基于FRAM的微控制器的应用场景有很多,如可穿戴电子产品、工业和远程传感器、能量收集装置、智能计量仪表、家庭自动化设备、数据采集系统、物联网(IoT)以及更多需要超低功耗、灵活内存选择和智能模拟集成的应用。
相比传统的MCU,FRAM MCU有低功耗、读写操作以及读写次数等方面有着极大的优势。FRAM本身不仅可当作Flash使用,也可当作SDRAM使用,所以不管是代码还是数据都可以同时间放在FRAM里传送,而且传送速度很快,可让工程师更灵活地去做复杂的产品设计。

本文主要介绍一种国产FRAMPB85RS2MC,该存储器集成降低安全应用成本与功耗所需的高性能以及各种特性,可帮助开发人员为低功耗应用并提高安全性。此外,非易失性FRAM替代EEPROM或闪存为MCU提供稳健统一的存储器架构,从而可简化安全系统设计。
铁电存储器PB85RS2MC的应用优势:
1、PB85RS2MC配置为262,144×8位,是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元,该芯片不需要电池就可以保持数据。
2、PB85RS2MC具有读写速度快(最高100万次)、写入寿命长、写入耗能小等优点。
3、PB85RS2MC最低功耗9微安(待机),工作电压2.7伏至3.6伏,可以在-40℃-85℃的温度范围内工作。
4、PB85RS2MC容量2M bit,提供SPI接口,工作频率25兆赫兹,并支持40MHz高速读命令。
5、PB85RS2MC工作环境温度范围-40℃至85℃,封装为8引脚SOP封装,符合RoHS;性能兼容MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(赛普拉斯)。

值得一提的是,PB85RS2MC无论在待机或是运行、高温或是低温的应用场景下,均能保持稳定的低功耗水平,且它的小尺寸封装可以最大限度地缩减产品尺寸并实现了无电池的世界。如有需求,国芯思辰可全程提供技术服务和供货需求。
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