0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

中低压MOS管在双向型逆变器上的应用

深圳市思开半导体有限公司 来源:深圳市思开半导体有限公 作者:深圳市思开半导体 2024-10-24 10:38 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

一、前言:

逆变器就是一种将低压(12或24伏或48伏)直流电(电池、蓄电瓶)转变为220伏交流电的电子设备。由于我们通常是将220伏交流电整流变成直流电来运用,而逆变器的作用与此相反,因此而得名。

电力电子领域,逆变器作为将直流电转换为交流电的关键设备,广泛应用于太阳能发电、电动汽车、不间断电源(UPS)、储能等多个领域。逆变器的前级推挽输出结构,因其结构简单、效率高而备受青睐。其中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为重要的功率开关元件。

二、中低压MOS管在逆变器上的工作原理

由于MOS管具有开关控制特性,在逆变器前级所使用的中低压MOS管是通过控制栅极电压来调节电流的通断,从而实现直流电到交流电的转换。

wKgZomcZsxSAdmVVAATzR2RdLV0855.png

中低压MOS管,作为一种场效应晶体管,其工作原理基于电场控制电流的概念。当栅极电压(VGS)为正时,会在栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中产生电场,吸引电子在漏极和源极之间形成导电沟道,从而允许电流通过。通过调整栅极电压的大小,可以控制导电沟道的宽度,进而控制流过的电流大小。这种控制方式使得MOS管非常适合用于需要精细电流控制的场合,如逆变器中。

wKgaomcZsxaAYnMgAAHQAoBodJY438.png

在双向型逆变器中,MOS管通过控制电路的控制,实现直流电到交流电的转换。

这一过程包括几个关键步骤:首先,通过全桥电路将低压直流电升压整流为高压直流电,接着,通过SPWM将高压直流电调制成正弦交流电。这个过程依赖于逆变电路、滤波电路以及控制电路的协同工作。

具体到中低压MOS管在双向型逆变器中的应用,它们主要位于逆变前级,通过控制MOS管的通断,实现从直流到交流的转换。这种转换对于家庭和工业用电设备来说至关重要,因为它允许使用直流电源来驱动需要交流电源的设备。

wKgZomcZsxaARvkDAAD5wQOm6Bo377.png

在储能逆变中,中低压MOS管用在逆变前级,MOS选型一般为电池电压的三倍以上,目前输出功率1-3KW的已普遍采用100V,TOLL封装的MOS。

wKgaomcZsxeAcGZoAAPfJWeE63o883.jpg

三、双向型逆变器上MOS管该如何选型?

在双向型逆变器上选择MOS管时,需要考虑多个关键因素,以确保逆变器的性能、效率和可靠性。以下是一些关键的选型步骤和考虑因素:

1‌、确定N沟道或P沟道‌:根据电路设计的需求,选择N沟道或P沟道MOS管。在双向型逆变器中,这取决于具体的电路设计的需求。

‌2、额定电压‌:确定MOS管的最大工作电压(VDS),这个值应大于电路中的实际最高电压,并留有足够的电压余量以确保安全。额定电压应当大于干线电压或总线电压,一般会留出1.2~1.5倍的电压余量,以提供足够的保护,防止MOS管失效。

3‌、电流能力‌:根据电路中的最大预期电流选择MOS管。额定电流应是负载在满载情况下都能承受的最大电流。同时,还需要考虑脉冲尖峰电流,确保MOS管能够承受这些条件下短时的尖峰电流。

wKgZomcZsxeAHcqUAAFvFnYdrn8303.jpg

4、导通电阻(RDS(on))‌:选择低RDS(on)的MOS管可以降低功率损耗并提高效率。

5. ‌开关性能‌:考虑MOS管的开关速度和相关的电容值,这对于高频应用尤为重要。需要选择具有快速开关特性的MOS管,以及考虑栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容,这些电容会影响MOS管的开关速度和效率。所以低Ciss参数的MOS更适合在逆变器上使用。

