0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

氮化镓新动态:传感器融入芯片、导通电阻大幅下降

海明观察 来源:电子发烧友网 作者:李诚 2021-11-16 09:33 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

电子发烧友网报道(文、李诚)氮化镓和碳化硅一样,不断地挑战着硅基材料的物理极限,多用于电力电子微波射频领域,在电力电子的应用中,氮化镓的禁带宽度是硅基材料的3倍,同时反向击穿电压是硅基材料的10倍,与同等电压等级的硅基材料相比,氮化硅的导通电阻更低,电源开关损耗也更低,电能的转换效率也有所提升。在微波射频领域,由于氮化镓在电场下具有较高的电子速度,因此电流密度较高,加之氮化镓又具有耐高压的特性。因此,在微波射频领域中使用氮化镓对RF功率的输出有着巨大的优势。

氮化镓在消费类电子领域的优势尤为突出,凭借着氮化镓耐高压、转换率高、导通损耗小的特点迅速占领了消费类电子的快充市场。今年10月,氮化镓快充市场迎来了一位重磅玩家,苹果发布了首款氮化镓PD 140W的电源适配器,可见氮化镓对快充的重要性。10月26日,据TrendForce预计,至2025年GaN 在整体快充领域的市场渗透率将达到 52%。

图源:纳微

纳微半导体

纳微是一家专注于氮化镓功率芯片开发的企业,仅凭单一的品类迅速在氮化镓功率器件领域迅速立足,打响了产品的知名度。纳微用了7年时间,迅速将一个初创公司打造成了市值10亿美元的上市企业。凭借其高性能的芯片,以及严格的产品生产质量把控,截至今年11月,纳微氮化镓功率芯片出货量已达3500万颗以上,产品失效率和不良率均为0,同时还占领了全球氮化镓芯片市场30%以上的出货量。

图源:纳微

近日,纳微发布了一款采用了GaNSense技术的氮化镓功率芯片。本次发布的新品是将电路感知技术加入到氮化镓功率芯片中,是业界内首款集成了智能感知技术的氮化镓功率芯片。通过传感器与芯片的融合,让电路的保护功能也朝着智能化发展,保证了系统的安全与稳定。

图源:纳微

纳微的GaNSense技术类似于汽车的BMS系统,就是对系统电流、温度等数据精准、快速的实时监控,当芯片通过数据监测,发现系统有潜在风险时,芯片会快速进入关断状态,保护了芯片的同时还保护了外围电路,避免对系统造成不可逆转的损害,进而降低了电路调试的成本,也保证了成品设备的使用安全性。值得一提的是通过纳微的GaNSense技术,可以做到实时无损的电流感知,该技术目前正处于专利申请阶段。

使用了GaNSense技术的氮化镓芯片在功耗方面,系统能耗与早期产品相比,节能效果提升了10%。通过智能感应技术,芯片能够根据实际情况,自由切换工作模式与空闲模式,并降低空闲模式的待机功耗。

在系统保护方面,通过GaNSense技术,对电流、电压检测的速度提升了50%,且降低了50%的尖峰电流。同时,可实现30ns内完成系统检测和系统保护的操作,与传统氮化镓的保护响应速度相比提升了6倍。

在产品方面,纳微推出了多个基于新一代GaNSense技术不同型号的氮化镓功率芯片,这些芯片内部都集成了氮化镓的驱动器,简化了PCB的布局。产品的电压等级主要集中在650V和800V,芯片的开关导通电阻在120mΩ至450mΩ之间,较低的开关导通电阻,降低了系统的开关损耗。纳微新一代氮化镓芯片提供了HFQR、ACF、PFC三种电路拓扑方式,可满足不同输出功率应用的需求,提升产品的覆盖率。

镓未来科技

镓未来,是一家成立仅有一年的氮化镓器件开发企业,致力于为终端厂商提供30W至10kW氮化镓解决方案。该公司的氮化镓器件的特色,是在于将传统硅基器件的易用性和氮化镓高频、高效、低损耗的特点结合起来,从而提高产品的功率密度。
 
