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SiT8918:1-110MHz任意频率-40℃ ~ +125℃抗冲击宽温振荡器

晶圆电子硅晶振 2021-11-24 11:36 次阅读
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关于作者--SiTime样品中心

为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及,让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势,SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心,为用户提供免费样品申请,小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务,更多信息请访问www.sitimechina.com,客户服务热线400-888-2483。

SiT8918提供了宽频率范围(1 MHz 至 110 MHz)、出色的稳定性(±20 ppm)和宽温度范围(-40 至 125 °C)的完美组合,采用了不易拆卸的最小 2.0mm x 1.6 mm 封装可从石英中获得。SiT8918还具有业界最佳的抗冲击和抗振性能。

SiT8918 采用行业标准封装和占位面积,因此无需任何设计更改即可取代石英。

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SiT8918选型参数

振荡器类型:抗冲击宽温振荡器

频率:1MHz - 110MHz之间任意频率,可精确到小数点后6位

频率稳定性:±20ppm、±25ppm、±50ppm

相位抖动(rms):1.3ps

输出类型:LVCMOS

温度范围:-40℃ ~ +105℃、-40℃ ~ +125℃

电源电压:1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、2.25V ~ 3.63V宽压

封装尺寸:2.0mm x 1.2mm、2.5mm x 2.0mm、3.2mm x 2.5mm、5.0mm x 3.2mm、7.0mm x 5.0mm

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SiT8918特点

可配置的功能集

1MHz - 110 MHz 之间任意频率,可精确到小数点后6位

稳定性低至 ±20 ppm

温度范围:-40℃ ~ +125℃

1.8 V 、 2.5 V ~ 3.3 V 电源电压

自定义规格以获得最佳系统性能

对许多设计使用相同的基本设备,减少认证需求

0.1ppb/g 低 g 灵敏度

改善振动下的系统性能

载体跌落测试合规性(STB 等)

70 g振动和 50,000 g冲击

恶劣环境下的最佳系统可靠性

更少的产品故障

FlexEdge™可配置驱动强度

更慢的上升/下降时间,最大限度地减少来自振荡器的 EMI

通过驱动多个负载并消除额外的时序组件来节省成本

超快交货时间

减少库存开销

降低短缺风险


SiT8918应用

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关于作者--SiTime样品中心

为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及,让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势,SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心,为用户提供免费样品申请,小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务,更多信息请访问www.sitimechina.com,客户服务热线400-888-2483。


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