德州仪器日本会津工厂投产GaN功率半导体

近日，德州仪器（TI）宣布了一个重要的里程碑事件：其基于氮化镓（GaN）的功率半导体已在日本会津工厂正式投产。这一举措标志着德州仪器在GaN功率半导体领域自有制造产能的大幅提升，产能增至原来的四倍。

会津工厂的加入，不仅增强了德州仪器在GaN技术方面的实力，还验证了公司8英寸GaN技术的可行性，并开启了大规模生产的序幕。这种制造方式不仅具有显著的可扩展性，还带来了成本优势，为德州仪器扩大GaN芯片自有制造奠定了坚实基础。

德州仪器表示，随着GaN技术的不断成熟和应用领域的拓展，公司将持续加大在GaN功率半导体方面的投入。预计到2030年，德州仪器自有制造产能将增至95%以上，这将为公司在全球市场上保持领先地位提供有力支持。

此次会津工厂的投产，是德州仪器在GaN功率半导体领域迈出的重要一步。未来，德州仪器将继续致力于技术创新和产能扩张，为全球客户提供更加优质、高效的GaN功率半导体解决方案。