天域半导体将用6.3公顷来用于建设半导体科技项目

近日，东莞松山湖管委会公布了《东莞市生态园2022年度土地征收成片开发方案》，内容显示拟征地6.316公顷，将被用于保障天域半导体科技有限公司所建设的半导体项目的落地。

天域半导体将用这块地来建设碳化硅外延材料研发及产业化项目，计划2022年开始建设，将在2025年竣工投产，预计年营收将达到8.7亿元，2028年可全面达产并实现84.7亿元的年营收，该项目将建设全球第一条8英寸碳化硅外延晶片生产线。

该项目核心产品SiC外延片是第三代半导体产业链重要环节，属于高精尖产业，天域半导体是SiC外延片领域国内领先的厂家之一，正利用该项目对其产业基础进一步巩固，紧跟国际SiC前沿技术前进的步伐。项目主要内容为新增产能达每年100万片的6英寸、8英寸碳化硅外延晶片生产线；8英寸碳化硅外延晶片产业化关键技术的研发；6英寸、8英寸碳化硅外延晶片的生产和销售。

天域（TYSiC）成立于2009年，是中国第一家从事碳化硅 （SiC） 外延晶片市场营销、研发和制造的民营企业。2010年，天域与中国科学院半导体研究所合作，共同创建了碳化硅研究所，该研究所由该领域最优秀的人才组成。天域是中国第一家碳化硅半导体材料供应链的企业获得汽车质量认证（IATF 16949） 。目前，天域在中国拥有最多的碳化硅外延炉-CVD。 凭着最先进的外延炉设备、外延技术和最先进的测试和表征能力，我们为全球客户提供 n-型 和 p-型 掺杂外延材料、制作肖特基二极管、JFET、BJT、MOSFET，GTO 和 IGBT等。

综合整理自 乐居网 最资讯 集邦半导体观察

审核编辑 黄昊宇