0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

P4500Q22CLRP 半导体放电管TSS

东沃电子 2023-08-15 15:33 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

防浪涌过电压保护电路中,常用的过电压保护器件有:半导体放电管TSSTVS瞬态抑制二极管压敏电阻MOV、陶瓷气体放电管GDT,其中半导体放电管TSS和陶瓷气体放电管GDT属于开关型过压保护器件,压敏电阻MOV和TVS瞬态抑制二极管属于钳位型过压保护元器件,这四种过电压保护器件都是与被保护电路进行并联。接下来,电路保护器件厂家东沃电子重点要分享的是热销型物料:P4500Q22CLRP半导体放电管。

poYBAGFS4CuAdSL2AAED4eaWS7Y158.png

P4500Q22CLRP半导体放电管特点

近日常有客户向东沃电子咨询P4500Q22CLRP半导体放电管特性、参数、价格、交期等方面的问题。在解答这些问题之前,先来了解下半导体放电管的特点。半导体放电管具有精确导通电压、ns级响应速度、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高、寄生结电容低等特点,多用于数据通信信号接口保护,比如串口和音视频接口防雷保护。

P4500Q22CLRP半导体放电管特性

回到本文的正题,查阅东沃电子“TSS-P4500Q22CLRP Datasheet”产品手册,可知其特性如下所示:

√ Bidirectional crowbar protection

√ Low leakage current

√ Low on-state voltage

√ Low capacitance

√ Solid-state silicon technology

√ Eliminates overvoltage caused by fast rising transients

√ Low profile package

√ For surface mounted applications to optimize board space

√ Case: DFN3333-2L molded plastic

wKgaomTbKc6Ab1xZAAIyTS53Szk954.png

P4500Q22CLRP半导体放电管参数

>> 峰值断态电压:400V

>> 反向最大漏电流:5.0uA

>> 维持电流:50mA

>> 通态电压:5V

>> 通态电流:2.2A

>> 开关电压:530V

>> 开关电流:800mA

>> 峰值脉冲电压(10/700μs):6000V

>> 峰值脉冲电流(8×20μs):300A

>> 寄生结电容:45pF

>> 封装形式:DFN3333-2L


wKgaomTbKduAd2haAAKJ-OVAJDo610.png
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    336

    文章

    29977

    浏览量

    258202
  • TSS
    TSS
    +关注

    关注

    0

    文章

    24

    浏览量

    8525
  • 半导体放电管

    关注

    0

    文章

    17

    浏览量

    2263
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    高云半导体22nm FPGA产品家族亮相ICCAD-Expo 2025

    2025年11月20日, 国内领先的FPGA芯片供应商广东高云半导体科技股份有限公司(以下简称“高云半导体”)隆重出席2025集成电路发展论坛(成渝)暨第31届集成电路设计业展览会(ICCAD 2025)。展会期间,高云半导体
    的头像 发表于 11-27 11:10 640次阅读
    高云<b class='flag-5'>半导体</b><b class='flag-5'>22</b>nm FPGA产品家族亮相ICCAD-Expo 2025

    IP2336  支持C口充放电   2 节串联锂电池升压充电、反向降压放电的充放电管理 IC

    IP2336 2节串联锂电池升压充电、反向降压放电的充放电管理 IC简介IP2336是一款支持快充的2节串联锂电池升压充电、反向降压放电的充放电管理 IC。IP2336集成功率 MOS
    发表于 10-10 18:50 1次下载

    国际半导体峰会(I.S.E.S. China 2025)圆满收官

    9月22-23日,国际半导体峰会中国站(I.S.E.S.China2025)在上海成功举办,为全球半导体产业奉献了一场思想与智慧交融的年度盛宴。本届峰会以"重塑
    的头像 发表于 09-24 17:52 1103次阅读
    国际<b class='flag-5'>半导体</b>高<b class='flag-5'>管</b>峰会(I.S.E.S. China 2025)圆满收官

    放电管和压敏电阻的区别在哪?

