Device Studio亮点功能介绍-电子发烧友网

Device Studio（简称：DS）作为鸿之微的材料设计与仿真软件，能够进行电子器件的结构搭建与仿真；能够进行晶体结构和纳米器件的建模；能够生成科研计算软件 Nanodcal、Nanoskim、MOMAP、RESCU、DS-PAW、BDF、STEMS、TOPS、PODS、VASP、LAMMPS、QUANTUM ESPRESSO、Gaussian的输入文件并进行存储和管理；可以根据用户需求，将输入文件传递给远程或本地的计算机进行计算，并控制计算流程；可以将计算结果进行可视化显示和分析。

上一期的教程给大家介绍了Device Studio亮点功能7.4-7.6的内容，本期继续介绍Device Studio亮点功能7.7-7.9的内容。

7.7.VASP差分电荷密度的可视化分析

Device Studio具有VASP差分电荷密度可视化分析功能。以Si16O32晶体结构的差分电荷密度可视化分析为例，在Device Studio的图形界面中，点击Simulator→VASP→Analysis Plot，弹出导入Si16O32晶体结构CHGCAR文件的界面如图7.7-1所示，点击图7.7-1中的打开按钮，则弹出Si16O32电荷密度CHGCAR的3D可视化分析界面如图7.7-2所示。

图7.7-1: 导入Si16O32晶体结构CHGCAR文件的界面

图7.7-2: Si16O32电荷密度CHGCAR的3D可视化分析界面

在如图7.7-2所示的界面中，点击Edit data按钮弹出Editdata界面，点击界面中Import data按钮，分别导入O32和Si16的CHGCAR文件，Operation栏可通过下拉按钮选择-号如图7.7-3所示，点击Editdata界面中的Ok按钮，则Si16O32差分电荷密度的3D可视化分析界面如图7.7-4所示。

图7.7-3: Editdata界面

图7.7-4: Si16O32差分电荷密度的3D可视化分析界面

在如图7.7-4所示界面中点击2D按钮则切换为Si16O32差分电荷密度的2D可视化分析界面如图7.7-5所示。点击图7.7-5所示界面中的1D按钮则切换为Si16O32差分电荷密度的1D可视化分析界面如图7.7-6所示。

图7.7-5: Si16O32差分电荷密度的2D可视化分析界面

图7.7-6: Si16O32差分电荷密度的1D可视化分析界面

对于Si16O32差分电荷密度的2D可视化分析界面，用户可通过调节Value Control模块的xAixs和yAixs参数对2D视图进行扩胞，如把xAixs和yAixs参数的Max值均调节为2，则扩胞后的Si16O32差分电荷密度的2D可视化分析界面如图7.7-7所示。

图7.7-7:扩胞后的Si16O32差分电荷密度的2D可视化分析界面

7.8.任务监控与管理区域

Device Studio 2020B优化了任务监控与管理区域Job Manager，其中集成了PuTTY、WinSCP模块如图7.8-1所示，支持自由配置服务器参数、目录、脚本、命令，支持任务状态自动刷新，断网提醒等。对于任务监控与管理区域Job Manager如何配置连接服务器可参考Nanodcal连接服务器节内容。

图7.8-1: Device Studio 2020B的任务监控与管理区域

若任务计算完成，点击Job Manager中Action下的下载按钮弹出下载计算结果的界面如图7.8-2所示，点击界面中的Download则可下载，下载后可在软件的Project Explorer区域查看到该结果文件。另用户可通过点击图7.8-1中的PuTTY、WinSCP的图标连接Device Studio已连接的服务器分别如图7.8-3和7.8-4。

图7.8-2: Device Studio 2020B的任务监控与管理区域下载计算结果的界面

图7.8-3:PuTTY连接服务器界面

图7.8-4:WinSCP连接服务器界面

7.9.与鸿之微云全面对接

Device Studio作为鸿之微云客户端的入口之一，已实现与鸿之微云的全面对接。用户通过鸿之微云账号可随时、随地登录并使用Device Studio，鸿之微云可将用户在本地Device Studio上创建的项目文件自动实时增量同步备份到云端存储如图7.9-1所示，在鸿之微云上，用户可对项目文件进行复制、移动、删除和重命名等操作，并可通过群组共享管理功能将科研数据、科研资料及科研成果在组员之间共享，实现科研数据共享，提高科研协同效率。本地电脑上的Device Studio可拉回并打开存储在鸿之微云上的项目文件如图7.9-2所示。