0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

为什么PCB电路设计中加0.1uF和0.01uF电容,什么作用?

哈哈hfgfdf 来源:嵌入式学习资料 作者:嵌入式学习资料 2022-12-13 16:30 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

01旁路和去耦

旁路电容(Bypass Capacitor)和去耦电容(Decoupling Capacitor)这两个概念在电路中是常见的,但是真正理解起来并不容易。

要理解这两个词汇,还得回到英文语境中去。

Bypass在英语中有抄小路的意思,在电路中也是这个意思,如下图所示。

54b087c6-7ac0-11ed-abeb-dac502259ad0.jpg

couple在英语中是一对的意思,引申为配对、耦合的意思。如果系统A中的信号引起了系统B中的信号,那么就说A与B系统出现了耦合现象(Coupling),如下图所示。而Decoupling就是减弱这种耦合的意思。

02电路中的旁路和去耦

如下图中,直流电源Power给芯片IC供电,在电路中并入了两个电容。

54bad9d8-7ac0-11ed-abeb-dac502259ad0.jpg

1)旁路

如果Power受到了干扰,一般是频率比较高的干扰信号,可能使IC不能正常工作。

在靠近Power处并联一个电容C1,因为电容对直流开路,对交流呈低阻态。

频率较高的干扰信号通过C1回流到地,本来会经过IC的干扰信号通过电容抄近路流到了GND。这里的C1就是旁路电容的作用。

2)去耦

由于集成电路的工作频率一般比较高,IC启动瞬间或者切换工作频率时,会在供电导线上产生较大的电流波动,这种干扰信号直接反馈到Power会使其产生波动。

在靠近IC的VCC供电端口并联一个电容C2,因为电容有储能作用,可以给IC提供瞬时电流,减弱IC电流波动干扰对Power的影响。这里的C2起到了去耦电容的作用。

03为什么要用2个电容

回到本文最开始提到的问题,为什么要用0.1uF和0.01uF的两个电容?

电容阻抗和容抗计算公式分别如下:

54ca85f4-7ac0-11ed-abeb-dac502259ad0.png

容抗与频率和电容值成反比,电容越大、频率越高则容抗越小。可以简单理解为电容越大,滤波效果越好。

那么有了0.1uF的电容旁路,再加一个0.01uF的电容不是浪费吗?

实际上,对一个特定电容,当信号频率低于其自谐振频率时呈容性,当信号频率高于其自谐振频率时呈感性。

当用0.1uF和0.01uF的两个电容并联时,相当于拓宽了滤波频率范围。


审核编辑 黄昊宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • pcb
    pcb
    +关注

    关注

    4417

    文章

    23967

    浏览量

    426190
  • 电容
    +关注

    关注

    100

    文章

    6526

    浏览量

    160108
  • 电路设计
    +关注

    关注

    6746

    文章

    2798

    浏览量

    220264
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    MC9S12UF32系统级芯片全方位解析

    MC9S12UF32系统级芯片全方位解析 引言 在当今的电子设备设计领域,微控制器单元(MCU)扮演着至关重要的角色。MC9S12UF32作为一款USB2.0设备,专为存储卡读卡器和ATA
    的头像 发表于 04-09 15:40 117次阅读

    电源电容作用

    、100nF等。 4.去耦:当数字电路的状态发生改变时,会在电源线上产生一个尖峰电流,形成瞬变的噪声电压,会影响前级的正常工作,这就是耦合。去藕电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路
    发表于 01-21 07:41

    USB接口外壳地和信号地间处理

    USB外壳地和信号地之间串接1M电阻,并且还接一个0.01uf电容到信号地,能否将一下这样处理的原理和目的: 1.将影响外壳的噪音滤除,不影响信号地; 2.迫使板子上电流是流入内部的信号地,而不是流到外壳。
    发表于 12-04 06:36

    onsemi UF3N120007K4S SiC JFET晶体管的特性与应用解析

    在电子工程领域,功率半导体器件的性能对电路设计和系统性能有着至关重要的影响。今天,我们来详细探讨一下安森美(onsemi)的UF3N120007K4S碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET),看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。
    的头像 发表于 11-26 15:47 583次阅读
    onsemi <b class='flag-5'>UF</b>3N120007K4S SiC JFET晶体管的特性与应用解析

