欧洲三大微电子研究所之一的法国cea-leti计划以fd-soi(完全消耗硅)技术为基础,开发10纳米低电力技术模块。该技术将扩展到7纳米技术,这是duv光刻技术的局限性。
机构方面表示,新的fd-soi技术将与18、22、28纳米的现有设计进行互换,还将包括嵌入式非挥发性存储器(envm)技术。该项目在法国政府的资助下被分离为《欧盟芯片法案》。
据报道,位于法国格勒诺布的3000平方米无尘室将于今年9月动工建设,目前正在生产fd-soi零部件的晶体管半导体和格子工程模块将被开发出来。新的工程将在三年内准备好,使用st. semiconductor在克劳斯附近的新合资晶片工厂和soitec的soi晶片。
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