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cmos动态功耗公式,cmos动态功耗和哪些电路参数有关

科技观察员 来源:网络整理 作者:网络整理 2023-07-21 15:55 次阅读

CMOS器件是一种采用CMOS技术制造的电子器件,具有低功耗、耐电磁干扰、高噪声免疫性等优点,被广泛应用于现代电子领域。本文将介绍cmos动态功耗公式以及和cmos动态功耗有关的电路参数。

cmos动态功耗公式

动态功耗包括:开关功耗或称为反转功耗、短路功耗或者称为内部功耗;

开关功耗:电路在开关过程中对输出节点的负载电容充放电所消耗的功耗。比如对于下面的CMOS非门中:

当Vin=0时,PMOS管导通,NMOS管截止;VDD对负载电容进行充电;

当Vin=1时,PMOS管截止,NMOS管导通;VDD对负载电容进行放电;

wKgZomS6Oc2Ad0k_AABciRD0J18064.png

这样开关的变化,电源的充放电,形成了开关功耗,开关功耗的计算公式如下:

wKgZomS6OcmAb-GnAAAt6DLt7KQ310.png

在上式中,VDD为供电电压,Cload为后级电路等效的电容负载大小,Tr为输入信号的翻转率;

cmos动态功耗和哪些电路参数有关

CMOS的动态功耗和电路的开关电流和短路电流有关。

CMOS使用注意事项:

1、COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。

2、输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。

3、当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。

4、当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。

5、COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。

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