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MCU芯片的Memory Bist设计实战(一)

全栈芯片工程师 来源:全栈芯片工程师 2023-02-08 16:09 次阅读
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SRAM的MBIST测试结构如下:

dbefbc0a-a786-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

SRAM的MBIST测试波形:

dbfea2ce-a786-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

SRAM BIST电路完成插入后,需要做一个formal check,保证Mbist插入后,logic function不发生错误改变。Formal check需要注意常量设置,具体参见知识星球的详细解释。

dc0dfce2-a786-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

此处分享2个经典问题:

定位1:

dc1ab81a-a786-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

通过trace TDO信号,一直追踪到SRAM的Q端,发现Q端数据输出是X态,通过分析发现本质上还是时钟问题,什么问题呢?

就是SRAM MBIST_CLK延时下来刚好和SRAM测试地址TADDR的跳变完全对齐了,造成了SRAM的memory model的建立/保持时间违例,SRAM model在timing违例情况下Q端输出为X态。下文具体内容请移步知识星球查看。

欢迎加入【全栈芯片工程师】知识星球,手把手教你设计MCU图像传感器、ISP图像处理,从算法、前端、DFT到后端全流程设计。

实战MCU+ISP图像处理芯片版图

dc2a1008-a786-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

实战ISP图像算法效果

dc3eb3d2-a786-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

审核编辑 :李倩

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原文标题:MCU芯片的Memory Bist设计实战(一)

文章出处:【微信号:全栈芯片工程师,微信公众号:全栈芯片工程师】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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