由于继电器的振动，MOSFET也可以在开关关闭时被破坏

请注意由于与继电器控制并联的机械开关而产生的瞬态电压。当驱动感性负载时，不要将机械开关与MOSFET并联。

当继电器关闭时，由于继电器的启动时间短，产生了高的瞬态电压(dv/dt)，这通常是由于产生了大量的dv/dt而累积起来的。

潜在问题:

当MOSFET处于关闭状态时，开关的开启会导致MOSFET的破坏:由于机械开关的短暂时间，高的dvdt会激活在MOSFET中包含的寄生晶体管。浪涌的能量将集中在这种寄生晶体管上;这可以破坏寄生双极晶体管，并破坏MOSFET本身。MOSFET在漏极源和源极之间的绝对短路损坏。

Note:由于继电器的振动，MOSFET也可以在开关关闭时被破坏。

预防措施:

1.使用一个双极晶体管，用一个稳压二极管保护来限制振荡电压，其值低于VCEmax。39vzener电压是接受抛负载的推荐值。

2.使用一个zener保护二极管，其电压低于MOSFET的第二次击穿电压(第二个击穿电压可以低到50%的VDSmax)选择MOSFET(第二次击穿电压为39V)。