0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

C2000内置比较器误差来源及校正方法-F28004x F2807x F2837x

电子设计 来源:电子设计 作者:电子设计 2022-01-13 16:36 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

Other Parts Discussed in Post:TMS320F28377D

C2000系列芯片在数字电源电机控制中有着广泛的应用,在这些应用中,过流过压保护是必不可少的。TIPicollo系列芯片从F2802x开始,就已经集成了带DAC的片内比较器,通过DAC设定阈值,与采样信号分别送到片内比较器的正负输入端做比较,生成保护信号给到PWM模块封锁PWM输出,从而实现过流过压保护,响应速度快,无需额外再加比较器和基准电压。

C2000系列芯片的内置比较器主要可以分为如下两类:

比较器类型 特点 覆盖芯片
Comparator module(COMP) type0 每个COMP内部有1个10bit DAC,1个比较器 2802x, 2803x, 2806x M35x, M36x
Comparator subsystem(CMPSS) type0 每个CMPSS内部有2个12bit DAC,2个比较器 F2807x, F2837xD, F2837xS, F28004x

不管是以上哪种类型的比较器,其输入正端都是直接连到ADC采样口(这个口用来采样需要监控的信息比如电压或电流),输入负端则可以选择连到内部的DAC输出或者另一个ADC采样口。本文将以比较器负端连到内部DAC输出为例(这也是最常见的一种用法),介绍内部比较器可能的误差来源及其矫正方法。

误差来源:

static offset error,静态失调误差。

比较器滞环

ADC基准和比较器内部DAC基准差异。

一、static offset error静态失调误差

现在假设我们希望的比较阈值为1.5V,当比较器正端输入电压大于1.5V时,比较器输出为1(高电平);输入电压小于1.5V时,比较器输出0(低电平)。如果内部DAC的基准为3V,那么我们需要把DACVAL设定为2048使得DAC输出1.5V。在上面描述的这种情况下有两个地方会引入误差,一个是内部DAC的误差(offset error),另一个是比较器的误差(input referred offset error),这两个误差总称为static offset error,静态失调误差。

对于F28004x, F2807x,F2837x系列芯片,其规格书上都有static offset error这个参数,为±25mV。也就是说,虽然理论上DACVAL=2048可以得到1.5V的阈值,但是因为static offset error,比较器发生翻转时负端的电压可能在1.475V到1.525V之间,而这个值是多少你并不知道,所以就需要校准。校准方法就是,在比较器正端接上一个你需要的阈值电平,在关掉内部比较器滞环的条件下,让比较器的DACVAL从0逐渐增大到4095,再逐渐减小到0,这样比较器输出会有两次翻转,将这两次翻转时的DACVAL的值作平均,就是校正后的阈值电压对应的DACVAL的值。

如果不用内部的DAC生成比较阈值,比较器的正端和负端都接外部信号的话,那么就只需要考虑比较器的误差了。

二、比较器滞环

C2000比较器的滞环是可以设定的,COMPHYSCTL的COMPHYS位可以设定滞环的环宽,当环宽设定为0时也就意味着没有滞环。注意在规格书中,滞环的单位是LSB,所以它和CMPSS模块内部的DAC的参考有关。如果内部DAC的参考电压是3V,1LSB对应3V/4096=0.7mV。以F28004x,F2807x, F2837x为例,其滞环可以在12LSB, 24LSB, 36LSB, 48LSB中选择。

需要指出的是,加入滞环后,比较器从0翻转到1的阈值依然是之前校准过的值,而不会变成(校准过的值+1/2*滞环宽度),而从1翻转回0的阈值则会变成(校准过的值-滞环宽度),如下图所示:

poYBAGGKS5GADXY4AAA8WJEj7mU177.png

三、ADC基准和比较器内部DAC基准的差异

在实际系统中,除了用比较器做硬件保护,通过AD采样来做软件保护也很常见。对于同一个电压或者电流信号,在考虑了前述静态失调误差和滞环后,有时候我们会发现ADC采样得到的值根本没到比较器DAC输出的阈值,但是比较器依然翻转了,这其中甚至会差到200个LSB。这是因为芯片ADC的基准电压和比较器内部DAC的基准电压不同导致的。

以F28004x,F2807x, F2837x为例,比较器内部DAC的基准默认来自于VDDA,可以配置成VDAC,而ADC的基准来自于VREFHI,VDDA默认供电是3V,而我们常用的内部ADC基准VREFHI是3.3V,这样,如果我们的比较器DACVAL设定为2048,那么比较器会在1.5V翻转,而此时ADC采样的值只有1.5V/3.3V*4096=1862。这就是因为ADC基准和比较器内部DAC基准的不同带来的差异,对于既需要做硬件保护,又需要做软件保护的信号,这一点需要特别注意。最简便的解决办法就是,将比较器内部的DAC基准配置为VDAC,同时将VDAC连到VREFHI上,使得两者的基准一致。