6. ‌封装与散热‌:根据电路板空间、散热需求和生产工艺选择合适的封装类型。封装尺寸和热性能会影响MOS管的安装和散热效果。同时,需要分析系统的散热需求,选择能够在这些条件下正常工作的MOS管。TOLL封装具有更好的散热性能、便利的贴装效果以及能适应更薄的结构性能要求而开始被各大厂家所使用。

wKgaomcZsxiAeNxkAAT6GqEupZE338.jpg

7、温度范围‌:确保所选MOS管的工作温度范围符合系统的工作环境要求。

8、‌特殊应用考虑‌:对于低压应用(如使用5V或3V电源的场合),需要特别注意MOS管的开启电压是否符合要求。宽电压应用可能需要内置稳压管的MOS管来限制gate电压的幅值。

9、‌可靠性与质量‌:考虑制造商的声誉、器件的质量保证和长期稳定性。对于高可靠性应用,可能需要选择车规级或其他特定标准的MOS管。

10、成本与供货‌:在满足性能要求的前提下,考虑MOS管的成本以及供应商的交货期和供应稳定性。

wKgZomcZsxqAAEdXAAHITx-70Io306.jpg

通过上述步骤的综合考虑,可以选择适合双向型逆变器应用的MOS管,确保逆变器的性能、效率和可靠性满足设计要求。

四‌、思开半导体MOS在双向型逆变器应用上的选型推荐:

思开半导体针对逆变器上的这些应用要求,开发出了具有低Rds-on且同时低Ciss参数的TOLL封装SGT MOS产品(SS019N10LS,100V,305A,1.4‌mΩ),已被多家客户采用。性能稳定,深受客户一致好评。

wKgaomcZsxqADaKUAAQp64bTdhY60.jpegwKgZomcZsx6AY630AAKZa4wLDxw47.jpeg

相信思开半导体在往后能开发出更多具有极低导通电阻,低损耗,高雪崩耐量,高效率的、稳定高、性能可靠的、能覆盖更多的应用场景的产品系列。

wKgaomcZsx-ALwBJAAOmFyhRuM8495.jpg 审核编辑 黄宇


声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOS管
    +关注

    关注

    110

    文章

    2754

    浏览量

    74955
  • 逆变器
    +关注

    关注

    300

    文章

    5090

    浏览量

    214694
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    HCC010P03L逆变器-30V-8A沟槽PMOS方案

    PMOS(P金属-氧化物-半导体场效应晶体)以P半导体为衬底,通过栅极施加负电压调控源漏极间空穴迁移,实现电路开关控制或信号放大,是逆变器
    发表于 12-03 15:13

    ZK40N100G:PDFN封装赋能的中低压大电流MOS管标杆

    中低压功率电子系统的设计中,MOS的电流承载能力、封装尺寸与能效表现,是决定产品竞争力的核心要素。ZK40N100G作为一款高性能N沟道MOS
    的头像 发表于 11-05 16:30 261次阅读
    ZK40N100G:PDFN封装赋能的<b class='flag-5'>中低压</b>大电流<b class='flag-5'>MOS</b>管标杆

    双向控制赋能低压场景:中科微电ZK4030DS MOS技术解析与应用探索

    一、参数解构:N+P双沟道的性能优势低压功率电子领域,对器件双向电流控制能力、电压适配性及能效的要求日益严苛,中科微电ZK4030DS作为一款N+P沟道互补
    的头像 发表于 10-28 15:34 276次阅读
    <b class='flag-5'>双向</b>控制赋能<b class='flag-5'>低压</b>场景:中科微电ZK4030DS <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>技术解析与应用探索

    中科微电ZK200G120B:源厂技术赋能的中低压MOS性能标杆

    工业自动化、新能源汽车、通信电源等中低压功率场景中,功率MOS的性能直接决定系统的能效、可靠性与成本控制。作为国产功率半导体源厂的代表性产品,中科微电ZK200G120BN沟道功率
    的头像 发表于 10-25 11:32 192次阅读
    中科微电ZK200G120B:源厂技术赋能的<b class='flag-5'>中低压</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>性能标杆

