安森德ASDM30N90Q是一款中低压场效应管(MOS管)产品,可替代美国万代(AOS)的AONS36304。
ASDM30N90Q一般特征
●低门电荷
●先进的沟槽技术
●提供优秀的RDS(ON)
●高功率和电流处理能力
●提供DFN5*6-8封装

ASDM30N90Q主要参数
类型:N沟道
漏源电压(Vdss):30V
连续漏极电流(Id):80A
功率(Pd):65W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.6mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs):40nC@10V
输入电容(Ciss@Vds):2.12nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds):253pF@15V
工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
ASDM30N90Q应用
●负载开关
●PWM应用
●电源管理
AONS36304主要特征
类型:N沟道
漏源电压(Vdss):30V
漏极电流(Id):85A
工作温度:-50℃~+150℃@(Tj)
DFN5*6-8封装
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MOS管
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