    放电管和压敏电阻的区别在哪?
    发表于 09-08 07:14

    A22: 分立半导体器件知识与应用专题--MOS知识及应用案例

    A22-3分立半导体器件(MOS)知识与应用专题
    的头像 发表于 07-30 09:57 1.6w次阅读
    A<b class='flag-5'>22</b>: 分立<b class='flag-5'>半导体</b>器件知识与应用专题--MOS<b class='flag-5'>管</b>知识及应用案例

    A22: 分立半导体器件知识与应用专题--三极知识及应用案例

    A22-2分立半导体器件(三极)知识与应用专题
    的头像 发表于 07-30 09:55 397次阅读
    A<b class='flag-5'>22</b>: 分立<b class='flag-5'>半导体</b>器件知识与应用专题--三极<b class='flag-5'>管</b>知识及应用案例

    A22: 分立半导体器件知识与应用专题--二极知识及应用案例

    A22-1分立半导体器件(二极)知识与应用专题
    的头像 发表于 07-30 09:46 1.3w次阅读
    A<b class='flag-5'>22</b>: 分立<b class='flag-5'>半导体</b>器件知识与应用专题--二极<b class='flag-5'>管</b>知识及应用案例

    半绝缘一次消谐器为啥加一个放电管,起什么作用?

    半绝缘一次消谐器加装放电管的主要目的是增强过电压防护能力,确保系统安全稳定运行。放电管可快速响应雷击、操作过电压等瞬态高压,在纳秒级时间内击穿导通,泄放异常能量,避免消谐器核心元件受损。消谐器主要
    的头像 发表于 07-18 19:37 309次阅读
    半绝缘一次消谐器为啥加一个<b class='flag-5'>放电管</b>,起什么作用?

    现代集成电路半导体器件

    目录 第1章 半导体中的电子和空穴第2章 电子和空穴的运动与复合 第3章 器件制造技术 第4章 PN结和金属半导体结 第5章 MOS电容 第6章 MOSFET晶体 第7章 IC中的MOSFET
    发表于 07-12 16:18

    电子束半导体圆筒聚焦电极

    掺杂的半导体材料可以满足要求。本文不介绍驻极体材料,重点介绍P型掺杂的半导体材料。材料可以是P型掺杂的硅,也可以是P型掺杂的聚苯胺(有机
    发表于 05-10 22:32

    555定时器设计异常现象

    =5v时,RS锁存器的Q\'电压为1.25V,而放电管的基极电压为760mV,这是不正常的现象。由于未知原因,即使在将Q\'端仿真初始电压设置为零时,RS锁存器在直流仿真时依然会进入不定态,而瞬态仿真
    发表于 04-12 00:25

    开关电源中压敏电阻和气体放电管的作用

    我们在开关电源的交流输入端,很多地方可能都会看到这样的组合:压敏电阻+气体放电管
    的头像 发表于 03-24 10:53 3.5w次阅读
    开关电源中压敏电阻和气体<b class='flag-5'>放电管</b>的作用

    AEC-Q102:汽车电子分立光电半导体元器件的测试标准

    AEC-Q102是汽车电子领域针对分立光电半导体元器件的应力测试标准,由汽车电子委员会(AEC)制定。该标准于2017年3月首次发布,随后在2020年4月更新为AEC-Q102REVA版本,成为目前
    的头像 发表于 03-07 15:35 1515次阅读
    AEC-<b class='flag-5'>Q</b>102:汽车电子分立光电<b class='flag-5'>半导体</b>元器件的测试标准

    BJT与其他半导体器件的区别

    (Collector)三个主要部分组成。在NPN型BJT中,发射极和集电极为N型半导体,基极为P半导体;而在PNP型BJT中,发射极和集电极为P
    的头像 发表于 12-31 16:28 1709次阅读

    浪涌保护器气体放电管的设计选型及行业应用方案

    随着电子设备的广泛使用和雷电活动频繁,浪涌保护在保障电力和电子设备安全方面变得尤为重要。其中,气体放电管(Gas D ischarge Tube, GDT)作为一种核心的浪涌保护元件,其选择
    的头像 发表于 12-16 10:53 988次阅读
    浪涌保护器气体<b class='flag-5'>放电管</b>的设计选型及行业应用方案