0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

氮化镓新动态:传感器融入芯片、导通电阻大幅下降

海明观察 来源:电子发烧友网 作者:李诚 2021-11-16 09:33 次阅读
电子发烧友网报道(文、李诚)氮化镓和碳化硅一样,不断地挑战着硅基材料的物理极限,多用于电力电子微波射频领域,在电力电子的应用中,氮化镓的禁带宽度是硅基材料的3倍,同时反向击穿电压是硅基材料的10倍,与同等电压等级的硅基材料相比,氮化硅的导通电阻更低,电源开关损耗也更低,电能的转换效率也有所提升。在微波射频领域,由于氮化镓在电场下具有较高的电子速度,因此电流密度较高,加之氮化镓又具有耐高压的特性。因此,在微波射频领域中使用氮化镓对RF功率的输出有着巨大的优势。

氮化镓在消费类电子领域的优势尤为突出,凭借着氮化镓耐高压、转换率高、导通损耗小的特点迅速占领了消费类电子的快充市场。今年10月,氮化镓快充市场迎来了一位重磅玩家,苹果发布了首款氮化镓PD 140W的电源适配器,可见氮化镓对快充的重要性。10月26日,据TrendForce预计,至2025年GaN 在整体快充领域的市场渗透率将达到 52%。

图源:纳微

纳微半导体

纳微是一家专注于氮化镓功率芯片开发的企业,仅凭单一的品类迅速在氮化镓功率器件领域迅速立足,打响了产品知名度。纳微用了7年时间,迅速将一个初创公司打造成了市值10亿美元的上市企业。凭借其高性能的芯片,以及严格的产品生产质量把控,截至今年11月,纳微氮化镓功率芯片出货量已达3500万颗以上,产品失效率和不良率均为0,同时还占领了全球氮化镓芯片市场30%以上的出货量。

图源:纳微

近日,纳微发布了一款采用了GaNSense技术的氮化镓功率芯片。本次发布的新品是将电路感知技术加入到氮化镓功率芯片中,是业界内首款集成了智能感知技术的氮化镓功率芯片。通过传感器与芯片的融合,让电路的保护功能也朝着智能化发展,保证了系统的安全与稳定。

图源:纳微

纳微的GaNSense技术类似于汽车的BMS系统,就是对系统电流、温度等数据精准、快速的实时监控,当芯片通过数据监测,发现系统有潜在风险时,芯片会快速进入关断状态,保护了芯片的同时还保护了外围电路,避免对系统造成不可逆转的损害,进而降低了电路调试的成本,也保证了成品设备的使用安全性。值得一提的是通过纳微的GaNSense技术,可以做到实时无损的电流感知,该技术目前正处于专利申请阶段。

使用了GaNSense技术的氮化镓芯片在功耗方面,系统能耗与早期产品相比,节能效果提升了10%。通过智能感应技术,芯片能够根据实际情况,自由切换工作模式与空闲模式,并降低空闲模式的待机功耗。

在系统保护方面,通过GaNSense技术,对电流、电压检测的速度提升了50%,且降低了50%的尖峰电流。同时,可实现30ns内完成系统检测和系统保护的操作,与传统氮化镓的保护响应速度相比提升了6倍。

在产品方面,纳微推出了多个基于新一代GaNSense技术不同型号的氮化镓功率芯片,这些芯片内部都集成了氮化镓的驱动器,简化了PCB的布局。产品的电压等级主要集中在650V和800V,芯片的开关导通电阻在120mΩ至450mΩ之间,较低的开关导通电阻,降低了系统的开关损耗。纳微新一代氮化镓芯片提供了HFQR、ACF、PFC三种电路拓扑方式,可满足不同输出功率应用的需求,提升产品的覆盖率。

镓未来科技

镓未来,是一家成立仅有一年的氮化镓器件开发企业,致力于为终端厂商提供30W至10kW氮化镓解决方案。该公司的氮化镓器件的特色,是在于将传统硅基器件的易用性和氮化镓高频、高效、低损耗的特点结合起来,从而提高产品的功率密度。
 
图源:镓未来

在消费类电子方面,如今,PD3.1协议和Type-C标准已经发布,消费类电子的电源适配器输出功率已经提升至240W,作为新势力的镓未来也紧跟市场发展的动向,发布并量产可应用于输出功率为240W电源适配器的氮化镓功率器件G1N65R150xx系列,可实现最高95.9%转换效率。

