cmos动态功耗公式，cmos动态功耗和哪些电路参数有关

CMOS器件是一种采用CMOS技术制造的电子器件，具有低功耗、耐电磁干扰、高噪声免疫性等优点，被广泛应用于现代电子领域。本文将介绍cmos动态功耗公式以及和cmos动态功耗有关的电路参数。

cmos动态功耗公式

动态功耗包括：开关功耗或称为反转功耗、短路功耗或者称为内部功耗；

开关功耗：电路在开关过程中对输出节点的负载电容充放电所消耗的功耗。比如对于下面的CMOS非门中：

当Vin=0时，PMOS管导通，NMOS管截止；VDD对负载电容进行充电；

当Vin=1时，PMOS管截止，NMOS管导通；VDD对负载电容进行放电；

这样开关的变化，电源的充放电，形成了开关功耗，开关功耗的计算公式如下：

在上式中，VDD为供电电压，Cload为后级电路等效的电容负载大小，Tr为输入信号的翻转率；

cmos动态功耗和哪些电路参数有关

CMOS的动态功耗和电路的开关电流和短路电流有关。

CMOS使用注意事项：

1、COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。

2、输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。

3、当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。

4、当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。

5、COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。