图源:镓未来

在消费类电子方面,如今,PD3.1协议和Type-C标准已经发布,消费类电子的电源适配器输出功率已经提升至240W,作为新势力的镓未来也紧跟市场发展的动向,发布并量产可应用于输出功率为240W电源适配器的氮化镓功率器件G1N65R150xx系列,可实现最高95.9%转换效率。

镓未来G1N65R150xx系列功率器件,最大的亮点在于仅有150mΩ的开关导通电阻,开关导通电阻的阻值对于开关电源来说意义重大,开关导通阻值越大,系统损耗也越大,系统效率自然会有所降低。镓未来150mΩ的氮化镓功率器件,领先了业内很多产品,大幅的降低了系统的导通损耗,从而提高电源的输出功率。

为降低系统导通损耗,镓未来通过独有的工艺技术,为G1N65R150xx系列产品的动态电阻进行了优化,产品在25℃至150℃的温升实验中,产品的动态导通电阻变化仅提升了50%。避免了因长时间处于运行状态,导通电阻过高,系统导通损耗过大,系统效率降低的问题。

由于该器件内部并未集成驱动器,所以,镓未来在进行产品设计时就已经考虑到了驱动芯片电压兼容的问题。目前,氮化镓驱动芯片的驱动电压覆盖范围较宽,有几伏至十多伏不等。镓未来为提升产品与其他驱动芯片的适配性,将栅极耐压值调至20V,从而降低了驱动芯片的使用的局限性。

结语

氮化镓功率器件凭借高频、高效等特性,在开关电源行业备受追捧,也成为了消费类电子电源行业主要的发展方向。如今,很多氮化镓晶圆厂商也在不断提高晶圆的制造良率,增设产线,在不久的未来,氮化镓的价格很有可能会大幅下降,从而让氮化镓快充的价格更容易的被百姓所接受。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 传感器
    +关注

    关注

    2577

    文章

    55504

    浏览量

    793951
  • 氮化镓
    +关注

    关注

    67

    文章

    1915

    浏览量

    120142
  • 纳微半导体
    +关注

    关注

    7

    文章

    162

    浏览量

    21449
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    内置氮化成主流?AHB技术你又了解多少?

    控制芯片中一个值得关注的方向 目前东科有着多款内置氮化方案的 AHB 控制,将 GaN 功率器件与控制
    发表于 04-18 10:35

    意法半导体推出氮化功率开关管半桥模块MasterGaN6

    意法半导体推出了MasterGaN系列氮化功率开关管半桥的第二代产品MasterGaN6,该功率系统级封装(SiP)在一个封装内集成新的BCD栅极驱动
    的头像 发表于 03-20 15:44 1771次阅读

    氮化GaN FET/GaN HEMT 功率驱动电路选型表

    PC5012 是一款 700V、1.2Ω 的氮化(GaN)功率场效应晶体管(FET),集成了单通道低端驱动,专为高速应用中的氮化高电子
    发表于 03-17 16:26 3次下载

    PC5012氮化 PIIP 单片集成电路数据手册

    PC5012 是一款 700V、1.2Ω 的氮化(GaN)功率场效应晶体管(FET),集成了单通道低端驱动,专为高速应用中的氮化高电
    发表于 03-11 15:37 1次下载

    中国&全球唯一氮化传感器公司美传感获融资

    ,深耕新能源、新材料、新一代信息技术等硬科技赛道,以资本赋能前沿技术产业化,助力国家战略性新兴产业强链补链。 美传感是全球氮化传感器
    的头像 发表于 03-01 12:17 3053次阅读

    关于0.42mΩ超低通电阻MOSFET的市场应用与挑战

    在电源管理系统和高效电池管理系统(BMS)设计中,MOSFET作为开关元件,扮演着重要角色。由于其通电阻直接影响到电路效率、功率损耗和热量产生,因此低通电阻的MOSFET成为越来越
    的头像 发表于 12-16 11:01 436次阅读
    关于0.42mΩ超低<b class='flag-5'>导</b><b class='flag-5'>通电阻</b>MOSFET的市场应用与挑战

    请问芯源的MOS管也是用的氮化技术嘛?

