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使用NCP1623A设计紧凑高效的PFC级的关键步骤

安森美 来源:未知 2023-04-12 00:50 次阅读
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本文介绍了快速设计由 NCP1623 驱动的 CrM/DCM PFC的关键步骤中的定义关键规格功率级设计并以实际的 100W 通用电源应用为例进行说明,IC控制电路设计将在后续的推文中分享。

  • 最大输出功率:100 W

  • Rms 线路电压范围:90 V - 264 V

  • 调节输出电压:

  • 低压为 250 V(115V 电源)

  • 高压为 390 V(230V 电源)

NCP1623 具有多个选项,本文侧重于NCP1623A,它与其他版本的主要不同点在于输入电压跟随升压(follower boost)。NCP1623A 采用 SOIC8 TSOP6 封装,是一款极为紧凑的 PFC 控制器,可在整个负载范围内优化 PFC 级的效率。此外,它还集成了保护功能,以确保安全可靠地运行。一般而言,NCP1623A 适用于那些对成本效益、可靠性、高功率因数和效率比有着较高要求的系统:
  • 谷底同步频率折返:

NCP1623A 通常在临界导通模式 (CrM) 下运行,直到功率降至阈值水平以下。此时,PFC 级进入非连续导通模式 (DCM),死区时间会随着负载的进一步衰减而延长(频率折返)。不仅如此,这项创新技术还提供了稳定的谷底打开功能,以实现最大效率。此外,最小频率钳位(通常为 33 kHz)还可防止声频,并对导通时间进行调制,以确保 CrM 和 DCM 操作中的功率因数接近 1。
  • 紧凑性:

NCP1623A 采用了创新的 CS/ZCD 多功能引脚,该引脚可在具有少量外部组件的小型 TSOP6(或 SOIC8)封装中提供用于增强控制和保护的输入信号。此外,NCP1623A 在低压条件下会强制降低输出调节电平,以最大程度提高 PFC 级效率并减小其尺寸。这种 2 级输入电压跟随升压(follower boost)最适合那些下游转换器(如反激电源)能够以经济高效的方式承受输入电压变化的应用。
  • 低 VCC 启动阈值:

依照设计,NCP1623A 通常会在其 VCC 电压超过 10.5V 时启动,这使其非常适合那些控制器由外部电源(源自辅助电源或下游转换器)供电的应用。它的最大启动电压 (11.25 V) 设置得足够低,可以从传统的 12 V 导轨供电。启动后,较高的 VCC 最大额定值允许较大的工作范围 (9.5 V - 30 V),从而方便电路馈电。
  • 快速线路/负载瞬变补偿:

由于 PFC 级的调节环路带宽必须较低,因此负载或输入电压的突然变化(例如启动时)可能会导致过压或欠压。当输出电压过高时,过压保护会中断供电。当输出电压低于低检测阈值(动态响应增强器 (DRE))时,该电路会显著加快调节环路。此功能仅在 PFC 级启动后启用,以允许进行正常的软启动操作。
  • 安全保护:

系统会永久监控输入和输出电压、MOSFET 电流和芯片温度,以保护系统免受可能出现的过载,从而使 PFC 级不仅稳健,而且可靠。除 OVP 保护外,还提供了以下保护方法:

1)最大电流限制:电路会检测 MOSFET 电流。如果检测到的电流超过了设定的电流限值,则将其关断。此外,由于电感器饱和或旁路二极管短路等原因,当电流达到限值的 150% 时,电路将进入低占空比操作模式。

2)欠压保护:当反馈引脚电压 (VFB) 降至 300 mV 以下时,该电路将关断,并且在 VFB 超过 530 mV 之前一直保持关断状态。当在低压下启用输入电压跟随升压(follower boost)时,FB 引脚拉动 25 uA 电流 (IFB(LL)) 以调低输出电压,而 UVP 迟滞阈值则增大至 1.2/1.3 V。如果启动时交流线路过低或反馈网络出现故障(例如反馈引脚发生意外接地短路故障),此功能可保护 PFC 级。

