东芯半导体：坚持自主创芯，成为中国领先的存储芯片设计企业

东芯半导体股份有限公司作为Fabless芯片企业，聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售的，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。公司以“提供可靠高效的存储产品及设计方案”为使命，以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及解决方案。产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。

始终坚持技术创新，保证产品的技术先进性，产品与技术自主可控

SLC NAND Flash产品存储容量覆盖 512Mb 至 32Gb，可灵活选择 SPI 或 PPI 类型接口，搭配 3.3V/1.8V两种电压，量产以38nm、2xnm制程为主，并在2xnm制程上持续开发新产品，不断扩充SLC NAND Flash产品线，同时先进制程的1xnm NAND Flash产品已完成首轮晶圆流片并已完成功能性验证。同时，产品核心技术优势明显，尤其是 SPI NAND Flash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC 模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过 10 万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达 10 年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。

NOR Flash产品容量从64Mb到1Gb，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式。公司在48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前512Mb、1Gb大容量NOR Flash产品都已有样品可提供。

同时，东芯半导体聚焦高附加值产品， 38nm工艺平台的SLC NAND Flash以及48nm工艺平台的NOR Flash均有产品通过AEC-Q100测试，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。在DRAM领域也在持续进行新产品的研发设计，助力公司产品多样性发展，设计研发的LPDDR4X及PSRAM产品均已完成工程样片。

结合产业上下游产业链，强化产品质量，提供优质服务

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凭借对产品下游应用细分市场的分析累积和产品优势特点，准确把握市场应用需求，聚焦投入，形成了完整的NAND Flash、NOR Flash、DRAM及MCP的产品供应链。

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加强供应链合作，保证产能稳定，秉持着“本土深度，全球广度”的供应链布局，以国产化供应链安全和自主可控为目标，重视与晶圆厂和与封测厂的合作，将持续深化业务往来与技术协作，建立健全的全球化供应链以满足不同客户的需求。

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秉持着“品质”“竞争力”“客户满意”“持续改进”的质量方针不断优化服务流程和运营系统，持续提升相应的产品质量与服务质量管理体系，能够为全球客户第一时间提供高效的服务支持。针对关键工艺细节管控及关键原材料把关，公司将在充实相关部门人力资源的同时，持续加强与代工厂的深入合作，整合各方资源，优化整体制造环境，从而不断提升产品生产制造品质。

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建立优秀的客户服务团队，并制定了客户技术支持的服务规范、客户投诉的处理流程、不合格产品的管控程序、产品失效分析程序等一系列制度规则，旨在高效率、高质量地应对不同客户的服务需求。公司将客户服务理念贯穿到产品研发至售后的各个环节，在内部形成一个良好的处理闭环，持续提升品质管控体系，推动公司产品不断精益求精。

东芯半导体也在“成为中国领先的存储芯片设计企业”的道路上持续努力，为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案。