台积电3nm制程取得突破，新芯片N3B将于8月投产
今日，据联合报报道，近期台积电研发已久的3nm制程工艺取得了重大突破。
经历多番波折的3nm工艺终于有所突破，台积电为此改变了策略，决定将要于今年8月份量产第二版名为N3B的3nm制程，据报道，今年8月，台积电的新竹12厂研发中心第八期工厂和南科18厂P5厂将会同步投片，以鳍式场效晶体管架构与对手三星的环绕闸极制程展开对决。
在前段时间，有业内人士称苹果新一代产品iPhone 14的A16处理器将会搭载台积电的5nm加强版的N4P工艺，如今最新的N3B工艺看来只能等到苹果下一代产品才能用上了。
联合报还报道称，台积电目前规划新竹工厂和台南工厂的月产能分别为1~2万片和1.5万片。
综合整理自 王石头 澎湃新闻 半导体行业联盟
编辑 黄昊宇
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