3)冗余过压保护 (OVP2):CS/ZCD 多功能引脚用于检测过高的输出电压电平,并在反馈网络发生错误(电阻值错误、老化效应…)时防止破坏性输出电压失控。

4)热关断:当结温超过 150°C(典型值)时,内部热电路会禁用栅极驱动。一旦温度降至约 100°C(50°C 迟滞)以下,电路将恢复工作。
  • 便于制造和安全测试:

PFC 级的元件可能会因制造或处理事故、过大的操作应力或其他故障而导致意外短路、焊接不良或损坏。特别地,控制器的相邻引脚可能会短路、接地或连接不良。通常要求这种导通/关断的情况不会引起火灾、烟雾或噪音。NCP1623A 集成了增强功能,可协助在诸如引脚连接不当(包括 GND)或是升压或旁路二极管短路的情况下满足上述要求。

与 TSOP−6 版本相比,SOIC−8 选项还带有由 DIS 引脚控制的睡眠模式。该引脚上的高电平或开路会禁用控制器,并将 ICC 偏置电流降至 20 μA 以下(典型值)。此功能有助于满足苛刻的待机功耗要求。

475f4140-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

图 1:系统板的电路图

步骤 1:定义关键规格

  • 线路频率 fline

面向 50 Hz/60 Hz 应用。实际上,通常是在 47−63 Hz 的范围内指定该值。对于“保持时间”等的计算,必须考虑指定最低值。

  • 最低线路电压 (Vline,rms)LL

这是 PFC 级必须运行的最小 rms 输入电压。该值通常比最小典型电压(许多国家为 100 V)低 10−12%。我们将取:(Vline,rms)LL 90 V。

  • 最高线路电压 (Vline,rms)HL

这是最大 rms 输入电压。它通常比最大典型电压(许多国家为 240 V)高 10%。我们选择:(Vline,rms)HL 264 V。

  • 标称电压 Vout,nom

这是高压线调节电压。Vout,nom 必须高于 (√2 · (Vline,rms)HL )。我们的目标值是 390 V。

  • 低压线输出电压 Vout,LL

NCP1623A 输入电压跟随升压(follower boost)功能提供了在低压下选择较低调节电压的能力,以实现 PFC 级的尺寸和效率优化。该值通常被设置为略高于高压检测阈值。我们的目标值是 250 V。

  • 磁峰-峰值输出电压纹波 ( Vout)pk−pk

此参数通常以输出电压的百分比来指定。必须选择等于或低于 6% VFB 磁峰-峰值纹波,以免在正常操作中触发动态响应增强器 (DRE)。

  • 保持时间 tHOLD−UP

此参数指定在线路压降期间输出保持有效的时间。通常指定单线周期。此要求需要了解 PFC 级输出上为确保应用正常运行所需的最小电压 (Vout,min )。我们已经假设 (Vout,min = 180 V) 足够高,可以向下游转换器提供足够的输入电压。

  • 输出功率 Pout

这是 PFC 负载的功耗。

  • 最大输出功率 Pout,max

这是最大输出功率,在我们的应用中为 150W。

  • 最大输入功率 (Pin,avg)max

这是在正常运行时可以从电源获取的最大功率。该值是在满载、低压条件下获得的。假设在这些条件下的效率为 95%,我们将使用:

4772ac58-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png 477c5762-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式1)

步骤 2:功率级设计

在重载条件下,NCP1623A 将于临界导通模式 (CrM) 下运行。因此,电感器、大容量电容和功率硅器件的尺寸通常与其他 CrM PFC 的相同。本章不会详细说明这一过程,而是强调几个关键点。

PFC 电感器

电路的导通时间受到内部限制。PFC 级可以提供的功率取决于电感器,因为 L 值将确定给定导通时间的电流上升。具体而言,以下公式给出了 PFC 级的功率能力:

479062d4-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式2)

电感器越小,PFC 级的功率能力就越高。因此,L 必须足够低,以便可以在最低线路电平下提供全功率:

