POL电源研究开发时进行的瞬态响应试验

瞬态响应试验

瞬态响应试验不仅是对POL电源来说是个重要特性，对于电源来说也是十分重要的一个特性。特别是对于连接到低压CPU与FPGA等的POL电源尤其重要。

POL电源的瞬态响应试验一般是确认当脉冲状的电流产生时所发生的电压变化，可以参考下图。

通过瞬态响应试验，可以确认CPU与PFGA在快速输入电流变动时，POL电源的恒压能力。

菊水产品应用

在瞬态响应试验中，要求对POL电源进行各种试验要求。在进行各类试验时，虽然可以通过测试多个CPU与FPGA来验证，但是由于需要根据每个试验条件去改变这些设备的连接，或者是为改变处理的设定而每次进行调整等，所以并不是十分现实。

在此类情况下，电子负载装置可以通过在任意时间间隔内改变输入电流来进行模拟。其操作不仅可以直接在前面板进行，还可在PC上进行远程操作。所以十分适合瞬态响应试验。

而作为菊水的电子负载装置产品，PLZ-5W系列的开关功能正是可以对应瞬态响应试验的功能。

PLZ-5W单机的低电压运作

一般的电子负载在低压部分有衰减流动电流的区域，在POL电源这类的低电压电源的试验中使用时会产生问题。下图为一般电子负载的简易输入电路。

通过功率器件、运算放大器与电流检测电阻实现恒流电路，并通过控制该恒流电路实现恒流模式、恒压模式、恒阻模式等。

MOS-FET通常是电子负载的首选功率器件。拥有一个ON电阻，ON电阻是可实现MOS-FET的Min电阻值。也就是电子负载的输入电路的Min电阻值是MOS-FET的ON电阻与电流感应电阻的和。

因此，即使在负载端子的电压非常低但想要流过大电流时，会由于输入电路的电阻值有下限，而导致超过一定数值的电流无法流过。下图右侧的图标与公式表示了这一点，在低电压下，负载电流与施加的电流成比例关系。

另外，需要注意的是，即使动力装置使用的不是MOS-FET而是双极晶体管，在低电压时也会有像恒阻一样的动作区域，因此会引起可流动Max电流的衰减。

在下图中显示的区域被称为饱和区域，在这个区域中，晶体管会呈现恒压运作，因此会引起低电压时可流动Max电流的衰减。