肖特基二极管工作原理介绍

肖特基二极管（Schottky BarrierDiode SBD），也称肖特基势垒二极管，与PN结二极管相比具有更低的正向压降和更快的开关速度。

肖特基二极管的基本原理是：在金属（如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，利用形成的肖特基结构来阻挡反向电压。

肖特基结构与PN结的整流原理存在根本性差异。

肖特基二极管的耐压能力较低，通常在40-150V左右，但其主要优点是开关速度非常快，反向恢复时间极短。因此，它可以用于制作开关二极管和低压大电流整流二极管。

肖特基二极管的金属层除了钨材料外，还可以使用金、钼、镍、钛等材料。半导体材料包括硅或砷化镓。这种器件主要依靠多数载流子导电，所以其反向饱和电流比依靠少数载流子导电的PN结要大得多。

肖特基二极管的优点主要有以下几个方面：

低功耗：肖特基二极管的正向压降较小，导通电阻也较小，因此能够实现低功耗的整流和开关操作。

高温稳定性：肖特基二极管具有较高的热稳定性。

然而，肖特基二极管也存在一些缺点：

反向漏电流大：肖特基二极管的反向漏电流较大，需要采取相应的措施进行抑制。

存储效应：肖特基二极管存在存储效应，即在关断状态下，反向电流会逐渐增加。这会影响电路的稳定性和可靠性。