新品来袭 | 500V-800V 平面栅VDMOS，自有封装优势，雪崩耐量高， EMI兼容性好， 抗冲击能力强！

平面栅VDMOS 详细介绍

平面栅VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor）是一种特殊类型的MOSFET，主要用于功率电子应用。它结合了平面栅（Planar Gate）和垂直扩散技术，以提高功率处理能力和开关效率。

结构特点

Structural characteristics

垂直结构：

与传统平面MOSFET不同，VDMOS的主要特点是其垂直结构，即电流沿垂直方向流动。这种设计使得器件能处理更高的功率。

双重扩散（Double-Diffused）：

VDMOS的源极和漏极区域通过双重扩散工艺形成。这种工艺允许在较低的电压下获得较高的电流承载能力。

平面栅（Planar Gate）：

栅极结构与传统的平面MOSFET类似，使用一层氧化物隔离栅极与半导体之间的直接接触。平面栅设计有助于控制沟道的导电性。

沟道（Channel）：

栅极施加电压时，会在源极和漏极之间的半导体材料表面形成一个沟道，这个沟道是垂直于平面栅的。

工作原理

working principle

开关特性：

当栅极电压高于阈值电压时，VDMOS形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。垂直结构使其在高电压下仍能保持高开关效率。

功率处理：

由于其垂直结构，VDMOS能够承受较高的电压和电流，适用于高功率应用，如电源管理和电动汽车驱动系统。

萨瑞产品优势

产品概述及特点

Product Overview and Features

萨瑞微提供500V-800V 平面栅VDMOS 。产品采用业界优良的平面技术、独特的器件设计，并结合萨瑞自有封装优势，雪崩耐量高， EMI兼容性好， 抗冲击能力强。

产品应用领域

Product application areas

应用于开关电源、照明、充电器、适配器、 DC-DC、吹风机等。

产品选型

Product selection

应用拓扑图及应用案例

吹风机

充电器/适配器