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从eMMC到NAND,嵌入式系统存储的软件优化策略

来源:jf_58831126 作者:jf_58831126 2025-03-13 15:06 次阅读
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嵌入式系统开发领域,存储器作为信息交互的核心载体,其技术特性直接影响着系统性能与稳定性。然而,有些人在面对Linux、安卓等复杂操作系统环境时,理解其存储机制尚存局限,为突破这些技术瓶颈,飞凌嵌入式希望通过对存储相关知识的分享,助力大家构建完整的存储知识体系框架。

首先,嵌入式场景中常用来存储数据的介质分为两类:

Managed NAND,以eMMC(embedded Multi-Media Card)TF卡、SD卡为主内部带有存储管理控制器

Raw NAND,以NAND为主的未带有存储管理功能,只包含简单IO逻辑控制。

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上图描述了NAND存储和eMMC存储的关系,NAND Controller代指核心板的CPU,NAND指实际参与存储的区域,由此看出实际上eMMC和NAND的区别在于存储管理控制是在eMMC内部还是核心板的 CPU。存储管理主要包括功能:坏块管理、ECC校验、磨损均衡、数据保持和地址管理及映射等。

01

存储的相关概念

存储类型分为SLC、MLC、TLC、QLC。嵌入式常用类型低存储容量一般为SLC和MLC,高存储容量一般是TLC。

SLC(Single-Level Cell) 速度快,寿命长,价格贵,理论擦写次数在10万次左右。

MLC(Multi-Level Cell) 速度较快,寿命较长、价格较贵,理论擦写次数在3000-5000次。

TLC(Trinary-Level Cell) 速度较慢,寿命较短、价格最便宜,理论擦写次数在1000-3000次。

QLC(Quad-Level Cell) 容量可以做的更大,成本上更低,劣势就是P/E寿命更短。

pSLC(pseudo SLC) 以 MLC的FLASH为基础,但在每个Cell中只存1 bit而不是2 bit数据。由于在同一个Cell中跟SLC一样只存储一个bit,但又不是真的 SLC,所以称之pSLC。依上述原理,若将MLC用做pSLC,存储空间将减半,寿命通常可以提升到3万次左右。

P/E(Program/Erase Count) :擦写寿命。耐用性两个指标之一。

TBW(Total Bytes Written) :总写入量。是厂商用以界定质保期的数值,即超过了这个数值的写入量之后,厂商就不再给予质保服务。耐用性两个指标之一。

FW(Firmware) :由于eMMC内部控制器属于软件编程控制器,会需要固件,eMMC在存储厂家出厂前已经烧录对应固件。

WA(Write amplification) :写放大。表示实际写入的物理数据量是写入数据量的多少倍,即:闪存写入的数据量÷主控写入的数据量 = 写放大。

GC(Garbage Collection) :垃圾回收。NAND介质的存储写入是按照页(Page)写入,是按照块(Block)擦除。

02

eMMC和NAND的差异

(1)eMMC与NAND对比

wKgZO2fSg7eAaFqMAAXJ8Pk3iM4805.png

(2) eMMC的相关特点

eMMC使用单独的硬件控制器对存储进行管理,相比于Linux下NAND驱动管理可靠性更高。

内部固件集成多种功能:使用寿命等健康信息记录、根据不同的场景动态调整内部存储策略。

接口标准,各厂家各容量兼容性好。

eMMC的存储寿命普遍不如NAND寿命长。相比于NAND大部分使用SLC或者MLC,eMMC大部分是MLC或者TLC,eMMC相对于NAND单位寿命会低;但是由于eMMC的存储容量一般较大,一定程度上抵消单位寿命低的劣势。

(3)NAND的相关特点

系统的驱动主要是由SoC厂家及系统上游逻辑决定,针对不同的NAND存储介质无法发挥出最大优势,或者存在驱动逻辑兼容性问题。

NAND容易出现位翻转、坏块等情况,相比eMMC内部管理,CPU管理需要占用较大系统开销用来维护存储内容。

接口标准采用ONFI接口协议,但是不同厂家的NAND的页、OOB区及块大小等配置存在差异,如果物料停产需要换型会存在镜像不兼容风险。

NAND的布局控制是由CPU管理,对应的分区管理和逻辑定制会有很大的灵活性,根据实际应用场景制定不同的管理策略。

NAND单位存储寿命较长。

综上,产品存储选型建议使用带有管理功能的eMMC。

03

存储使用建议

eMMC:建议预留25%空间,避免频繁触发GC。

由于存储的最小写入单元是Page,最小的擦除单元是Block。以16K page举例,如果单次写入小于 一个Page的数据,会造成写放大。如果单次写入数据远远小于Page的大小,写放大会很严重。最终会导致寿命大大缩短。建议对小数据先通过DDR内存进行缓冲,缓冲一定数据再组合写入。

使用中如果出现异常断电,定期需要对文件系统使用工具扫描修复,避免由于异常断电数据未及时 保存导致文件系统异常。如果是频繁异常掉电场景,可以增加硬件加掉电保护措施,用来保证系统稳定性。

产品设计初期,需要结合实际应用场景存储数据的频率,为保证产品寿命要求,评估选择合适的存储类型和容量。

04

飞凌嵌入式赋能

(1)针对eMMC,根据对寿命及健康信息读取分析,让应用掌握更全面的存储信息,并作出合理的调整。

应用可以实时监控当前的存储寿命,用来在设备存储寿命降低到自定义阈值时发送报警信号做 特定处理。

应用可以实时查看系统的健康信息,评估存储的写放大系数,用来评估应用软件升级对存储带 来的影响,进而估算剩余寿命。

(2)针对NAND,根据增加手段统计实际NAND的擦写、搬移、标记等信息,给出应用IO操作改善建议。

(3)针对所有类型存储,根据对终端设备不同使用场景特点采集分析,评估出更适合场景的应用编写参考。

终端实际应用场景主要集中在:日志循环存储、应用关键数据参数存储及缓冲数据。

日志循环存储特点:循环擦写,写入频繁,读取不频繁。和文件系统同时存在,会出现写频繁 和只读混放数据,会影响整体的稳定性。举例:大部分eMMC的损耗平衡特性是全盘范围,软件上的文件系统分区未实现想要的数据隔离效果,这个其实可以在初期评估阶段解决。

关键数据特点:小数据量状态信息,比较重要,信息量不大。

缓冲数据特点:顺序写入,整体擦除。

实际软件开发过程中,根据如上数据特点,为保证产品稳定性在如下3个阶段给出优化方案:

产品开发前做对应存储方案选型,能够提前评估出风险。通过实际应用场景产品的目标寿命, 评估出存储类型、文件系统类型、应用数据读写建议及烧录方式等。

产品开发完成前做实际存储的优化。产品的样机测试阶段需要对系统实际读写频次、大小做接 口数据统计分析,对存储做数据稳定性分析(例:NAND存储变位及坏块分析)。通过分析给 出读写数据单元大小优化建议、连续/随机读写优化建议。

产品部署前做最终的预估寿命评估。结合最终优化效果给出实际应用中的一个寿命预估。

除上述优化策略外,不同eMMC、NAND厂家在满足接口协议标准前提下提供了不同的优化特性,部分优化特性需要结合操作系统修改才能发挥出更好的效果。

05

总 结

存储稳定性直接关乎到最终产品的稳定性,本文围绕eMMC和NAND的特性做了对比介绍,目的是帮助研发工程师在实际开发产品过程中更简单、更高效。

​审核编辑 黄宇

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