800V高压超充技术兴起，国内SiC MOSFET产业谁受益?

凭借耐高压、耐高温和高频等优越的物理特性，SiC-MOSFET有望在新能源汽车800V高压超充时代替代Si IGBT，并在主驱逆变器、充电桩、OBC、DC-DC等应用场景中加速渗透。

随着政策和技术发展的推动，电动汽车已经越来越受到消费者的青睐。据乘联会数据，纯电动车型和插混车型8月份的销量分别为14.56万辆和12.85万辆。不过还有一些消费者对电动汽车目前依然存在的充电速度慢和行驶里程短等问题抱有疑虑。

可见，续航能力问题已是电动汽车能否广泛推向市场的重要因素。其实目前已经有不少成熟的技术能够解决，800V高压超充技术就是其中较为不错的解决方案。

从半导体器件的角度来看，SiC-MOSFET有望在新能源汽车800V高压超充时代，凭借耐高压、耐高温和高频等优越的物理特性替代Si IGBT，并在主驱逆变器、充电桩、OBC、DC-DC等应用场景中加速渗透。

因为主机厂可以通过应用更高功率密度的1200V SiC-MOSFET，从而充分发挥800V高压平台和350KW直流超充的优势，大幅提高动力系统效率，加速大功率超充普及，以解决普遍存在的“里程焦虑”和“充电焦虑”问题。在此期间，伴随各主机厂800V高压平台车型的陆续量产， SiC产业链需求可能会得到快速增长。

目前来看，受益于新能源汽车电动化进程加快和国内主机厂加强供应链自主可控的要求，车规级功率器件的国产替代趋势正在快速形成。国内多家SiC产业链企业已经在主驱逆变器、OBC、DC-DC等应用领域得到主机厂提供的产品验证机会，部分SiC企业更是已顺利取得定点函进入量产阶段，成功导入了主机厂供应体系。

根据Yole数据，预计到2027年，SiC车规级市场规模有望达到49.8亿美元，其中主驱逆变器市场规模约为44.1亿美元，约占据整个车规级市场的88.6%。国内SiC产业链参与者有望充分受益于国内自主品牌车企与造车新势力崛起带来的电动汽车供应链国产替代红利，在高压超充时代获得更高市场份额。

当前，国内部分衬底制造企业和通过自建Foundry向IDM模式转型的模块封装企业，已经在产品研发和市场导入方面与海外龙头并跑，更有望充分受益高压超充带来的历史性机遇。

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审核编辑 黄宇