0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

BGA 封装工艺简介

1770176343 来源:SMT之家 2023-05-23 09:56 次阅读

dfb172b6-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

SIDE VIEW

Typical Assembly Process Flow

e0018fc6-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

FOL– Front of Line前段工艺

e06bcad0-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

FOL– Front of Line Wafer

【Wafer】晶圆

e09baa48-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e0bd9694-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e1066054-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

FOL– Back Grinding背面减薄

e12076c4-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e13a63c2-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨,来减薄晶圆达到 封装需要的厚度(5mils~10mils);

磨片时,需要在正面(Active Area)贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度;

FOL– Wafer Saw晶圆切割

e18265d2-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e1911ed8-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

目的:

将晶圆粘贴在蓝膜(Tape)上,使得即使被切割开后,不会散落;

通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice,方便后面的 Die Attach等工序;

Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘,清洁Wafer;

FOL– Back Grinding背面减薄

e1e7d1a6-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

FOL– Wafer Saw晶圆切割

e20920b8-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

FOL– Optical Inspection

e2771456-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

主要是针对Wafer Saw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查,是否有出现不良产品

e2bba7ce-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

Chipping Die 崩 边

FOL– Die Attach 芯片粘接

e2d95850-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e2ecc7be-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

FOL– Die Attach 芯片粘接

e30b306e-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

芯片拾取过程:

1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片,使之便于脱离蓝膜;

2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片,完成从Wafer到L/F的运输过程;

3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F的Pad上,具体位置可控;

4、Bond Head Resolution:X-0.2um;Y-0.5um;Z-1.25um;

5、Bond Head Speed:1.3m/s;

e342b46c-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

FOL– Die Attach 芯片粘接

e373c8a4-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

FOL– Die Attach 芯片粘接

e3919dca-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

FOL– Epoxy Cure 银浆固化,检验

e3c4ea72-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

FOL– Wire Bonding 引线焊接

e3d342a2-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

利用高纯度的金线(Au) 、铜线(Cu)或铝线(Al)把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点,Lead是 Lead Frame上的 连接点。

W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。

FOL– Wire Bonding 引线焊接

【Gold Wire】焊接金线

e44bcdf8-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

实现芯片和外部引线框架的电性和物理连接;

金线采用的是99.99%的高纯度金;

同时,出于成本考虑,目前有采用铜线和铝线工艺的。铜铝线优点是成本降低,同时工艺难度加大,良率降低;

线径决定可传导的电流;0.8mil,1.0mil,1.3mils,1.5mils和2.0mils;

FOL– Wire Bonding 引线焊接

Key Words:

Capillary:陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool,内部为空心,中间穿上金线,并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第一和第二焊点;

EFO:打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温,将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形,以便在Pad上形成第一焊点(Bond Ball);

Bond Ball:第一焊点。指金线在Cap的作用下,在Pad上形成的焊接点,一般为一个球形;

Wedge:第二焊点。指金线在Cap的作用下,在Lead Frame上形成的焊接点,一般为月牙形(或者鱼尾形);

W/B四要素:压力(Force)、超声(USG Power)、时间(Time)、温度(Temperature);

FOL– Wire Bonding 引线焊接

e4bc1bbc-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e4e63988-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

FOL– Wire Bonding 引线焊接

e51a85bc-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

FOL– Wire Bonding 引线焊接

e53678b2-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e5a7e3c6-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

FOL–Optical Inspection 检查

e5bc8916-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

检查Die Attach和Wire Bond之后有无各种废品

正常品

e64fa39a-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e664fbe6-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e6b2df00-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e6d4fd60-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e7733b42-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e78b57cc-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

Material Problem

e7a1ad24-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e8066b06-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e8224d4e-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e86ff4cc-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e8ca4a9e-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e8e11ea4-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

1st Bond Fail ( I )

Peeling

e920e462-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

e93fe826-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

1st Bond Fail (II)

