0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

EUV***造成7nm芯片量产停滞不前

要长高 来源:网络整理 作者:网络整理 2023-06-20 15:41 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

最近有消息称,在英伟达等公司增加AI芯片生产量的推动下,台积电的先进制程产能利用率大幅提升。但尽管如此,7nm芯片量产依旧停滞不前。

相比之下,台积电的7纳米工艺产能利用率不如5纳米工艺。5纳米工艺的产能利用率从原来的50%多增加到70%至80%左右,而7纳米工艺的产能利用率也从30%至40%的水平逐步提高至50%左右。

这种情况的原因在于制造7纳米芯片所需的关键设备EUV***难以生产。EUV***是制造7纳米芯片的关键工具,具有更高的光刻精度,能够突破传统***的制造极限。中芯国际早在2018年就向全球唯一生产EUV***的厂商ASML订购了一台,但至今尚未交付。

由于DUV***无法满足先进制程芯片的制造需求,中芯国际无法实现7纳米工艺的量产。这是一个极具挑战性的问题,因为全球对EUV***的需求已排满了两年的订单,后续投产周期也需要相当长的时间,预计直到2023年左右才能供货。这意味着中芯国际在EUV***方面的生产计划受到了很大影响。

编辑:黄飞

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 台积电
    +关注

    关注

    44

    文章

    5787

    浏览量

    174788
  • 光刻机
    +关注

    关注

    31

    文章

    1196

    浏览量

    48737
  • 5nm
    5nm
    +关注

    关注

    1

    文章

    342

    浏览量

    26572
  • 7nm
    7nm
    +关注

    关注

    0

    文章

    267

    浏览量

    36217
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    中国打造自己的EUV光刻胶标准!

    其他工艺器件的参与才能保障芯片的高良率。   以光刻胶为例,这是决定芯片 图案能否被精准 刻下来的“感光神经膜”。并且随着芯片步入 7nm及以下先进制程
    的头像 发表于 10-28 08:53 5857次阅读

    俄罗斯亮剑:公布EUV光刻机路线图,挑战ASML霸主地位?

    了全球 EUV 光刻设备市场,成为各国晶圆厂迈向 7nm、5nm 乃至更先进制程绕不开的 “守门人”。然而,近日俄罗斯科学院微结构物理研究所公布的一份国产 EUV 光刻设备长期路线图,
    的头像 发表于 10-04 03:18 9394次阅读
    俄罗斯亮剑:公布<b class='flag-5'>EUV</b>光刻机路线图,挑战ASML霸主地位?

    黑芝麻智能武当C1200家族作为跨域计算芯片的核心突破

    本文围绕汽车电子电气架构(EEA)向中央计算演进的技术需求,分析分布式、域集中架构的碎片化、域间壁垒等痛点,重点阐述武当 C1200 家族作为跨域计算芯片的核心突破:7nm 异构融合架构实现算力动态调度,ASIL-D 级安全底座保障安全,场景化配置与全栈生态支撑
    的头像 发表于 11-20 16:38 1015次阅读

    “汽车智能化” 和 “家电高端化”

    一、先搞懂:7nm 良率提升到底意味着什么?​ 很多人觉得 “7nm 芯片” 是手机、电脑的专属,其实不然!良率简单说就是 “合格芯片的产出比例”,中芯国际
    发表于 10-28 20:46

    国产AI芯片真能扛住“算力内卷”?海思昇腾的这波操作藏了多少细节?

    最近行业都在说“算力是AI的命门”,但国产芯片真的能接住这波需求吗? 前阵子接触到海思昇腾910B,实测下来有点超出预期——7nm工艺下算力直接拉到256 TFLOPS,比上一代提升了40%,但功耗
    发表于 10-27 13:12

    白光干涉仪在EUV光刻后的3D轮廓测量

    EUV(极紫外)光刻技术凭借 13.5nm 的短波长,成为 7nm 及以下节点集成电路制造的核心工艺,其光刻后形成的三维图形(如鳍片、栅极、接触孔等)尺寸通常在 5-50nm 范围,高
    的头像 发表于 09-20 09:16 538次阅读

    AMD 7nm Versal系列器件NoC的使用及注意事项

    AMD 7nm Versal系列器件引入了可编程片上网络(NoC, Network on Chip),这是一个硬化的、高带宽、低延迟互连结构,旨在实现可编程逻辑(PL)、处理系统(PS)、AI引擎(AIE)、DDR控制器(DDRMC)、CPM(PCIe/CXL)等模块之间的高效数据交换。
    的头像 发表于 09-19 15:15 2172次阅读
    AMD <b class='flag-5'>7nm</b> Versal系列器件NoC的使用及注意事项

    【「AI芯片:科技探索与AGI愿景」阅读体验】+半导体芯片产业的前沿技术

    %。至少将GAA纳米片提升几个工艺节点。 2、晶背供电技术 3、EUV光刻机与其他竞争技术 光刻技术是制造3nm、5nm等工艺节点的高端半导体芯片的关键技术。是将设计好的
    发表于 09-15 14:50

    全球首款2nm芯片被曝准备量产 三星Exynos 2600

    据外媒韩国媒体 ETNews 在9 月 2 日发文报道称全球首款2nm芯片被曝准备量产;三星公司已确认 Exynos 2600 将成为全球首款采用 2nm 工艺的移动 SoC
    的头像 发表于 09-04 17:52 2015次阅读

    EUV光刻胶材料取得重要进展

    电子发烧友网综合报道 随着集成电路工艺的不断突破, 当制程节点持续向7nm及以下迈进,传统的光刻技术已难以满足高精度、高密度的制造需求,此时,波长13.5nm的极紫外(EUV)光刻技术逐渐成为支撑
    的头像 发表于 08-17 00:03 4011次阅读

    三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率

    %左右开始,随着进入量产阶段,良率会逐渐提高”。 星电子将在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 内存芯片和 4nm 逻辑芯片
    发表于 04-18 10:52

    曝三星已量产第四代4nm芯片

    据外媒曝料称三星已量产第四代4nm芯片。报道中称三星自从2021年首次量产4nm芯片以来,每年都
    的头像 发表于 03-12 16:07 1.3w次阅读

    北京市最值得去的十家半导体芯片公司

    A股上市,获中国移动、红杉资本等投资,技术应用于大模型训练与图形渲染。 4. 昆仑芯(Kunlunxin) *领域 :AI芯片 亮点 :前身为百度智能芯片部门,7nm工艺的昆仑芯2代已量产
    发表于 03-05 19:37

    EUV光刻技术面临新挑战者

      EUV光刻有多强?目前来看,没有EUV光刻,业界就无法制造7nm制程以下的芯片EUV光刻机也是历史上最复杂、最昂贵的机器之一。
    的头像 发表于 02-18 09:31 1900次阅读
    <b class='flag-5'>EUV</b>光刻技术面临新挑战者

    台积电4nm芯片量产

    率和质量可媲美台湾产区。 此外;台积电还将在亚利桑那州二厂生产领先全球的2纳米制程技术,预计生产时间是2028年。 台积电4nm芯片量产标志着台积电在美国市场的进一步拓展,也预示着全球半导体产业格局的深刻变化。  
    的头像 发表于 01-13 15:18 1365次阅读