479fda02-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式3)

与传统的 CrM 应用一样,以下公式给出了其他重要参数:

  • 最大峰值电流:

47ab1048-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式4)

  • 最大 rms 电流:

4772ac58-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png47c8a752-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式5)

在我们的应用中,电感器必须满足以下要求:

47d8d7c6-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式6)

Ton,max(典型值为 12.5 μs)的最小值为 10.8 μs,将用在公式 6 中,因为这是计算 L 时的最坏情况。建议选择比公式 6 返回的电感值至少小 25% 的电感值,以获得充足的裕量。为了系统的紧凑性,选择的是 200 μH 电感器。它由用于零电流检测的 10:1 辅助绕组组成。可以看到,CrM 操作中的开关频率取决于电感器值:

47e5e0ec-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式7)

例如,在低压、满载(正弦曲线顶部)条件下,开关频率为:

47f9e704-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式8)

上述计算对应的低压调节电压为 250 V。

在实际设计中,PFC 输出功率在输入电压过零点时不理想,因此实际导通时间将延长,以调节所需的负载。与公式 4、公式 5 和公式 7 中的计算结果相比,随着导通时间的延长,电感器峰值和 rms 电流会升高,而开关频率则降低。因此,建议在公式中增加至少 20% 的裕量。

功率器件

一般而言,二极管桥和功率开关被置于同一散热器上。根据经验,可以估算散热器必须满足如下散热目标:

  • 在多电源应用中,约为输出功率的 4%(95% 通常是目标最低效率)

  • 在单电源应用中,约为输出功率的 2%。在我们的多电源应用中,大约需要消散 4 W 的热能。在该热能的损失源中,可以列出:

  • 二极管桥的导通损耗可通过以下公式来估算:

    481126f8-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式9)

    其中 Vf 是桥式二极管的正向电压。

  • MOSFET 导通损耗由下式给出:

    4823970c-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式10)

在我们的应用中,采用的是:

  • Pbridge = 2.1 W(假设 Vf 为 1 V)。

  • (Pon)max = 1.03 · RDS(on) W。假设 RDS(on) 在高温下加倍,因此最大导通损耗约为 2.6 · RDS(on) W。

开关损耗不易计算,我们不作预测。相反,根据经验,我们会假设损耗预算等于 MOSFET 导通的损耗预算。实验测试将检验它们是否低于估算值。

升压二极管是以下导通损耗的来源:IOUT · Vf,其中 IOUT 是负载电流,而 Vf 是二极管正向电压。在低压条件下(调节电平设置为 250V 时),最大输出电流为 0.4A,二极管导通损耗在 0.4W 范围内(假设 Vf= 1 V)。PDIODE = 0.4 W。

PFC 输出大容量电容

在定义大容量电容时,通常主要有三个标准/约束:

  • 磁峰-峰值输出电压纹波:

4772ac58-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png4834b4f6-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式11)

其中 (ω = 2π · fline ) 是线路频率。

磁峰-峰值 FB 引脚电压纹波 (δVFB)pk−pk 通常低于 FB 参考电压 (VREF= 2.5 V) 的 ±3%(6% 磁峰-峰值),以免在正常操作中在良好的裕量下触发 OVP 和 DRE 功能。反馈电阻分压比由下式给出:

483e83c8-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式12)

因此,磁峰-峰值 FB 电压为:

4772ac58-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png484e11d0-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式13)

由此,在 47 Hz 线路频率下,将 VFB 纹波限制在 6% 的最小 CBULK 为:

4862bde2-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式14)

  • 保持时间的规格:

4875a196-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式15)

其中,保持时间为 10 ms。

Rms 电流取决于负载特性。假设知道电阻负载,我们可以推导出其大小的以下近似表达式:

488bae46-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式16)

在我们的应用中,采用的是:

489b3578-d888-11ed-bfe3-dac502259ad0.png(公式17)

点个星标,茫茫人海也能一眼看到我

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