安建半导体获超2亿元C1轮融资

安建半导体是一家专注于半导体功率器件的研发、设计和销售的公司，主要产品包括高性能沟槽栅场截止型绝缘栅双极性晶体管、屏蔽栅沟槽型场效应晶体管、高压场效应晶体管、快速恢复场效应晶体管等。近日，该公司完成了超过2亿元人民币的C1轮融资，本轮融资由北京国管顺禧基金及中航投资领投，龙鼎投资、一元航天及万创投资跟投。

这次融资所得资金将主要用于以下方面：

1.开发及量产汽车级IGBT与SiC MOS产品平台，这是安建半导体在功率半导体领域的重要布局，以满足新能源汽车等高端应用对高性能功率器件的需求。

2.扩建汽车级IGBT及SiC模块封装产线，以提升产能和效率，满足市场对高性能功率器件的快速增长需求。

3.扩充销售及其他人才团队，以加强公司的市场推广和技术服务能力，提升公司的市场竞争力。

4.增加营运现金流储备，以支持公司的日常运营和未来发展。

安建半导体的创始人单建安教授是香港科技大学电子与计算机工程学系教授，也是美国电子电气工程师学会院士。在他的带领下，安建半导体已经实现了IGBT、SGT-MOS、SJ-MOS三条产品线量产，公司产品得到了国内多家应用客户的认可，已在众多领域稳定运行。

这次融资的成功，不仅反映了资本市场对安建半导体科研技术实力的认可，以及对公司未来发展的信心，也为公司的持续发展提供了强大的资金支持。安建半导体将持续加大对新产品研发的投入，特别是面向新能源汽车及大功率光伏、储能等高端应用的新型IGBT与SiC产品，同时注重研发产品的落地，扩大公司在行业内的产品市场份额。