HMC1065 GaAs MMIC I/Q下变频器技术手册
概述
HMC1065LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC镜像抑制低噪声变频器，采用符合RoHS标准的无铅SMT封装。 该器件提供13 dB的小信号转换增益，17 dBc的镜像抑制和-2 dBm输入IP3。 HMC1065LP4E利用RF LNA和由有源X2倍频器驱动的I/Q混频器工作。 它具有IF1和IF2混频器输出，所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。 I/Q混频器拓扑结构可以减少无用边带滤波。 HMC1065LP4E为混合型镜像抑制下变频器组件的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。
数据表：*附件：HMC1065 GaAs MMIC I Q下变频器技术手册.pdf
应用
特性
- 转换增益： 13 dB
- 镜像抑制： 17 dBc
- 输入IP3： -2 dBm
- 24引脚4x4 mm SMT封装16 mm²
框图
电气规格
典型应用
引脚描述
外形图
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