Ball Lift

e96c4bfa-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

1st Bond Fail ( III )

Neck Crack

e9d8eea4-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

1st Bond Fail (IV)

Off Center Ball

e9fa02d8-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

1st Bond Fail (V)

Smash Ball

ea2564dc-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

Bonding Weld Inspection

Weld Detection

ea42c48c-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

2nd Bond Fail ( II )

ea6503e4-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

Looping Fail(Wire Short I)

eac03bec-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

Looping Fail(Wire Short II)

Loop Base Bend

eaf05d04-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

Looping Fail(Wire Short III)

Excessive Loop

ebc1e52c-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

ebd99370-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

EOL– End of Line后段工艺

ebecadf2-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

EOL– Molding(注塑)

【Mold Compound】塑封料/环氧树脂

主要成分为:环氧树脂及各种添加剂(固化剂,改性剂,脱 模剂,染色剂,阻燃剂等);

主要功能为:在熔融状态下将Die和金丝等包裹起来,提供物理和电气保护,防止外界干扰;

存放条件:零下5°保存,常温下需回温24小时;

ec1baa8a-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

EOL– Molding(注塑)

ec308f54-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

为了防止外部环境的冲击,利用EMC把Wire Bonding完成后的产品封装起来的过程,并需要加热硬化。

ec650b58-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

EOL– Molding(注塑)

ec8acb5e-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

EMC(塑封料)为黑色/白色块状,低温存储,使用前需先回温。其特性为:在高温下先处于熔融状态,然后会逐渐硬化,最终成型。

Molding参数

Molding Temp:175~185°C;

Clamp Pressure:3000~4000N;

Transfer Pressure:1000~1500Psi;

Transfer Time:5~15s;Cure Time:60~120s;

EOL– Molding(注塑)

下压式注塑

ec9d87bc-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

EOL– Molding(注塑)

常見之Molding 缺陷

充填不良 ( Incomplete Fill )

黏膜 ( Sticking )

氣孔 ( Void/Blister )

金線歪斜 ( Wire Sweep )

晶片座偏移 ( Pad Shift )

表面針孔 ( Rough Surface in Pin Hole)

流痕 ( Flow Mark )

溢膠 ( Resin Bleed )

EOL– Post Mold Cure(模后固化)

ecbd6a3c-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

ecd22706-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

用于Molding后塑封料的固化,保护产品内部结构,消除内部应力。

Cure Temp:175+/-5°C;Cure Time:4—8Hrs

EOL– Laser Mark(激光打字)

ece326be-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

ecf8e792-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

EOL– Ball Attach 植球

ed14cf3e-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

EOL– Ball Attach 植球

ed76033a-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

ed9f5208-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

ee433684-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

ee551b92-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

ee69fc9c-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

EOL– Singulation

將整條CLAER 完畢之SUBSTRATE產品,切割成單顆的正式 BGA 產品

ee821c96-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

ee96de9c-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

EOL– Test 测试

根据测试程式检测产品的功能、元器件的连接情况等

ef78dfd6-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

EOL– Final Visual Inspection(终检)

ef8f17c4-f8f3-11ed-90ce-dac502259ad0.png

Final Visual Inspection-FVI

在低倍放大镜下,对产品外观进行检查。主要针对EOL工艺可能产生的废品:例如Molding缺陷,切单缺陷和植球缺陷等;

EOL– Packing 包装

按照一定的批次数量等 装箱出货

审核编辑:彭静
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • BGA
    BGA
    +关注

    关注

    4

    文章

    506

    浏览量

    46050
  • 封装工艺
    +关注

    关注

    3

    文章

    49

    浏览量

    7889

原文标题:BGA 封装工艺简介Introduction of BGA Assembly Process

文章出处:【微信号:半导体封装工程师之家,微信公众号:半导体封装工程师之家】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    BGA基板工艺制程简介

