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森国科碳化硅二极管助力“中国芯”创新发展

森国科 来源:森国科 作者:森国科 2022-06-28 15:20 次阅读

近日,由电子研习社主办的《第三届国产半导体技术大会》成功举办,现场邀请了千余名半导体领域的资深教授讲师和各大知名企业CEO、高管及工程师们共聚于此,聚焦当下国产第三代半导体的发展热点,一同探索最新技术、剖析前沿方案,强势助力“中国芯”创新发展。

活动当天,森国科董事长&CEO杨承晋先生作为特邀嘉宾出席本次大会,并作了《碳化硅功率器件助力低碳时代,打造绿色芯动力》的主题分享,现场反响热烈,工程师们积极提问与杨总一同探讨了碳化硅二极管的性能特性及如何应用于多样化的新能源和消费场景中去。

SiC作为第三代宽禁带半导体材料之一,具有了高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,因而碳化硅功率器件可以满足新能源汽车、光伏逆变器、充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源等多个应用领域对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

大会现场,森国科携多款碳化硅二极管产品亮相,包含了SMA到TO-247以及内绝缘的TO-220AC等不同的封装样式,引起了工程师们的高度关注。在产品设计与交付上,森国科始终保持严谨的态度和进行安全合规的测试,保障应用的可靠性,持续赋能合作伙伴。

关于森国科

深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事碳化硅(SiC)功率器件设计及销售的国家高新科技企业,总部设在深圳。现主营的第五代650V和1200V TMPS(Thinned MPS) 碳化硅二极管经过了市场的严格验证,良率高达97%以上,实现了大规模量产。该系列SiC产品以其优于硅基产品的特性,可广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源等多个应用领域。

凭借出众的设计能力和广阔的发展前景,森国科得到了资本市场的青睐与关注。未来,森国科将会继续致力于以创新和国产替代为己任,持续赋能合作伙伴,提供高性价比绿色“芯”动力,加速成长为全球领先的功率半导体公司!

原文标题:助力中国“芯” | 森国科亮相第三届国产半导体应用技术大会

文章出处:【微信公众号:森国科】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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    FFSD0465A SiC二极管 - 650V 4A DPAK

    硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-04 15:02 133次 阅读

    FFSB10120A SiC二极管 1200V 10A D2PAK

    硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 雪崩额定200 mJ 无逆向恢复/无正向恢复 易于并行 高浪涌电流容量 正温度系数 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-04 15:02 227次 阅读

    FFSB20120A SiC二极管 1200V 20A D2PAK

    硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 雪崩额定200 mJ 高浪涌电流容量 正温度系数 易于平行 无逆向恢复/无正向恢复 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-04 15:02 230次 阅读

    FFSD1065A SiC二极管 - 650V 10A DPAK

    硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-04 14:02 215次 阅读

    FFSH1665A SiC二极管 - 650 V 16 A.

    硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-04 14:02 229次 阅读

    FFSB1065A SiC二极管 - 650V 10A D2PAK

    硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-04 14:02 223次 阅读

    FFSB0465A SiC二极管 - 650V 4A D2PAK

    硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-04 13:02 134次 阅读

    FFSB0865A SiC二极管 - 650V 8A D2PAK

    硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-04 13:02 186次 阅读

    FFSM0465A SiC二极管 - 650V 4A PQFN88

    硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-04 12:02 193次 阅读

    FFSB1265A SiC二极管 - 650V 12A D2PAK

    硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-04 12:02 308次 阅读

    FFSB0665A SiC二极管 - 650V 6A D2PAK

    硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-04 12:02 211次 阅读