三相全桥SiC MOSFET模块，为车载空调压缩机提供创新解决方案

1200V三相全桥碳化硅模块。这款模块采用紧凑型顶部散热塑封结构，以其高效能、高功率密度和优秀的散热性能，展现了碳化硅材料在高压、高频、低损耗方面的优势，为电动汽车空调压缩机、车载充电机及工业驱动系统等提供了创新解决方案，推动行业向更高效、更环保的方向迈进。

该模块内部搭载了6颗1200V/80mΩ爱仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有开关速度快、功耗低、抗干扰能力强和高可靠性等优点。

该模块内部搭载了6颗1200V/80mΩ爱仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有开关速度快、功耗低、抗干扰能力强和高可靠性等优点该模块内部搭载了6颗1200V/80mΩ爱仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有开关速度快、功耗低、抗干扰能力强和高可靠性等优点该模块内部搭载了6颗1200V/80mΩ爱仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有开关速度快、功耗低、抗干扰能力强和高可靠性等优点该模块内部搭载了6颗1200V/80mΩ爱仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有开关速度快、功耗低、抗干扰能力强和高可靠性等优点该模块内部搭载了6颗1200V/80mΩ爱仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有开关速度快、功耗低、抗干扰能力强和高可靠性等优点该模块内部搭载了6颗1200V/80mΩ爱仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有开关速度快、功耗低、抗干扰能力强和高可靠性等优点该模块内部搭载了6颗1200V/80mΩ爱仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有开关速度快、功耗低、抗干扰能力强和高可靠性等优点该模块内部搭载了6颗1200V/80mΩ爱仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有开关速度快、功耗低、抗干扰能力强和高可靠性等优点该模块内部搭载了6颗1200V/80mΩ爱仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有开关速度快、功耗低、抗干扰能力强和高可靠性等优点该模块内部搭载了6颗1200V/80mΩ爱仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有开关速度快、功耗低、抗干扰能力强和高可靠性等优点

产品性能及应用

该模块内部搭载了6颗1200V/80mΩ爱仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有开关速度快、功耗低、抗干扰能力强和高可靠性等优点。

模块参数

电路拓扑图

引脚定义图

SiC MOSFET模块与IGBT的比较优势

提升系统能效：在800V电压平台上，利用高频优势，D21系列模块的轻载损耗远低于传统IGBT，提升系统效率

拓宽运行边界：强化低转速控制能力，提升压缩机的运行稳定性

助力小型化：小尺寸的模块设计，助力空调压缩机系统实现紧凑化

适应极端工况：高温和超低温环境下的稳定工作能力，确保电动汽车在极端气候中的性能稳定

提高制冷效率：降低控制器和电机损耗，提升空调系统制冷效率