列拓科技推出高性能、低功耗微控制器芯片LTM32F103ZET6

全栈式信号链芯片供应商列拓科技Leto宣布，最新推出高性能、高闪存、低功耗微控制器芯片LTM32F103ZET6。 LTM32F103ZET6芯片使用ARM 32位Cortex-M3内核，最高工作频率 96MHz；LTM32F103ZET6芯片内置512KB的FLASH、64KB的SRAM等大容量高速存储器；并且可以通过FSMC模块挂载最多1GB容量的 NOR/PSRAM/NAND/PC Card外部存储器。LTM32F103ZET6芯片支持多种省电模式，使其能够满足各种低功耗应用的要求，其内部框架图如下：

LTM32F103ZET6芯片主要特性：

ARM 32位Cortex-M3内核

512KB闪存、64KB SRAM高速存储器

高达96MHz工作频率

2.0V~3.6V工作电压范围

-40℃~85℃工作温度范围

多达11个16位定时器

12位的ADC/DAC数模转换器

集成USB全速接口和CAN以及FSMC外设

多达13个I2C/UART/SPI/SDIO通信接口

12通道DMA控制器

支持睡眠、停机、待机三种低功耗模式

封装尺寸：LQFP144(20x20mm)

应用场景： LTM32F103ZET6可以广泛应用于电机驱动器、数模转换模块、数据通信设施、应用控制设备、医疗与手持设备。 应用产品（例）：

LTM32F103ZET6预计7月份量产，目前已经送样中。列拓科技高性能、高闪存、低功耗微控制器系列产品已经开放样片申请，免费申请样片请发邮件至[e-mail]。您可以访问列拓科技官方网站http://www.leto-ic.com选择适用的型号。