四维图新荣登汽车领跑者榜单 瑞萨电子开发嵌入式STT-MRAM写入技术

四维图新荣登汽车领跑者榜单

近日，2021未来汽车生态大会云端召开，同期发布 “汽车领跑者”榜单，四维图新凭借新品——动态风险预警平台，荣登“2021汽车领跑者榜单·最佳产品/解决方案/创新应用”奖。该榜单聚焦汽车行业新生态，成为行业风向标。

随着交通领域迈入“交通设施数字感知、信息网络广泛覆盖、行业治理在线协同、技术应用创新活跃”的数字交通体系，自动驾驶汽车成为各大厂商抢滩布局的风口。但从测试到量产，自动驾驶汽车将要解决多项技术瓶颈，目前制约其快速发展的难题之一是决策规划。

面对自动驾驶交通场景复杂、环境不确定性强、传感器精度有限等痛点，四维图新依托大数据、云计算、人工智能等核心技术，基于自研核心算法打造动态风险预警平台，为用户提供高精事件、道路天气、道路摩擦系数、定位信号弱区等9类动态风险预警服务，历史拥堵趋势分析、历史风险视频分析等4类历史数据分析，红绿灯服务、紧急车辆提醒等车路协同服务及位置参考服务等功能。

瑞萨电子开发嵌入式 STT-MRAM 写入技术，显着降低物联网应用中的 MCU 功耗

瑞萨电子公司是先进半导体解决方案的主要供应商，宣布开发出两种技术，可减少自旋转移矩磁性随机存取存储器 （STT-MRAM） 写入操作的能量和电压应用时间，以下简称 MRAM）。在 16 nm FinFET 逻辑工艺中嵌入 MRAM 存储单元阵列的 20 兆位 （Mbit） 测试芯片上，写入能量减少了 72%，电压施加时间减少了 50%。新技术是： 1） 带有斜率脉冲应用的自终止写入方案，其中写入脉冲由于每个存储单元的写入特性而自动且自适应地终止；2） 优化比特数的写入序列，同时施加写入电压。

瑞萨电子专注于通过允许高达 10% 的写入失败位来大幅降低写入电压这一事实。首先，通过降压转换器电路使用从MCU的IO电压产生的低写入电压同时向写入单元中的所有位施加写入电压。在该步骤中，根据各个位的写入特性，使用上一节中描述的带有斜率脉冲的自终止写入方案来执行自终止写入操作。接下来，使用电荷泵电路产生的高写入电压对剩余的 10% 位执行写入操作。由于使用这种技术，写入电压应用分两个阶段完成，与将写入单元分成四组或更多组的传统方法相比，整体写入电压施加时间可减少50％或更多。此外，对于绝大多数位，该技术不需要耗电的电荷泵来进行写入操作，而是使用通过降压转换器从外部电源电压获得的写入电压。有效地，这减少了写入能量的消耗。

综合四维图新和瑞萨电子官网整合

审核编辑：郭婷