    现在氮化材料技术比较成熟,芯源的MOS管也是用的氮化材料技术嘛?
    发表于 11-14 07:25

    MDD MOS通电阻对BMS系统效率与精度的影响

    在电池管理系统(BMS)中,MDD辰达半导体MOSFET作为电池组充放电的开关与保护核心元件,其通电阻(RDS(on))参数对系统性能有着直接且深远的影响。作为MDDFAE,在支持客户调试或可
    的头像 发表于 11-12 11:02 661次阅读
    MDD MOS<b class='flag-5'>导</b><b class='flag-5'>通电阻</b>对BMS系统效率与精度的影响

    泰克科技无需钳位电路实现动态通电阻RDS(on)的测量技术

    动态通电阻(RDS(on))是电源转换设计人员理解电荷俘获效应影响的重要参数。然而,关于其测量技术的知识体系仍相对较新。传统的动态RDS
    发表于 09-12 19:43 930次阅读
    泰克科技无需钳位电路实现<b class='flag-5'>动态</b><b class='flag-5'>导</b><b class='flag-5'>通电阻</b>RDS(on)的测量技术

    无需钳位电路,精准测量GaN动态通电阻Rds(on)

    导言在追求更高效率、更高功率密度的电源转换设计中,宽禁带半导体(GaN、SiC)器件扮演着越来越关键的角色。然而,理解这些器件在高速开关过程中的真实性能,特别是其动态通电阻(RDS
    的头像 发表于 09-12 17:14 1424次阅读
    无需钳位电路,精准测量GaN<b class='flag-5'>动态</b><b class='flag-5'>导</b><b class='flag-5'>通电阻</b>Rds(on)

    高精度NTC热敏电阻芯片(NTC温度传感器芯片

    高精度NTC热敏电阻芯片(NTC温度传感器芯片)介绍:测温控温用NTC热敏电阻的大部分最终组装形式以传感
    的头像 发表于 08-11 10:23 1767次阅读
    高精度NTC热敏<b class='flag-5'>电阻</b><b class='flag-5'>芯片</b>(NTC温度<b class='flag-5'>传感器</b><b class='flag-5'>芯片</b>)

    氮化电源芯片U8722BAS的特性

    炎热的夏天,总是需要一些冲散酷暑的小电器,给生活制造惊喜。客户最近热卖的制冷杯,被称为夏日“行走的小冰箱”,受到了许多上班族和户外一族的喜爱,充电部分采用的正是我们深圳银联宝科技研发生产的氮化电源芯片。今天就带你一起看看
    的头像 发表于 07-05 15:25 3767次阅读

    MOSFET通电阻参数解读

    通电阻(RDSON)指的是在规定的测试条件下,使MOSFET处于完全通状态时(工作在线性区),漏极(D)与源极(S)之间的直流电阻,反映了MOSFET在
    的头像 发表于 05-26 15:09 5129次阅读
    MOSFET<b class='flag-5'>导</b><b class='flag-5'>通电阻</b>参数解读

    氮化GaN快充芯片U8732的特点

    充电器都能轻松应对,一充搞定。充电器自然离不开芯片的支持,今天主推的就是来自深圳银联宝科技的氮化GaN快充芯片U8732!
    的头像 发表于 05-23 14:21 1197次阅读

    氮化电源芯片U8726AHE产品介绍

    EMI性能为高频交直流转换的设计难点,为此氮化电源芯片U8726AHE通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻
    的头像 发表于 04-28 16:07 949次阅读
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>电源<b class='flag-5'>芯片</b>U8726AHE产品介绍