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芯片级别静电防护设计的挑战及应对策略

AkroStar-Tech 来源:芯耀辉科技 作者:芯耀辉科技 2022-05-23 16:12 次阅读

引言

近年,随着半导体工艺技术的持续发展,大量手机、物联网、人工智能、高性能计算等领域所应用的专业芯片陆续采用FinFET先进工艺来实现,以满足高性能设计需求。面对先进工艺技术、高复杂度产品设计等方面的挑战,如何保证产品达成静电防护能力的需求指标?本文将分享芯耀辉静电防护团队的经验及应对策略。

先进工艺带来的挑战

芯片级别的静电防护,我们通常是指HBM(人体放电模式),MM(机器放电模式)和CDM(充电放电模式),其中MM在JESD22-A115标准中不再推荐测试。对于HBM/CDM传统的设计方式是为被防护的内部电路(例如Gate Oxide)添加静电防护电路(例如GGNMOS ESD device),这些位于IO pad或者内部电路的防护器件通常具备相比Gate oxide Breakdown Voltage(Vbox)较低的开启电压(Vt1),并留有一定的电压安全余量,以保证内部电路的安全,如下图1所示。

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图1:GGNMOS TLP IV-Curve&防护窗口

如下图2实际管脚的TLP IV curve图所示,可以看到GGNMOS在Vt1=8V左右触发防护,并且提供了It2=2.0A左右的防护能力,根据HBM静电放电模型(R=1.5KΩ),大致可以推算等效HBM 3KV(2A*1.5K=3KV)的HBM静电防护能力。

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图2:实测GGNMOS TLP IV-Curve

28nm以下的先进工艺,器件channel length/oxide厚度持续缩减,对应的Breakdown电压也一再持续降低。过往0.35um~40nm工艺时代,无论IO器件或是相对脆弱的Core器件,尽管Vgs breakdown/Vds breakdown电压持续走低,但其特性基本都延续了Vgs_bv> Vds_bv的趋势,并且保留了一定的安全设计余量,使得静电放电事件发生时,防护器件可以比被防护器件更先启动,达成保护被防护器件的功能。

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图3:成熟工艺节点Breakdown Voltage

(来源:Industry Council on ESD Target Levels)

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图4:FinFET高级工艺节点Breakdown Voltage

然而来到FinFET工艺时代,如图4所示,Vds/Vgs Breakdown电压不仅降低到3.0V附近,远低于65nm时代的6V,并且Vgs breakdown/Vds breakdown已经非常接近,“安全余量”窗口消失不见了,这就使传统的防护结构特别是CDM防护受到了挑战。

芯耀辉静电防护设计团队基于测试结构表现的实际Silicon数据、静电防护和电路设计,通过防护器件选型、防护电路结构调整等方面的共同创新,达到促进防护器件提前Breakdown、降低被防护器件在放电发生时遭受的电压降、恢复具备足够余量的“安全窗口”,从而使得基于FinFET工艺的IP拥有了几乎接近成熟工艺的表现,并且不会带来漏电或者过大面积的开销。

TEST-TO-FAIL”的理念也深入贯彻在芯耀辉的静电防护设计中。通常芯片级ESD测试按照JEDEC或者AECQ-100的标准执行完成后,出于测试芯片数量或者成本的考虑,静电防护测试就算完成了。但芯耀辉静电防护团队的测试方案不会止步于此,秉承“TEST-TO-FAIL”的理念,团队会尽力收集每类实测结构的最大值。如图5所示,例中的芯片CDM+500V下,某一管脚放电波形Ipeak可以达到6A。有些尺寸较小的芯片CDM+500V对应的放电电流可能只有1~2A,如仅简单复用1~2A 的方案,6A 产品将无法达标。得益于“TEST-TO-FAIL”的测试支出带来的数据积累,静电设计人员在项目开始之初就能选用合适的设计规格,确保IP开发的成功。

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图5:CDM测试电流

高度集成SoC的复杂度

所带来的挑战

先进的SoC芯片不仅采用FinFET高级工艺以持续提升产品性能和竞争优势,而且集成度、复杂度也越来越高,如图6为芯耀辉科技的一款测试芯片Ball POD,就具备几百个Ball。

ESD需要处理众多不同Ball间跨电压域的防护问题,相比单一器件级的产品会复杂很多。

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图6:测试芯片Ball POD

系统级静电防护

设计带来的挑战

SoC芯片组装系统后,按照IEC-61000-4-2标准进行电子枪接触放电或者空气放电测试的时候,还会有芯片重启、芯片管脚电路烧坏等现象出现,有些现象可以通过串联外接电阻,并联TVS防护器件解决。传统的防护观念认为这是系统级别防护的问题,需要系统级别进行优化。但在芯片设计阶段也应有相应的方式给予提升,比如在芯片FloorPlan设计阶段,可以对于芯片敏感信号例如CLOCK/Reset信号进行隔离,IO/ESD单元库设计阶段对特定管脚提高耐压度等,可以使得系统级别实现达标更为容易,这些需要静电防护设计团队结合芯片级、封装级、系统级等各设计阶段给予考虑,图7、图8演示了一个跨部门协同共同优化设计的实例,标黄色的Reset信号远离了主信号通路,从而增强了系统级的静电防护能力。

