融资2亿！这家SiC企业加快IPO进程

前不久，SiC晶锭衬底企业博雅新材公布IPO进度，近日，该公司完成了2亿元融资，加快IPO进程。

据“行家说三代半”梳理，除了博雅外，芯长征等4家SiC相关企业也披露了IPO进度，迄今为止，国内冲刺IPO的SiC相关企业已有15家。

来源：行家说《季度内参--第三代半导体与新能源汽车24Q1》

博雅新材：

融资近2亿，冲刺IPO

3月8日，赣州中科创投宣布他们在年初完成了对博雅新材的Pre-IPO轮融资并顺利交割。本轮融资规模将近2亿，由中平资本领投，多家资本跟进。值得关注的是，博雅新材在2022年还完成了逾4亿元D轮融资。

根据“行家说三代半”此前报道，2023年8月，博雅新材在四川证监局进行上市辅导备案登记，拟首次公开发行股票并在A股上市，辅导券商为中信建投证券，目前正在进行上市辅导。

官网介绍，博雅新材成立于2016年12月，主营业务包括SiC晶体/衬底、激光晶体、闪烁晶体等产品的研发生产。目前，他们有2条SiC长晶技术路线：PVT法和液相法，前者已基本实现6英寸N型4H-SiC单晶小批量生产和衬底片加工，后者实现了2英寸无包裹物SiC晶体材料的合成，有望向6吋快速扩大。

芯长征：

计划年中进行辅导考试

2月5日，中金公司发布了《关于江苏芯长征微电子集团股份有限公司首次公开发行股票并上市辅导备案报告》，向江苏证监局提出辅导备案申请。

据悉，1月22日，芯长征与中金公司签署了辅导协议，计划辅导工作分两期进行，其中1-3月进行股份有限公司法人治理结构的完善与运行， 4-5月学习上市公司信息披露管理制度，准备辅导考试。

据“行家说三代半”此前报道，芯长征成立于2017年，是一家集新型功率半导体器件设计研发与封装制造为一体的企业，各类MOS、IGBT和SiC系列产品均已获得客户认可，实现批量出货，并于2023年1月完成数亿元D轮融资。

邑文科技：

已完成辅导备案

1日29日，据中国证监会信息，邑文科技已在江苏证监局完成辅导备案登记，辅导机构为海通证券。

据“行家说三代半”此前报道，2024年1月，邑文科技宣布完成超5亿元D轮融资，由中金资本旗下中金佳泰基金、海通新能源领投，扬州正为、洪泰基金、西安常青、千曦资本等联合投资。

官网资料透露，邑文科技主要生产刻蚀工艺设备和薄膜沉积工艺设备，应用于半导体（IC及OSD）前道工艺阶段，特别是SiC、GaN、GaAs等化合物半导体和MEMS等特色工艺领域，得到了比亚迪半导体、士兰微、三安光电、中电科等多家下游龙头企业及科研院所的认可。

晶亦晶微：

IPO顺利过会，拟募资13亿

2月5日，上海证监会披露，晶亦精微的IPO申请已顺利过会，拟在科创板注册上市。

“行家说三代半”注意到，2023年2月，晶亦精微就与中信证券签署上市辅导协议，并在3月发布首次公开发行股票并上市辅导备案报告，从备案登记到顺利过会，晶亦精微用时仅仅一年。

据招股说明书（上会稿）等文件透露，目前晶亦精微主要从事SiC、GaN、硅等半导体设备的研发生产，主要产品为化学机械抛光（CMP）设备及其配件，已广泛应用于中芯国际、境内客户 A、世界先进、联华电子等境内外先进集成电路制造商的规模化产线中。

此外，晶亦精微近期还推出了国产 6/8 英寸兼容 CMP设备，可用于包含SiC、氮化镓等材料在内的特殊需求表面抛光处理工艺，截至 2023 年底，已向境内客户 A 销售 1 台用于第三代半导体材料的 6/8 英寸兼容 CMP 设备。

本次发行募集资金扣除发行费用后，将投资于“高端半导体装备研发项目”、“高端半导体装备工艺提升及产业化项目”和“高端半导体装备研发与制造中心建设项目”，拟使用募资资金合计12.9亿，项目投资总额预计为13亿。

其中，“高端半导体装备研发与制造中心建设项目”重点布局第三代半导体材料 CMP成套工艺及设备的开发，重点攻克SiC高效全局平坦化，实现研磨液循环利用系统、研磨液均匀分布系统等在研技术的产品化及产业化落地。

值得关注的是，2023年上半年，晶亦精微主营业务收入为3.09亿元，其中8 英寸 CMP 设备销量为25台，6/8 英寸兼容 CMP 设备销量为3台，前五大客户分别为：中芯国际、境外客户 B、新为光微电子、中国电科集团、深星旭科技。

莱普科技：

今年6月完成上市辅导

3月4日，据中国证监会信息，成都莱普科技股份有限公司已经在四川证监局完成辅导备案登记，辅导机构为中信建投证券。

文件透露，莱普科技计划在今年6月完成辅导计划，进行考核评估，做好首次公开发行股票申请文件的准备工作。

官网资料显示，莱普科技成立于2003年，主营业务为半导体激光装备研发制造，覆盖晶圆制造、先进封装及封装测试和精密电子制造三大领域，旗下产品有SiC晶圆激光退火设备、IGBT晶圆激光退火设备等。

此外，2023年10月，莱普科技全国总部暨集成电路装备研发制造基地项目在成都高新区举行奠基仪式，该项目总投资16.6亿元，占地面积39亩，建筑面积6.5万平米，主要建设内容包括企业全国总部、技术中心、制造中心、服务中心以及核心零部件研发及产业化基地，计划于2026年5月全面达产。

审核编辑：刘清