KRi 射频离子源应用于国产离子束溅射镀膜机 IBSD

上海伯东客户某高校使用国产品牌离子束溅射镀膜机用于金属薄膜制备, 工艺過程中, 国产离子源钨丝仅使用 18个小时就会烧断, 必须中断镀膜工艺更换钨丝, 无法满足长时间离子束溅射镀膜的工艺要求, 导致薄膜质量低的情况. 客户需要离子源的稳定工作时间不低于 48个小时, 经过伯东推荐最终改用美国 KRi 射频离子源 RFICP 100 替换原有的国产离子源, 单次工艺时间可以达到数百小时, 完全符合客户长时间镀膜的工艺要求, 维持高稳定离子束溅射工艺获得高品质薄膜.

上海伯东真空溅射镀膜机离子源改造方案:
根据客户 4寸基材和工艺条件, 推荐选用射频离子源 RFICP 100, 配置中和器 (LFN) 和自动控制器, 替换国产离子源后可以长时间工作( 时长＞100h)！
1. 设备: 国产离子束溅射镀膜机 IBSD
2. 基材: 4寸 wafer, 镀钽 Ta 单层非晶薄膜
3. 美国 KRi 射频离子源 RFICP 100, 气体：Ar gas
4. 离子源条件: Vb max:1200V ( 离子束电压 ), Ib max:＞400mA ( 离子束电流 )

KRi 射频离子源

KRi 射频离子源

KRi 射频离子源

上海伯东射频离子源 RFICP 100 主要技术规格:
小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流.

射頻功率	600W
离子束電流	> 400mA
离子束電壓	100-1200eV
气体	Ar, O2, N2,其他
流量	5-20 sccm
工作压力	< 0.5mTorr
离子束栅极	10cm Φ
栅极材质	钼, 石墨
离子束流形状	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000
高度	23.5 cm
直径	19.1 cm
安装法兰	10”CF 或 內置型 1”引入端子

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi考夫曼公司离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解美国 KRi 离子源详细信息或讨论, 请联络上海伯东叶女士


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