    BGA基板工艺制程简介
    发表于 11-16 10:12 865次阅读

    BGA基板工艺制程简介

    BGA基板工艺制程简介
    发表于 11-28 14:58 1304次阅读

    晶圆凸起封装工艺技术简介

    采用厚度150μm的晶圆以维持2:1的纵横比。  为了完成MOSFET功率放大器所需WLP封装工艺的开发,蓝鲸计划联盟的成员DEK和柏林工业大学开发出一种焊球粘植工艺,可在直径为6英寸的晶圆上以500
    发表于 12-01 14:33

    pcb封装工艺大全

    pcb电路板封装工艺大全
    发表于 03-14 20:46

    芯片封装工艺详细讲解

    本文简单讲解芯片封装工艺
    发表于 06-16 08:36

    【PCB封装工艺】低温低压注塑

    (1.5~40bar)将热熔胶材料注入模具并快速固化成型(几秒~几分钟)的封装工艺方法。非常适合应用于PCB印刷线路板封装。 低温低压注塑封装工艺优势: 环保阻燃(UL 94 V-0)防尘防水级别
    发表于 01-03 16:30

    【转帖】一文读懂BGA封装技术的特点和工艺

    的尺寸稳定性和低的吸潮性,具有较好的电气性能和高可靠性。金属薄膜、绝缘层和基板介质间还要具有较高的粘附性能。三大BGA封装工艺及流程一、引线键合PBGA的封装工艺流程1、PBGA基板的制备在BT树脂
    发表于 09-18 13:23

    BGA封装是什么?BGA封装技术特点有哪些?

    和基板介质间还要具有较高的粘附性能。  BGA封装技术通常采用引线键合、等离子清洗、模塑封装、装配焊料球、回流焊等工艺流程。引线键合PBGA的封装工
    发表于 04-11 15:52

    BGA封装工艺流程基本知识简介

    BGA封装工艺流程基本知识简介 基板或中间层是BGA封装中非常重要的部分,除了用于互连布线以外,还可用于阻抗控制及用于电感/电阻/
    发表于 03-04 13:44 6622次阅读

    新型封装工艺介绍

    文章介绍了几种新的封装工艺,如新型圆片级封装工艺OSmium 圆片级封装工艺,它能够把裸片面积减少一半;新型SiP封装工艺Smafti封装工艺
    发表于 12-29 15:34 82次下载

    芯片封装测试的流程你了解吗IC封装工艺详细PPT简介

    芯片封装测试的流程你了解吗IC封装工艺详细PPT简介
    的头像 发表于 05-12 09:56 2.9w次阅读

    透明封装工艺简介

    了解封装设备的原理,有助于设备的选型及灌胶工艺的深入了解,中汇翰骑小编给大家简单介绍下透明屏的封装工艺; SMD表贴工艺技术 SMD:它是Surface Mounted Devices
    发表于 12-15 17:41 1857次阅读

    什么是bga封装 bga封装工艺流程

    BGA (Ball Grid Array)-球状引脚栅格阵列封装技术,高密度表面装配封装技术。在封装的底部,引脚都成球状并排列成一个类似于格 子的图案,由此命名为
    发表于 08-01 09:24 1535次阅读
    什么是<b class='flag-5'>bga</b><b class='flag-5'>封装</b> <b class='flag-5'>bga</b><b class='flag-5'>封装工艺</b>流程

    LGA和BGA封装工艺分析

    LGA和BGA是两种常见的封装工艺,它们在集成电路封装中起着重要的作用。
    的头像 发表于 01-24 18:10 1066次阅读

    常见的BGA装工艺误区分享

    BGA装工艺中,存在关于铅相扩散不完整的误区。随着全球无铅工艺的普及,大多数BGA器件已采用无铅工艺,但由于特殊需求部分企业仍使用有铅制程
    的头像 发表于 04-28 09:50 75次阅读
    常见的<b class='flag-5'>BGA</b>混<b class='flag-5'>装工艺</b>误区分享