面向光电子异质集成的微转印技术介绍

面向光电子异质集成的微转印技术是一种用于将微观尺度的光电子器件从一个基底上转移到另一个基底上的先进技术。这种技术的应用范围广泛，特别适用于半导体、光电子学和纳米器件的制备和集成。虽然微转印技术在光电子异质集成中有很多优势，但也面临一些挑战，比如对器件和基底表面的处理要求较高，对准精度要求严格，以及在一些特殊材料和器件结构上的应用尚待改进等。随着技术的不断发展，微转印技术在光电子学领域的应用前景将更加广阔。

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。期间，“平行论坛2：光电子器件及应用”上，香港科技大学（广州）副教授王蕴达带来了“面向光电子异质集成的微转印技术”的主题报告。

报告中表示，MicroLED显示应用驱动下，已发展了多种技术路线：包括激光释放，流体自主装等。不同技术路线各有优、缺点。评价标准包括转移速度、转移精确度，以及工程复杂度、设备成本等。同时，MicroLED巨量转移并未完全突破。控制转移成本和提高良率是商业化的关键。（依然有发展需求和空间）

报告初步探讨了微转印技术的广泛应用，包括III-V族半导体与硅光子（SiPh）的集成，制造先进的MicroLED显示器和开发各类创新电子设备。

并重点介绍了可编程微转印技术，包括其涉及的方法、过程和局限。展示了在香港科技大学（广州）（HKUST-GZ）的研究小组的现有工作和取得的成果。我们的研究致力于推动微转印技术的进一步发展和成熟，探索创新的方法和技术，以提高微尺度异构集成的效率和能力。

他在报告中指出，未来将针对MicroLED巨量转移开发大矩阵、高通量、可编程的转印头。面向硅光集成应用开发兼容不同材料、形状和表面形貌的芯片的转移技术，满足多种器件的制造需求。

审核编辑：刘清