获得美国豁免！晶圆大厂将扩建中国工厂！

日前，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其它许可。10月15日消息，三星将扩建中国西安的NAND芯片工厂，进行工艺升级。三星电子已开始预定和购买最新的半导体设备用于工艺转换，预计新设备将于年底开始投入使用。 位于陕西省的西安工厂是三星唯一的海外存储半导体生产基地，于2014年开始运营，在2020年增建第二座工厂后，主要生产128层(V6)NAND闪存，月产能达20万片12英寸晶圆，占三星NAND闪存产总量的40%以上。在此基础上，三星电子计划明年在西安工厂内安装并逐步转换设备，生产236层(V8)NAND闪存。

在NAND闪存市场难以复苏的情况下，三星升级西安工厂是保持全球NAND闪存第一的战略对策；去年下半年开始，IT市场放缓和半导体市场疲软也导致三星电子NAND业务下滑。由于库存不断增加，赤字扩大，据估计，三星电子设备解决方案(DS)业务今年第三季度的营业亏损将达到约3万亿韩元(约人民币162亿元)，其中2万亿韩元(约人民币108亿元)将来自NAND闪存业务。

不过，随着美国宣布将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备，无需其它许可。这给运营着存储芯片工厂的三星电子带来了机会。业内人士表示“扩建闪存芯片工厂可能会有困难，但是设备维护和工艺转换并没有太大问题”，他还表示，“在工艺转换的情况下，尽管设备数量增加导致晶圆投入量和生产能力减少，但是出货量仍然保持不变”。

三星电子实际上从四月份正式宣布开始减产，主要生产128层(V6)NAND的西安工厂开工率也大幅下降，推测传统产品(128层)市场需求较低，无法确保价格竞争力，因此工厂整体开工率下调至20%左右。

尽管通过减产政策降低了产量，但三星的业绩却迟迟不见起色，因此决定进行工艺升级。通过生产最新的第8代产品不仅可以确保价格竞争力和需求，而且考虑到第8代产品的工艺数量高于第6代产品，这意味着晶圆投入比以前减少了30%，通过自然减产来平衡市场供需。