国产碳化硅MOS推荐-主驱逆变器

主驱逆变器是电动汽车动力执行单元的关键部件，它从VCU获取扭矩指令，从高压电池包获取电能，经过逆变后控制电机工作，为整车提供驱动和制动力矩，从而保证车辆正常的行驶功能。

主驱逆变器产品图

传统主驱逆变器中的功率器件主要是硅基IGBT，受限于Si材料特性极限以及近年来800V高压平台的加速布局，SiC功率器件被越来越广泛应用在主驱逆变器中。‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍

根据相关报告分析，采用SiC器件的逆变器组件与传统Si基器件相比，控制器体积可以减少1/5，重量减轻35%，电力损耗从20%降低到5%，效率达到99%以上，整车续航里程提升5%以上。

我司推荐一款1200V 40mΩ高压低导通电阻的国产SiC MOSFET，最大漏源电流56A(Tc= 25°C)，工作结温范围-55°C～175°C，最大耗散功率不高于300W，反向电容13pF，已在多家头部客户批产，性能反馈优异。

除了SiCMOS，我司在逆变器中还可提供变压器、电感定制，隔离驱动、半桥驱动、电流传感器、通用运放、TVS、热敏电阻等国产器件的选型匹配。

审核编辑：刘清