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基于晶体管的继电器驱动电路设计

CHANBAEK 来源:中工逐鹿智能车队 作者:中工逐鹿车队 2023-03-17 15:00 次阅读

继电器驱动电路可以用晶体管实现,如图1所示。一般来讲,继电器控制的发作源,来自于数字电路,比如处理器或者FPGA,它一定是一个逻辑高低电平,图中用一个非门表示其为数字量,非门的供电电压为VDD。其输出电平中,高电平会略低于VDD,低电平会略高于0V,且其输出电流能力有限。关于此段话,可以参考数字电子技术课本。

poYBAGQUDLGAMIADAAA7S8iTLkY249.png

图1 继电器驱动电路模型

电路工作原理为:当数字信号uCON为低电平,约为0~0.4V,此电压不足以打通晶体管的发射结,晶体管处于截止状态,图中的RCoil,即继电器的线圈,没有电流流过,则继电器的触点保持在自然状态:对单刀单掷型,为常闭或者常开,对单刀双掷型,为接到左边或者右边,如图所示。当数字信号uCON为高电平,约为2.4V以上,此电压足以打通晶体管的发射结,且iB足够大,使得晶体管处于饱和状态,继电器的线圈上会流过晶体管饱和电流,触点就产生了吸合动作。

为了实现这个电路,我们需要知道继电器的关键参数:额定电压URT和额定电流IRT、或者线圈电阻RCoil。然后根据晶体管的β和集电极最大电流IMAX,选择合适的电阻即可。具体方法是:

1)选择供电电压VCC=继电器额定电压URT;

2)选择晶体管集电极最大电流IMAX远大于继电器额定电流IRT,且C、E击穿电压VCEO大于供电电压VCC;

3)计算临界饱和基极电流IBcrt:

pYYBAGQUDMWAPka6AAAGe8Q0ClE123.png

4)根据戴维宁等效,可将输入控制电压uCON和两个电阻分压演变成开路电压和串联电阻的形式,实际基极电流约为:

pYYBAGQUDN6Ae51pAAAZzHvUyQM284.png

5)选择合适的电阻R1、R2,实现如下要求:

poYBAGQUDO6AJlHHAAAUTUJYfS8281.png

即,迫使晶体管进入深度饱和状态。

对此电路,有如下几点解释:

第一,并联于继电器线圈的二极管,叫续流二极管,其作用在于线圈由通电状态突然变为断电状态时,由于线圈存在较大电感,电流不能突变,如果没有二极管,极高的di/dt会产生一个较大的电压,引起空间干扰。这对电路周边影响不好。有了这个二极管,在正常工作时,它反接不通,在突变时,能够让线圈中的电流,在无法流过晶体管时,从二极管流回线圈,进而抑制线圈中的电流突变。

第二,电路中选用两个电阻分压驱动发射结。按说,仅使用R1就可以了。增加电阻R2,能够保证前端控制信号脱接时,即R1左侧浮空时,晶体管基极不会出现浮空。对晶体管来说,浮空的基极是容易引入干扰的。另外,控制器发出的低电平,有时比0V要大,比如0.4V,这样的结构有助于保证低电平时晶体管的完全关断。

下面来设计一个单片机驱动电路中经常用到的典型电路,要求如下:数字控制信号来自3.3V供电的单片机STM32F103(电赛中经常用到的CPU)之GPIO口,继电器为G6A单稳标准型,5V额定电压,为它设计一个驱动电路。

解:首先查阅STM32F103数据手册,可知在此供电情况下,单片机输出高电平最小值为2.4V,输出电流不小于8mA,输出低电平最大值为0.4V,输出电流不小于8mA。其次,查阅G6A数据手册,可知5V额定电压型的额定电流为40mA,即其线圈电阻为125Ω。以下开始设计。

1)选择供电电压为5V。

2)由于继电器额定电流为40mA,供电电压为5V。对绝大多数晶体管来说,都有100mA以上的最大电流,以及几十V的VCEO,因此几乎无需选择。

据此设计电路基本结构如图2所示,用Multisim仿真软件仿真实现,把继电器的线圈电阻设置为125Ω

pYYBAGQUDQaAdrumAACAa1LPR3Q436.png

图2 驱动电路仿真图(低电平时)

图中用开关S1表示单片机发出的高低电平,选用的晶体管为2N2222A,这是一个小信号通用晶体管,我们实验室经常用,期末课设就用它。其数据手册截图如下:

pYYBAGQUDRqARTs2AACIMN0rIPQ347.png

由上面截图可知,反向击穿电压50V,而供电电压只有5V,最大电流800mA,实际额定电流为40mA,因此安全。晶体管功耗为环境温度25℃时不超过500mW,而实际工作时,晶体管导通时电流为40mA,C/E压降约为0.5V以下,功耗不超过20mW,晶体管关断时功耗更小。因此,选择2N2222A是合适的。

继续查阅2N2222A数据手册,可知其β大于100。据此可选择电路中的电阻。

先计算临界饱和电流:

poYBAGQUDSuAfm4EAAASvYwL1xw514.png

假设两个电阻相等,计算控制电压高电平时的基极电流为:

pYYBAGQUDT-AVZPrAAAgp-xWa30538.png

要保证此电流大于2~5倍的IBcrt,即0.8mA~2mA,R需小于1250Ω,设计中选择R=1kΩ。

poYBAGQUDU6AMIV5AACERujDTaU702.png

图3 高电平时的各点电流

对此电路实施仿真,测得如下结果。

1)低电平输入时,VF1=0.4V, VF3=0V,说明继电器触点处于关断状态(常开型),VF2=5V,A1=9.75pA,A2=88.9pA,说明晶体管处于截止状态。

2)高电平输入时,VF1=2.4V, VF3=12 V,说明继电器触点处于导通状态(常开型吸合状态),VF2=0.125V,A1=915uA,AM2=48.8mA,说明晶体管处于饱和导通状态,而继电器线圈流过电流接近额定电流40mA(仿真模型与实际电路有略微差别)。进一步测量控制源输出电流,约为1.6mA,这说明本电路取用电流小于单片机能够提供的8mA输出电流,也是安全的。

至此,设计完毕,此类电路在单片机的驱动电路中非常常见,且R2经常省略,现在来看,在实际应用中R2还是不要省略的好,有利于提高电路的抗干扰能力!

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