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TPS770系列 50mA、10V、低 IQ、低压差稳压器数据手册

科技绿洲 2025-03-14 16:14 次阅读
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TPS770 是一款低压差 (LDO线性稳压器。该器件支持 2.5V 至 16V (新芯片) 的输入电压范围和高达 100mA 的负载电流。对于新芯片,支持的输出范围为 1.2V 至 5.0V(固定版本)或 1.2V 至 5.5V(可调版本)。

宽输入电压范围使该器件成为采用稳压电源轨(如 10V 或 12V)工作的不错选择。新芯片的电压范围高达 16V。此范围允许 LDO 为各种应用产生偏置电压。这些应用包括功率微控制器MCU) 和处理器
*附件:TPS770 超低功耗、50mA、低压差线性稳压器 数据表.pdf

宽带宽 PSRR 性能在 1kHz 时大于 70dB,在 1MHz 时大于 46dB (新芯片)。这种性能有助于衰减上游 DC/DC 转换器的开关频率,并最大限度地减少后置稳压器滤波。新芯片支持内部软启动电路机制,可减少启动期间的浪涌电流,从而允许更小的输入电容

特性

  • 输入电压范围:
    • 传统芯片:2.7V 至 10V(绝对最大值 13.5V)
    • 新芯片:2.5V 至 16V(绝对最大值 18V)
  • 输出电压范围(可调):
    • 传统芯片:1.25V 至 5.5V
    • 新芯片:1.2V 至 5.5V
  • 输出电压范围(固定):
    • 传统芯片:1.5V 至 5V
    • 新芯片:1.2V 至 5V
  • 最大输出电流:高达 100mA
  • 高 PSRR (新芯片):46dB (在 1MHz)
  • 输出精度:
    • 传统芯片:3% 的过载和温度
    • 新芯片:1.2% 的过载和温度
  • 压差tage:
    • 传统芯片:100mA 时为 71mV (典型值) (TPS76950)
    • 新芯片:100mA 时为 215mV (典型值) (TPS76950)
  • 集成故障保护:
    • 热关断
    • 过流保护
  • 内部软启动时间 (新芯片):750μs (典型值)
  • 稳定运行的输出电容器
    • 传统芯片:≥ 4.7μF
    • 新芯片:≥ 2.2μF
  • 包:
    • 5 引脚 SOT-23,RθJA = 178.6°C/W (新芯片)

参数
image.png

方框图

image.png

一、产品概述

TPS770是一款超低功耗、低压差(LDO)线性稳压器,提供高达50mA的负载电流,适用于电池供电和汽车应用。该稳压器具有低静态电流、高电源抑制比(PSRR)和快速瞬态响应等特点。

二、主要特性

  • 输入电压范围‌:2.5V至16V(新芯片),2.7V至10V(旧芯片),绝对最大值为18V。
  • 输出电压范围‌:
    • 可调版本:1.2V至5.5V
    • 固定版本:1.2V至5V(新芯片),1.5V至5V(旧芯片)
  • 最大输出电流‌:50mA(旧芯片标注为可达100mA,但典型应用为50mA)
  • 静态电流‌:新芯片在0mA输出时典型值为50μA至80μA,在100mA输出时典型值为620μA;旧芯片在0mA至100mA输出范围内典型值为17μA。
  • 电源抑制比(PSRR) ‌:新芯片在1MHz下为46dB,旧芯片在1kHz下为60dB。
  • 压差电压‌:旧芯片在100mA输出时典型值为71mV(TPS76950),新芯片在100mA输出时典型值为215mV。
  • 保护功能‌:包括热关断、过流保护和欠压锁定(UVLO,新芯片特有)。
  • 软启动时间‌:新芯片具有内部软启动电路,典型启动时间为750μs。

三、电气特性

  • 输出电压精度‌:新芯片在负载和温度范围内的输出电压精度为±1.2%,旧芯片为±3%。
  • 负载调节‌:新芯片在0mA至100mA负载范围内的负载调节小于20mV,旧芯片小于12mV。
  • 线路调节‌:新芯片在-40°C至125°C温度范围内的线路调节为0.032%/V,旧芯片为0.04%/V至0.1%/V。
  • 输出噪声电压‌:新芯片在300Hz至50kHz带宽内的典型值为165μV RMS,旧芯片为190μV RMS。

四、引脚功能

  • IN‌:输入电压引脚。
  • OUT‌:输出电压引脚。
  • EN‌:使能引脚,用于控制稳压器的开启和关闭。
  • FB/NC‌:反馈引脚(可调版本),用于设置输出电压;固定版本不连接。
  • GND‌:接地引脚。

五、封装与热性能

  • 封装类型‌:5引脚SOT-23封装。
  • 热阻‌:新芯片的热阻为178.6°C/W(结到环境)。

六、应用指南

  • 电容选择‌:为确保稳定性,新芯片建议使用至少2.2μF的输出电容,旧芯片建议使用至少4.7μF的输出电容。
  • 布局建议‌:输入和输出电容应尽可能靠近稳压器引脚,以减少寄生电感和电阻。对于高电压和大电流应用,需要特别注意布局以优化热性能。
  • 热设计‌:在高功率应用中,应考虑散热设计以防止过热,如使用热垫和足够的热过孔。
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