0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

集成着门级驱动电路和6个功率 MOSFET优势介绍

MPS芯源系统 来源:MPS芯源系统 作者:MPS芯源系统 2021-12-16 16:13 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

它来了!它来了!它集成着门级驱动电路和6个功率 MOSFET 向我们走来啦!

别看它的身板小,可是它的本领高!

今天要给大家“墙裂”推荐一款主要用于三相无刷直流电机驱动的 MPS 公司产品 —— MP6540。

传统的电机驱动解决方案是门级驱动芯片+功率 MOSFET 的架构。对于三相无刷直流电机来说,需要6个外置的 MOSFET 组成三个桥臂来分别驱动每相绕组。在当前电子产品模块越来越小的发展趋势下,这种解决方案有个主要缺点:电路板尺寸偏大。

如果能在寸土寸金的电路板上去掉6个大块头的功率MOSFET,这种优势带来的前景不言而喻。

高集成

MP6540 系列产品把门级驱动电路和6个功率 MOSFET 合二为一,完美解决了传统方案的这个缺点。

在小小的 5mm x 5mm QFN-26 的封装里集成6个50V耐压,5A输出电流的MOSFET和相应的驱动电路。

不仅如此,MP6540还集成了电流检测电路,可以对每个桥臂的低压侧MOSFET进行双向电流检测,这样又省去了外部电流检测电路的成本和占用空间。

其他的诸如:短路保护、过温保护、欠压保护,这些标配功能当然都拥有啦。内部功能模块示意图如下:

90dd4cbe-5458-11ec-b2e9-dac502259ad0.png

强散热

下面这张照片是 MPS 公司 MP6540 芯片用来进行热测试的双层电路板。

实际有效尺寸为 2.5cmx2.5cm 的正方形,其中铜厚1oz,铜面积为6.25cm2。实际应用中可以根据不同的散热要求对板子尺寸进行调整。

在采用常用的120˚方波驱动控制条件下,下图左边是13V输入,1.4A电流输出,温升仅为8˚C;右边是24V输入,4A电流输出,温升为41˚C。

9145dda6-5458-11ec-b2e9-dac502259ad0.png

① 13V输入,1.4A电流输出,温升仅为8˚C

917e213e-5458-11ec-b2e9-dac502259ad0.png

② 24V输入,4A电流输出,温升为41˚C

适应广

如此优异的热表现能够让 MP6540 的产品满足很多三相无刷直流电机驱动的应用场合。

根据具体的应用场合需求,MP6540 又细分出了下面几种产品:MP6540, MP6540A, MP6540H, MP6540HA。它们的主要区别在于输入电压,输出电流以及输入逻辑信号不同。具体可以参考下表。

9191d5bc-5458-11ec-b2e9-dac502259ad0.png

检测快

MP6540系列产品均自带电流检测功能,可以提供实时精准的电流检测,对电机进行控制或者保护。

下图是MP6540H的内部电流检测电路的示意图。电流检测电路的输出可以通过外部电阻RTERM和参考电压VREF来设置。

91fa98f4-5458-11ec-b2e9-dac502259ad0.png

图注:MP6540H 内部电流检测电路示意图

实测波形可以看到电流检测电路的输出(SOB)可以完美跟随实际电流(Io)的变化。这样就可以省去外部电流检测电路的成本和占用空间,让整个电机驱动解决方案更便宜,更小巧,更简单。

921ff2ac-5458-11ec-b2e9-dac502259ad0.png

图注:CH1: PWM CH2: SA, CH3: SOB CH4: Io

原文标题:可将门级驱动电路和6个功率 MOSFET 合二为一的小可爱来啦!

文章出处:【微信公众号:MPS芯源系统】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

审核编辑:彭菁
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 检测电路
    +关注

    关注

    13

    文章

    314

    浏览量

    59456
  • MOSFET
    +关注

    关注

    150

    文章

    9411

    浏览量

    229576
  • 驱动电路
    +关注

    关注

    158

    文章

    1609

    浏览量

    111180

原文标题:可将门级驱动电路和6个功率 MOSFET 合二为一的小可爱来啦!