    合粤贴片铝电解电容 22UF25V 4*5.4缩小体电容小体积SMD封装

    :合粤贴片铝电解电容22UF25V 45.4缩小体电容采用了小体积的SMD封装,尺寸为45.4mm,相比传统电容,体积显著缩小,有助于节省PCB
    的头像 发表于 11-17 15:32 542次阅读
    合粤贴片铝电解<b class='flag-5'>电容</b> 22<b class='flag-5'>UF</b>25V 4*5.4缩小体<b class='flag-5'>电容</b>小体积SMD封装

    ADC采样值不准的排查方法

    和地: ADC 部分的模拟电源和地是否足够干净?建议使用滤波电容(如 0.1uF + 10uF),模拟地和数字地单点连接。 4、信号调理: 输入信号是否在 ADC 量程范围内?是否需要前端缓冲、滤波
    发表于 11-14 07:27

    1法拉电容等于多少uf电容

    文章总结:电容单位从法拉到皮法递进,微法用于电源滤波、电机启动等,纳法用于EMI抑制,皮法用于晶振匹配,强调单位换算与实际应用的对应关系。
    的头像 发表于 10-19 09:26 2565次阅读
    1法拉<b class='flag-5'>电容</b>等于多少<b class='flag-5'>uf</b><b class='flag-5'>电容</b>

    TOKYO SEIMITSU UF 系列二手探针台 UF2000|现场验机测试服务

    一、引言 在半导体测试设备市场中,东京精密 TOKYO SEIMITSU UF 系列的 UF2000 探针台以其稳定的性能和广泛的适用性,成为中小规模测试场景的优选设备。海翔科技提供的二手
    的头像 发表于 09-13 11:05 1621次阅读

    STM8S005K6T6芯片内部时钟空间辐射倍频尖刺干扰怎么解决?

    使用STM8S005K6T6芯片,时钟配置为内部高速RC,芯片电源加0.1uf和1nf滤波电容,测试空间辐射,在200MHz附近出现内部时钟倍频尖刺导致实验无法通过,有什么好的整改方案?请大神指点
    发表于 07-31 07:51

    大容量电容充电问题

    大家好,我一直困惑原理图里R68的作用,一直以为是充电电阻,但是又有人说是泄放电阻,这个实际选型是200R3W的绕线电阻,接入560uF的这个电容,在实际使用过程中有小的概率R68会烧毁。现在由于
    发表于 07-29 14:26

    高压贴片电解电容器 JVD 400V 4.7UF 8*10.5:电子领域的可靠伙伴

    高压贴片电解电容器 JVD 400V 4.7UF 8*10.5:电子领域的可靠伙伴 在现代电子技术飞速发展的浪潮中,电子元件如同构建精密大厦的基石,每一种都有着不可或缺的作用。其中,高压电解
    的头像 发表于 07-07 17:20 1100次阅读
    高压贴片电解<b class='flag-5'>电容</b>器 JVD 400V 4.7<b class='flag-5'>UF</b> 8*10.5:电子领域的可靠伙伴

    为什么LTM4650A在12V转1V时需要接100uF*8+470uF*4这么大的电容量?

    为什么LTM4650A在12V转1V时需要接100uF*8+470uF*4这么大的电容量,而在12V转5V的情况下只需要100uF*16。再者用470
    发表于 06-20 06:32

    芯片附近0.1uF电容作用

    ),比如 LM1117。 5V转3.3V的电路: LDO 比 DC-DC 的方式(TPS5430)更能提供稳定的电压,但对芯片来说依旧不够,我们需要在芯片供电引脚旁边加上 0.1uF 的去耦电容,让
    发表于 06-17 14:06

    104贴片电容选型

    104贴片电容,其电容值为100nF(或0.1uF),广泛应用在各种电子电路中。以下是关于104贴片电容的选型建议: 一、类型选择 104贴
    的头像 发表于 05-21 15:42 2707次阅读
    104贴片<b class='flag-5'>电容</b>选型

    查看an70707文档,为什么它的指导电源电容器使用0.01uf0.1uf电容器?

    (C11) 0.01 μF 和 0.1 μF 阅读指南文档后,我认为一定有一些重要的原因,但是当我查看SuperSpeed_Explorer_Kit的bom文件时,它使用了公差为10%的电容器。 从我的角度来看,使用两个
    发表于 05-14 08:26