三星获美国64亿美元补贴 将在美生产2nm芯片

美国政府宣布将为三星电子提供高达64亿美元芯片补贴，以扩大得克萨斯州的芯片生产。这一举措是美国政府推动尖端半导体技术回流国内的一部分，旨在加强本土的半导体制造能力。

具体来说，三星计划在美国得克萨斯州建设4座芯片工厂，包括两座逻辑晶圆生产工厂、一座晶圆研发设施以及一个先进的封装工厂。这些工厂将专注于4纳米和2纳米制程芯片技术的大规模生产，以及开发和研究更先进的技术。其中，泰勒工厂将从2026年起生产4纳米和2纳米芯片，第二工厂将从2027年起量产尖端芯片，研发工厂也将于2027年投产。

此外，三星还计划扩大在得克萨斯州奥斯汀的现有设施，以支持美国航空航天、国防和汽车等关键行业的全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺技术的生产。这次投资不仅将增加就业机会，还有助于提高美国半导体供应链的安全性。

值得一提的是，三星在2nm制程工艺的研发上已取得了显著进展。该公司表示，将在未来开始生产2nm芯片，并计划投资建造一座大型半导体工厂用于2nm制造。这一工艺预计将采用MBCFET纳米片晶体管技术，以提高性能并降低功耗。

三星获得美国64亿美元补贴并在美生产2nm芯片是半导体产业发展的重要事件，将有助于推动全球半导体技术的进步和应用。