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图7:管脚位置优化前

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图8:管脚位置优化后

高速接口性能需求所带来的静电防护设计挑战

先进工艺的使用,使得高速接口设计指标可以不断攀升,ESD防护电路中过大的寄生电容将会使得电路带宽受损,影响性能。实际设计中我们使用T-Coil防护结构,ESD和模拟电路设计,经过多次的迭代,在不损失静电防护性能的情况下保证了电路带宽性能的达标,图10展示了我们协同设计的效果。

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图9:High Speed Serial Link Data Rates and HBM Protection levels vs Capacitive Loading requirements

(来源:Industry Council on ESD Target Levels)

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图10:T-Coil结构优化前后仿真对比

完善而先进的SoC静电防护

设计方法和流程

大型复杂SoC项目的实现往往是由不同团队共同协作完成,从基础的模块设计到芯片顶层集成各开发节点,如何把静电防护相关的各环节(如图11所示)嵌入到整个项目的开发流程中,是一个巨大的挑战。芯耀辉有完整的SoC静电防护设计方法、流程和工具,让各个设计团队可以逐层确保IP/Die/Chip的静电防护能力,从而保证SoC Chip系统芯片静电防护顺利达标。

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图11:SoC ESD设计流程环节

以实际设计为例,静电防护设计工程师推荐的防护方案,在实际的电路实现中有可能会有偏差,如图12所示,以致无法完全达到理想的防护效果。完善的防护流程则可以有效的避免此类偏差的出现。

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图12:推荐方案和实际实现之间的不符合

自主开发的静电防护可靠性

设计的自动检查流程和工具

为应对设计的高复杂度和巨大工作量,基于EDA工具的ESD自动化检查方案应运而生,芯耀辉科技ESD团队总结大量的量产实战经验后形成规则建议,并由公司CAD团队自主开发了ESD可靠性设计的自动检查流程方案,分别覆盖:(1)电路级别检查(2)版图级别检查(3)静电防护通路寄生电阻(P2P)和电流密度检查(CD)

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图13:自主开发的ESD可靠性设计自动检查流程方案

图14是电流密度(CD)检查的一条示例,以HBM 2KV为例,注入的ESD电流等效为1.33A,如果放电路径Diode Metal宽度或者VIA个数不能支撑2KV需求,则会报出该处坐标位置。另外需要提及的是,大封装规模SoC芯片CDM 500V对应的电流超过了6A,HBM 1.33A有时候并不能覆盖CDM的要求,需要设定更大的注入电流,芯耀辉自行开发的CAD Flow可以根据实际需求赋予不同的激励电流,以保证覆盖规格要求。

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图14:CD path check示例

除了包含Chip level ESD/Latch-up相关的检查和设计规则以外,在量产阶段,ESD失效也经常包含了RDL/Package等相关的设计问题而导致的静电防护失效,芯耀辉的静电防护设计团队也在这些方面积累了大量的失效分析和处理经验。一些实际量产中的失效案例在相关文献中也有过许多报道,如图15所示为一典型的浮接金属导致的失效。透过芯耀辉的静电防护设计流程和工具检查,RDL/Package等影响静电防护设计的问题也能够提前在设计阶段就被排查和处理。

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图15:测试结构图片,右侧为接地金属层,左侧为浮接到的大面积金属层(来源:IEEE:在互连制造过程中防止工艺引起ESD损坏的设计解决方案)

静电防护防护规则自动化检查流程的建立,一方面使得静电防护工程师免于人工检查面对的巨大工作量,也使得集体经验能够得以积累和传承,使得产品质量能够以精确的量化数据来支撑。

总结

静电防护设计在之前一直被认为是半导体设计中的炼金术和黑魔法,高度依赖实践的经验,但实际更需要扎实的理论支撑以及系统性的设计方法。大量的实际工艺器件的试验数据仍然是重要的静电防护设计基础;复杂的设计和需求使得静电防护设计和模拟电路、硬件系统之间的联合设计也越来越多,完善而先进的SoC静电防护设计方法和流程使得SoC设计的各团队能够有明确的实现方法来保障芯片级及系统级的静电防护能力;自动化检查的方法和流程作为实际测试数据、团队经验的总结,使得芯片的静电防护性能在Tapeout之前就具备扎实的设计理论数据作为支撑。

