晶振高低温储存试验说明

高温试验是晶振在高温条件下工作一段时间后，评定高温对晶振的电气和机械性能的影响;或者长时间高温存储(不带电)后，评定晶振的质量稳定性，可参照标准GJB 360B.108。

低温试验是长时间低温存储(不带电)后，评定晶振的质量稳定性，以及检测封装中足以对晶振产生不良影响的残存湿气，即通常的露点测试，可参照标准GJB 548B.1013.1。

高低温储存试验(High/Low Temperature Storage)暴漏的故障来源于元器件表面和内部的物理和化学变化，例如：密封问题，材料热胀冷缩问题，电性能产生的变化等。

试验说明

高温存储试验：

工作温度: 125°C±5°C; 存储时间: 1000H±12H,不带电; 实验结束后24±2Hrs内进行电性能测试。高温储存试验可以使用“电热恒温箱”来进行试验，可参考标准MIL-STD-202 Method 108。‍

低温存储试验

工作温度: -55°C±5°C; 存储时间: 1000H±12H,不带电; 实验结束后24±4Hrs进行电性能测试。低温储存试验可以使用“低温试验机”，可参考标准JIS-C7021B-12。

本试验对晶振的影响

高温存储试验

晶体谐振器频率降低3.5ppm左右(5max)，谐振阻抗增大3Ω左右±10%(5max); 晶体振荡器频率降低3.5ppm左右(5 max)。

低温存储试验

晶体谐振器频率降低2.5ppm左右(5max)，谐振阻抗增大3Ω左右±10%(5max); 晶体振荡器频率降低3.5ppm左右(5 max)。

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审核编辑：汤梓红