输出，指示输出电压是否在目标范围内

8. 典型应用

• ‌DDR4 SDRAM应用‌：需要紧密的负载容差、快速瞬态响应和沉电流能力
• ‌DDR3 SDRAM应用‌：提供稳定的电压输出和高效的电源管理
• ‌非跟踪点负载（POL）应用‌：用于需要灵活输出电压设置的场景

9. 布局与热管理

• ‌布局指南‌：提供关于如何优化PCB布局的详细建议，以确保稳定的电源供应操作。
• ‌热管理‌：推荐的热回流焊接曲线，以确保设备在制造过程中的可靠性。

TPS53317A是一款高性能的同步降压转换器，专为DDR内存终止设计，具有高效率、紧凑的封装和丰富的保护功能。其灵活的开关频率选择和可编程的输出电压范围使其适用于多种应用场景。