镓未来G1N65R150xx系列功率器件,最大的亮点在于仅有150mΩ的开关导通电阻,开关导通电阻的阻值对于开关电源来说意义重大,开关导通阻值越大,系统损耗也越大,系统效率自然会有所降低。镓未来150mΩ的氮化镓功率器件,领先了业内很多产品,大幅的降低了系统的导通损耗,从而提高电源的输出功率。

为降低系统导通损耗,镓未来通过独有的工艺技术,为G1N65R150xx系列产品的动态电阻进行了优化,产品在25℃至150℃的温升实验中,产品的动态导通电阻变化仅提升了50%。避免了因长时间处于运行状态,导通电阻过高,系统导通损耗过大,系统效率降低的问题。

由于该器件内部并未集成驱动器,所以,镓未来在进行产品设计时就已经考虑到了驱动芯片电压兼容的问题。目前,氮化镓驱动芯片的驱动电压覆盖范围较宽,有几伏至十多伏不等。镓未来为提升产品与其他驱动芯片的适配性,将栅极耐压值调至20V,从而降低了驱动芯片的使用的局限性。

结语

氮化镓功率器件凭借高频、高效等特性,在开关电源行业备受追捧,也成为了消费类电子电源行业主要的发展方向。如今,很多氮化镓晶圆厂商也在不断提高晶圆的制造良率,增设产线,在不久的未来,氮化镓的价格很有可能会大幅下降,从而让氮化镓快充的价格更容易的被百姓所接受。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 传感器
    +关注

    关注

    2522

    文章

    47974

    浏览量

    739651
  • 氮化镓
    +关注

    关注

    53

    文章

    1492

    浏览量

    114838
  • 纳微半导体
    +关注

    关注

    7

    文章

    105

    浏览量

    19620
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    氮化芯片未来会取代硅芯片吗?

    。 与硅芯片相比: 1、氮化芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一 2、尺寸为硅芯片的四分之一 3
    发表于 08-21 17:06

    氮化测试

    氮化
    jf_00834201
    发布于 :2023年07月13日 22:03:24

    有关氮化半导体的常见错误观念

    器件大约在2015年推出市场,与具有相同通电阻和额定电压的硅功率MOSFET相比,其价格更低 。从那时起,产量继续提升、氮化器件的价格
    发表于 06-25 14:17

    实现更小、更轻、更平稳的电机驱动氮化器件

    更高,因为所有电流都转换为施加到负载的扭矩。 图 3:500 ns死区时间对扭矩信号的影响;电频率为 27 Hz,可见 6 次谐波。扭矩信号从扭矩传感器取得。 基于氮化器件的逆变器可以在100
    发表于 06-25 13:58

    纳微集成氮化电源解决方案和应用

    纳微集成氮化电源解决方案及应用
    发表于 06-19 11:10

    拆解报告:橙果65W 2C1A氮化充电器

    33μF400V。 另一颗规格为47μF400V。 差模电感采用磁环绕制,外套热缩管绝缘。 橙果这款65W氮化充电器内部采用两路PI的电源芯片,对应两颗不同大小的变压,组成两
    发表于 06-16 14:05

    什么是氮化功率芯片

    通过SMT封装,GaNFast™ 氮化功率芯片实现氮化器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率
    发表于 06-15 16:03

    为什么氮化比硅更好?

    。 在器件层面,根据实际情况而言,归一化通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG)乘积得出的优值系数,氮化比硅好 5 倍到 20 倍。通过采用更小的晶体管和更短的电流路径,
    发表于 06-15 15:53

    氮化: 历史与未来

    ,以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。 因此,氮化是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面,氮化
    发表于 06-15 15:50

    为什么氮化(GaN)很重要?

    的设计和集成度,已经被证明可以成为充当下一代功率半导体,其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计,如果全球采用硅芯片器件的数据中心,都升级为使用氮化功率芯片器件,那全球的数据中心将
    发表于 06-15 15:47

    什么是氮化(GaN)?

    具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,氮化充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。 更重要的是,氮化
    发表于 06-15 15:41

    氮化功率芯片如何在高频下实现更高的效率?

    氮化为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷(低电容)、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件,以及分立氮化的典型开关频率(65kHz)相比,集成式氮化
    发表于 06-15 15:35

    氮化功率芯片的优势

    更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。 更快:氮化电源 IC 的集
    发表于 06-15 15:32

    谁发明了氮化功率芯片

    虽然低电压氮化功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化功率芯片
    发表于 06-15 15:28

    什么是氮化功率芯片

    eMode硅基氮化技术,创造了专有的AllGaN™工艺设计套件(PDK),以实现集成氮化 FET、氮化
    发表于 06-15 14:17