2025年12月2日,三星电子正式发布Galaxy Z TriFold,进一步巩固了三星在移动AI时代中针对形态创新的行业优势。
发表于 12-03 17:46
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深圳帝欧电子回收三星S21指纹排线,收购适用于三星S21指纹模组。回收三星指纹排线,收购三星指纹排线,全国高价回收
发表于 05-19 10:05
三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折,将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士,更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HB
发表于 04-18 10:52
近日,2025三星家电新品发布会成功举行,焕新推出2025 Neo QLED 8K/4K、OLED与新款The Frame画壁艺术电视,以及AI神系列生活家电、显示器旗舰新品等全系生态产品。三星以
发表于 03-25 14:42
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Express Link®)AIC内存扩充卡成功通过了CXL联盟的严格认证测试,并正式被列入CXL联盟整合商名单。 此次认证标志着SMART Modular在
发表于 02-14 10:15
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SMART Modular世迈科技近日宣布其4-DIMM和8-DIMM CXL®(Compute Express Link®)内存扩充卡已成功通过CXL 2.0认证测试,并正式被列入
发表于 02-05 15:59
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近日,三星电子在美国加州圣何塞成功举办了年度“Galaxy Unpacked”发布会,会上不仅推出了备受瞩目的新旗舰“Galaxy S25”系列手机,还展示了与谷歌联合开发的Project Moohan头显设备。
发表于 01-24 14:23
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近日,三星电子在美国加州圣何塞成功举办了其一年一度的“Galaxy Unpacked”发布会。会上,三星电子不仅推出了备受期待的新旗舰“Ga
发表于 01-24 10:22
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据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新
发表于 01-23 15:05
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据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM
发表于 01-23 10:04
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据韩媒报道,三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间推迟了半年。原本,三星计划在2024年底将1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以达到结束开发工作、顺利进入量
发表于 01-22 15:54
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据韩媒MoneyToday报道,三星电子已将其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM内存开发的良率里程碑时间从原定的2024年底推迟至2025年6月。这一变动可能对三星
发表于 01-22 14:27
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公布的首批CXL 2.0合规供应商清单。 此次通过CXL 2.0合规性测试,标志着澜起科技的CXL®内存扩展控制器芯片在技术规格、互操作性和
发表于 01-21 14:44
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近日,三星电子已做出决定,将减少其位于中国西安工厂的NAND闪存产量。这一举措被视为三星电子为保护自身盈利能力而采取的重要措施。 当前,全球NAND闪存市场面临供过于求的局面,预计今年
发表于 01-14 14:21
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在现代电子制造中,原装物料的质量直接影响着产品的性能和可靠性。因此,辨别三星原装物料成为了许多电子产品制造商和采购人员的重要任务。容乐电子作为专业的元器件供应商,且是
发表于 12-13 15:29
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