三星计划6月完成第六代1cDRAM开发 长江存储即将推出存储卡类产品

三星计划6月完成第六代1cDRAM开发

据报导，三星电子计划在今年6月前完成11纳米制程第六代1cDRAM的开发。

据悉，三星近期通知公司内部半导体研究人员，公司决定跳过并放弃12纳米制程1b DRAM的开发。 先前传出三星1b遇到研发障碍，可能修改产品轨道与战略。

三星已经设定了目标，即在今年6月前完成11纳米的第六代1c DRAM 芯片的开发。据说该公司已经要求其研究人员停止或跳过 1b DRAM 的开发，这是一种 12 纳米芯片。

长江存储即将推出存储卡类产品

长江存储官网发布预告，即将推出存储卡类产品，满足手机，相机，无人机等数码产品使用，官网显示“敬请期待”。

长江存储近日宣布推出 UFS 3.1 通用闪存 ——UC023，可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR / VR 等智能终端领域。

新型存储ReRAM，存算一体

在后摩尔时代，单纯通过工艺制程的提升降低芯片功耗的路径也日渐捉襟见肘，已经接近摩尔定律的物理极限。

但随着基于ReRAM的全数字存算一体架构大算力、低功耗、易部署芯片的研发和产业化，这一难题似乎有了新的解决思路。

基于忆阻器ReRAM技术的计算单元可以通过阻值器件的存储记忆特性，利用基础物理定律和原理完成海量的AI计算；

通过存算一体的架构，可以节省把数据从内存单元逐层搬迁到计算单元的环节，从而得以节省因为数据搬迁而产生的大量衍生成本。

这此类方式也符合国家对于碳中和、碳达峰的技术发展路线，改变了传统AI运算数据量需要带来巨大能耗的现状。

文章综合爱集微、PConline、IT之家、Ai芯天下

编辑：黄飞