文章出处:【微信号:MPS芯源系统,微信公众号:MPS芯源系统】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    功率MOSFET管的应用问题分析

    替换这个电阻。但是,电视机开机后,这个电路功率MOSFET管一直导通,而不是在插入移动硬盘后再打开功率MOSFET管,所以,调节
    发表于 11-19 06:35

    你的MOSFET驱动方案该升级了!SiLM27517HAD-7G低边门极驱动

    特性优势: 单通道20V耐压,峰值电流4A拉/5A灌,驱动大多数MOSFET都游刃有余 开关速度惊人:传播延迟只有18ns,上升9ns/下降6ns 宽电压工作(13.5V-20V),自
    发表于 11-12 08:27

    SiLM2285 600V/4A高可靠性半桥驱动

    600V、4A/4A 半桥驱动SiLM2285,超强抗干扰、高效驱动、高边直驱设计三大核心优势,解决工业开关电源、电机拖动、新能源逆变及储能设备中的
    发表于 10-21 09:09

    I型三电平IGBT模块驱动板——重塑工业功率控制新标准

    伏等高端领域注入强劲动力!该产品以 模块化设计、军工可靠性、智能保护功能 为核心优势,全面适配多功率场景需求,助力客户降本增效! 三大核心优势,定义
    的头像 发表于 08-03 06:10 1382次阅读
    I型三电平IGBT模块<b class='flag-5'>驱动</b>板——重塑工业<b class='flag-5'>级</b><b class='flag-5'>功率</b>控制新标准

    密封光隔离高速功率 MOSFET 驱动器 skyworksinc

    电子发烧友网为你提供()密封光隔离高速功率 MOSFET 驱动器相关产品参数、数据手册,更有密封光隔离高速功率 MOSFET
    发表于 07-09 18:30
    密封光隔离高速<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>驱动</b>器 skyworksinc

    SiLM92108 高集成八通道门极驱动

    电机驱动场景提供高性能、高可靠性的单芯片解决方案。 核心技术创新与优势: 高度集成,极致简化 单芯片集成 8路独立半桥驱动、宽范围电源管理、
    发表于 07-09 09:16

    攻坚高压高功率驱动挑战:SiLM2285半桥驱动的技术突破与应用潜力

    统、新能源逆变设备或大功率电源的工程师而言,SiLM2285代表值得深入评估的高性能高压驱动选项。它为解决长期困扰高压设计的难题提供了新的思路和有力的工具。在工业或新能源应用中,
    发表于 07-03 08:45

    SD42524TR 36V宽压输入、±1%精度1A大功率LED驱动芯片方案设计

    流精度+热补偿,满足工业照明ANSI标准 系统性价比 :集成MOSFET/保护电路,BOM成本<$0.8(1k pcs) 设计灵活性 :6
    发表于 06-26 08:54

    KP85302SGA 700V集成自举高功率高低侧电机驱动芯片 专业高速风筒半桥驱动IC芯片

    一、产品概述:KP85302SGA是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。高速风简专用电机驱动芯片KP85302采用高低压兼容工艺使得高、
    发表于 06-14 09:08

    高性能隔离型驱动器 BTD5350x:开启高效功率控制新维度

    隔离型驱动器,以卓越的电气性能、多元的功能配置及广泛的行业适用性,成为驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET
    的头像 发表于 06-10 09:00 546次阅读
    高性能隔离型<b class='flag-5'>门</b>极<b class='flag-5'>驱动</b>器 BTD5350x:开启高效<b class='flag-5'>功率</b>控制新维度

    初级元器件知识之功率MOSFET

    之比)随集电极电流(IC)的增加而大幅度降低,我们要驱动的电流越大,则我们需要提供给基极的电流也越大。一结果使双极型三极管开始消耗大量的控制功率,从而降低了整个电路的效率。 使
    发表于 06-03 15:39

    电机驱动与控制专用集成电路及应用

    功率驱动部分。前控制电路容易实现集成,通常是模拟数字混合集成电路。对于小
    发表于 04-24 21:30

    互补MOSFET脉冲变压器的隔离驱动电路设计

    电路设计的驱动电路功率 MOSFET驱动电路
    发表于 03-27 14:48

    GaN驱动技术手册免费下载 氮化镓半导体功率器件驱动电路设计方案

    GaN驱动技术手册免费下载 氮化镓半导体功率器件驱动电路设计方案
    的头像 发表于 03-13 18:06 4.4w次阅读
    GaN<b class='flag-5'>驱动</b>技术手册免费下载 氮化镓半导体<b class='flag-5'>功率</b>器件<b class='flag-5'>门</b>极<b class='flag-5'>驱动</b><b class='flag-5'>电路</b>设计方案

    什么是米勒钳位?为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位?

    的必要性。封面图.png01 什么是米勒现象- 在桥式电路中,功率器件会发生米勒现象,它是指当一开关管在开通瞬间,使对管的极电压出现快速升高的现象。- 该现象广泛存在于
    发表于 01-04 12:30