    ZK100G325P深度应用解析:SGT工艺赋能的中低压MOS大功率场景革新

    中科微电ZK100G325P作为N沟道功率MOS,以100V耐压、超300A持续电流的硬核参数,融合SGT(屏蔽栅晶体)工艺与高适配封装,不仅精准破解这一行业痛点,更在工业驱动、新能源储能、消费电子三大领域构建起“高效能-高
    的头像 发表于 10-24 17:53 796次阅读
    ZK100G325P深度应用解析:SGT工艺赋能的<b class='flag-5'>中低压</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>大功率场景革新

    中低压MOS:功率电子领域的“高效开关”核心

    电力电子系统中,从手机充电器到工业电机驱动,从智能家居设备到新能源汽车低压辅助系统,都离不开一款关键器件——中低压MOS。作为电压等级
    的头像 发表于 10-20 10:53 667次阅读
    <b class='flag-5'>中低压</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>:功率电子领域的“高效开关”核心

    合科泰高压与中低压MOSFET技术解析

    产品的生命周期。合科泰的高压和中低压 MOS 产品矩阵,能够精准覆盖不同的场景,本文可以为工程师提供器件的完整决策框架。
    的头像 发表于 09-15 16:02 903次阅读

    飞虹MOSFHP4310V工频逆变器的应用

    一款高性能的工频逆变器离不开优质功率器件的支持,尤其是作为核心开关元件的MOS工频逆变器设计中,选择一款能够高效替代IRFB4310P
    的头像 发表于 09-12 17:38 2967次阅读

    如何确定中低压专项电能质量在线监测装置的数据验证频率?

    确定中低压(通常指 中压 3~35kV、低压 0.4kV 及以下 )专项电能质量在线监测装置的数据验证频率,需结合中低压电网的特性(如负荷波动大、用户侧设备多、分布分散)、专项监测参
    的头像 发表于 09-04 17:11 631次阅读
    如何确定<b class='flag-5'>中低压</b>专项<b class='flag-5'>型</b>电能质量在线监测装置的数据验证频率?

    中低压MOSMDD2301数据手册

    沟槽场效应功率晶体低导通电阻性能表现
    发表于 07-09 18:12 0次下载

    飞虹半导体MOS低压工频逆变器中的应用

    低压工频逆变器设计中,MOS的选型直接影响系统效率与可靠性。面对IRFB7537PBF、HY3906P、CS160N06等进口型号的供应
    的头像 发表于 02-24 16:38 967次阅读
    飞虹半导体<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>低压</b>工频<b class='flag-5'>逆变器</b>中的应用

    飞虹半导体MOS高频逆变器中的应用

    特朗普上任后,全球局势将进一步不明朗。如何确保自身产品链的稳定性?今天针对高频逆变器选择国产MOS:FHP230N06V的实际应用场景与优势进行专业解析。
    的头像 发表于 02-24 16:36 774次阅读
    飞虹半导体<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>在</b>高频<b class='flag-5'>逆变器</b>中的应用

    MOS的正确选择指南

    MOS的正确选择涉及多个步骤和参数考量,以下是一个详细的指南: 一、确定沟道类型 N沟道MOS:适用于低压侧开关,当一个
    的头像 发表于 01-10 15:57 1584次阅读
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的正确选择指南

    飞虹MOSFHP230N06V高频逆变器中的应用

    MOS高频逆变器中作为核心的功率开关器件,尤其是在车载方面将车载蓄电池提供的直流电高效、稳定地转换为供车载设备使用的高频交流电。
    的头像 发表于 12-23 09:35 1197次阅读
    飞虹<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>FHP230N06V<b class='flag-5'>在</b>高频<b class='flag-5'>逆变器</b>中的应用

    MOSFHP230N06V型号参数

    一般来说,工频逆变器是选用IGBT单来应用的。但对于低压工频逆变器而言,选择MOS似乎是更具
    的头像 发表于 12-22 17:17 1470次阅读
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>FHP230N06V型号参数