芯耀辉的静电防护设计团队拥有完整的静电防护解决方案,结合静电防护技术、自动化工具的检查方法和流程、联合设计的方法和流程,以保证芯片静电防护的达标。当复杂度越来越高、速度越来越快的SoC设计给芯片设计带来了巨大的挑战,芯耀辉已经具备为客户提供解决先进工艺下所涉及的各项挑战的能力,用高质量IP和完整的SoC前后端服务,帮助合作伙伴加速SoC开发,助力客户SoC量产。

注释

ESD(Electro-Static discharge)——静电放电HBM( Human Body Model)——人体放电模式MM(Machine Model)——机器放电模式CDM(Charged Device Model)——充电放电模式GGNMOS(Gate Grounded NMOS)——栅极接地NMOSTLP(Transmission Line Plus)——传输线脉冲P2P(Point to Point Resistor)——点对点电阻CD(Current Density)——电流密度

原文标题:面对高复杂性IP产品设计,如何保证达成静电防护能力需求指标?

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    10W开关电源芯片U62143是一款高性能、低成本的原边控制功率开关,内置高压功率三极管,可提供高精....
    的头像 开关电源芯片 发表于 06-24 11:10 178次 阅读

    我们拥挤的频谱和瘦客户端的终结

      两者最大的区别在于,Sigfox 对每台设备收取象征性费用,而 LoRa 不收取许可费。另一个区....
    的头像 星星科技指导员 发表于 06-24 11:01 144次 阅读

    国内EDA产业发展之路与现状

    随着集成电路产业的发展,设计规模越来越大,制造工艺越来越复杂,设计师依靠手工难以完成相关工作,必须依....
    的头像 半导体产业纵横 发表于 06-24 10:58 302次 阅读

    中国电子学会副理事长一行调研壁仞科技

    6月22日下午,中国电子学会副理事长兼秘书长陈英一行调研壁仞科技,了解壁仞科技国产大算力芯片BR10....
    的头像 科技绿洲 发表于 06-24 10:53 245次 阅读

    CH224K芯片对地短路是为啥呢?

    第一次来发贴不知道有没有人会回复哈,因为早上打了几个你们官网的电话都是没人应的,首先我想咨询下XSP06这颗芯片与你们的C...
    发表于 06-24 09:54 76次 阅读

    编程烧写工具,正常烧写操作后,CH32V203C8无法识别怎么解决?

    使用工具:WCH_RISC-V_MCU_ProgramTool工具下,v2.20版本 烧写后,芯片无法识别问题。 尝试使用MRS, 以及WC...
    发表于 06-24 09:23 73次 阅读

    ch32v10x系列芯片的主板无法下载程序,总是显示芯片状态错误是为什么?

    23:16:09:590 >> 当前工程厂商为WCH,仿真硬件为WCH-Link 23:16:09:590 >> 尝试在不同模式下打开设备并检查更新固件...
    发表于 06-23 08:31 94次 阅读

    英特尔重新思考解决芯片短缺的常用基板

    英特尔正在创造性地解决制造业放缓的问题ーー这一次,它把 ABF 基板两侧的电容器增加了一倍 如今,持续的芯片短缺已导致零部...
    发表于 06-20 09:50 1296次 阅读
    英特尔重新思考解决芯片短缺的常用基板

    CH32F20有没有更详细的资料,能否提供?

    CH32F20有没有更详细的资料,能否提供?   ...
    发表于 06-20 06:35 98次 阅读

    联阳IT6561方案设计|替代IT6561方案DP转HDMI转换|CS5218替代IT6561芯片设计

    联阳IT6561是一款带嵌入式MCU的单芯片4通道显示端口到HDMI转换器芯片。IT6561结合DisplayPort接收机、HDMI发...
    发表于 06-17 09:59 5821次 阅读

    STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

    RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
    发表于 05-20 16:05 287次 阅读

    FPF2290 过压保护负载开关

    0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 13:02 295次 阅读

    FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

    39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
    发表于 07-31 13:02 535次 阅读

    NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

    4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
    发表于 07-30 19:02 275次 阅读
    NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

    NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

    4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 18:02 199次 阅读
    NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

    NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

    4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 18:02 752次 阅读
    NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

    NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

    0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
    发表于 07-30 18:02 224次 阅读

    NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

    5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 17:02 323次 阅读
    NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

    NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

    4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 17:02 479次 阅读
    NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

    NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

    5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 16:02 377次 阅读
    NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

    NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

    4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 13:02 386次 阅读
    NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

    NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

    4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 13:02 902次 阅读
    NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

    NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

    4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 13:02 591次 阅读
    NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

    NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

    2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
    发表于 07-30 12:02 406次 阅读

    NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

    0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
    发表于 07-30 12:02 259次 阅读

    MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

    0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 06:02 259次 阅读
    MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

    FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

    80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 04:02 598次 阅读
    FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

    NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

    1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 00:02 428次 阅读

    NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

    是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
    发表于 07-29 21:02 609次 阅读

    AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

    是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
    发表于 07-29 16:02 1503次 阅读