逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构适用的MOS管：FHP3710C管型更匹配！

逆变器整体的企业发展趋势在不断增强，2022年仅1-9月国内新增光伏装机容量52.6GW，接近去年全年水平。发展如此迅猛，如何选择一款好的MOS管应用于逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构中呢?

在市场中，IRF3710PBF场效应管型号参数是有常用于逆变器的Q1-Q2组成推免拓扑结构中的，而在国产化的替代型号中，建议可选FHP3710C型号进行替代使用。究竟为何呢?

我们可从三个角度进行分析为什么推荐FHP3710C场效应管用于逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构?

一、FHP3710C场效应管产品质量优，供货稳定

飞虹这款优质FHP3710C国产场效应管的产品参数：其具有57A、100V的电流、电压，RDS(on) = 23mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) = 18mΩ(TYP) @VGS = 10 V，最高栅源电压@VGS =±20 V。

纯国产制造，具有100% EAS测试，100% DVDS测试，高EAS雪崩能量，可靠性高,抗冲击性能强的特点。

FHP3710C的封装形式是TO-220。这款产品参数：VTH(V)：2-4;ID(A)：57A;BVdss(V)：100V、Vgs(±V)：20;。

二、FHP3710C场效应管产品应用专业，针对性强

FHP3710C为N沟道增强型场效应晶体管，采用plane平面工艺来获得抗浪涌冲击能力强特点,可使用在音响功放、逆变器、UPS等应用场景。可替代场效应管品牌型号：IRF3710PBF。

在具体的应用中，飞虹电子还可依据逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构厂商的不同产品定制对应的MOS管产品使用方案。

三、厂商专注且可信赖度高

FHP3710C型号的MOS管是由国内已经专注研发20年的MOS管厂家生产，它是可以代换IRF3710PBF等型号参数的场效应管。

飞虹半导体工厂曾多次被认定为广东省高新技术企业、功率MOSFET被认定为广东省高新技术产品。

通过三点描述，相信大家都清楚FHP3710C型号是非常适合在逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构的电路中使用。

除参数适合外，飞虹的工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

审核编辑：汤梓红