森美推出增强型功率模块,赋能太阳能发电与储能领域新飞跃

安森美半导体公司最新推出了采用F5BP封装的硅与碳化硅混合功率集成模块（PIM），这一创新设计专为提升大型太阳能组串式逆变器及储能系统（ESS）的性能而打造。与前代产品相比，新款PIM在保持紧凑体积的同时，实现了功率密度与效率的显著提升，使得太阳能逆变器的系统总功率上限从300 kW跃升至350 kW。这一进步意味着，在千兆瓦级的大型太阳能发电站中，采用这些模块每小时可节省近2兆瓦的电能，年度发电量足以满足超过700户家庭的用电需求。

鉴于太阳能作为可再生能源中平准化能源成本（LCOE）最低的选项，其全球应用正迅速扩展。为应对太阳能发电的间歇性挑战，公用事业公司正加速部署大型电池储能系统（BESS），以确保电网的稳定供电。在此背景下，制造商与公用事业公司迫切需求高效且可靠的电力转换解决方案。安森美的新款PIM正是响应这一需求的产物，其每提升0.1%的效率，在千兆瓦级装机容量下，每年即可为运营商节省高达25万美元的运营成本。

Sravan Vanaparthy，安森美电源方案事业群工业电源部副总裁指出：“面对太阳能这一波动性能源，提升系统效率与可靠性，并融合先进储能方案，对于保障全球电网在电力需求波动时的稳定供应至关重要。高效的基础设施不仅能促进太阳能的广泛采用，还能在构建无化石燃料未来之路上，有效减少能源浪费。”

F5BP-PIM集成了1050V FS7 IGBT与1200V D3 EliteSiC二极管，这一组合在高效处理高电压与大电流转换的同时，显著降低了功耗并增强了系统可靠性。FS7 IGBT以其低关断损耗著称，可将开关损耗减少约8%；而EliteSiC二极管则展现了卓越的开关性能，与前代产品相比，其导通压降（VF）降低了15%，进一步提升了能效。

此外，该PIM采用了创新的I型中点箝位（INPC）拓扑结构逆变器模块与飞跨电容拓扑结构升压模块，结合优化的电气布局与先进的直接铜键合（DBC）基板技术，有效减少了杂散电感和热阻。特别值得一提的是，铜基板的应用将结到散热片的热阻降低了9.3%，确保了模块在重负载条件下的良好散热，这对于维持模块高效运行及延长使用寿命至关重要。因此，安森美的这款PIM在要求高度可靠与持续供电的严苛应用场景中展现出了非凡的竞争力。