结论

本文以F28004x,F2807x,F2837x芯片为例,介绍了内置比较器的误差来源及校正方法,同时纠正了比较器滞环的错误理解。对于同一个信号既需要软件保护又需要硬件保护的系统,我们指出了导致软硬件保护阈值可能出现偏差的原因,同时给出了解决办法。正确使用C2000芯片内部比较器可以实现快速软硬件保护,提高系统整体可靠性,同时无需外部基准和比较器,节省PCB空间,是一个非常实用的模块。

审核编辑:金巧

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • adc
    adc
    +关注

    关注

    100

    文章

    7380

    浏览量

    553770
  • 比较器
    +关注

    关注

    14

    文章

    1886

    浏览量

    111421
  • dac
    dac
    +关注

    关注

    44

    文章

    2680

    浏览量

    196388
  • 嵌入式处理
    +关注

    关注

    0

    文章

    341

    浏览量

    10450
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    TMS320F28003x系列微控制技术文档总结

    TMS320F28003xF28003x) 是 C2000™ 实时微控制系列的成员,该系列是可扩展、超低延迟的器件,专为提高电力电子效率而设计,包括但不限于:高功率密度、高开关频
    的头像 发表于 10-10 11:29 1061次阅读
    TMS320<b class='flag-5'>F28003x</b>系列微控制<b class='flag-5'>器</b>技术文档总结

    TMS320F28003x系列微控制数据手册的全文总结

    TMS320F28003xF28003x) 是 C2000™ 实时微控制系列的成员,该系列是可扩展、超低延迟的器件,专为提高电力电子效率而设计,包括但不限于:高功率密度、高开关频
    的头像 发表于 10-10 11:08 1001次阅读
    TMS320<b class='flag-5'>F28003x</b>系列微控制<b class='flag-5'>器</b>数据手册的全文总结

    ‌TMS320F28P55x系列微控制技术文档总结

    TMS320F28P55xF28P55x) 是 C2000™ 实时微控制系列的成员,该系列可扩展、超低延迟器件专为提高电力电子效率而设计,包括但不限于:高功率密度、高开关频率,并
    的头像 发表于 09-29 09:42 670次阅读
    ‌TMS320<b class='flag-5'>F28P55x</b>系列微控制<b class='flag-5'>器</b>技术文档总结

    德州仪器LAUNCHXL-F28P65X LaunchPad开发套件技术解析与应用指南

    Texas Instruments LAUNCHXL-F28P65X LaunchPad™ 开发套件基于C2000™ 实时微控制系列F28P65x器件。LAUNCHXL-
    的头像 发表于 08-14 14:23 1173次阅读
    德州仪器LAUNCHXL-<b class='flag-5'>F28P65X</b> LaunchPad开发套件技术解析与应用指南

    Texas Instruments TMS320F28P65x/TMS320F28P65x-Q1实时MCU数据手册

    Texas Instruments TMS320F28P65x/TMS320F28P65x-Q1实时微控制(MCU)属于C2000™ 实时微控制
    的头像 发表于 08-01 11:05 1238次阅读
    Texas Instruments TMS320<b class='flag-5'>F28P65x</b>/TMS320<b class='flag-5'>F28P65x</b>-Q1实时MCU数据手册

    Texas Instruments F29H85X-SOM-EVM MCU评估板数据手册

    Texas Instruments F29H85X-SOM-EVM MCU评估板用于TI C2000™ MCU系列中的F29H85xF29P58x器件。该模块化系统设计非常适合用于初
    的头像 发表于 07-04 11:17 625次阅读
    Texas Instruments <b class='flag-5'>F29H85X</b>-SOM-EVM MCU评估板数据手册

    纳芯微NSSine™ NS800RT正面硬刚TI C2000,国产替代“芯”战事, 工业控制MCU市场迎来变局?

    而言,C2000不仅仅是一颗芯片,它是一种技术惯性,一个庞大而成熟的生态,一套经过千锤百炼的开发方法论。从经典的F2812到如今的F2837xF2
    的头像 发表于 06-20 12:45 1222次阅读
    纳芯微NSSine™ NS800RT正面硬刚TI <b class='flag-5'>C2000</b>,国产替代“芯”战事, 工业控制MCU市场迎来变局?

    TMS320F2800155 C2000™ 32 位 MCU 120MHz 128KB 闪存数据手册

    TMS320F280015xF280015x) 是成本优化的 C2000 实时微控制系列的成员,该系列可扩展、超低延迟器件专为提高电力电子的效率而设计。
    的头像 发表于 04-15 15:08 1035次阅读
    TMS320<b class='flag-5'>F</b>2800155 <b class='flag-5'>C2000</b>™ 32 位 MCU 120MHz 128KB 闪存数据手册

    TMS320F2800133 C2000™ 32 位 MCU,具有 120 MHz、64 KB 闪存、FPU 和 TMU数据手册

    TMS320F280013xF280013x) 是 C2000™ 实时微控制系列的成员,该系列可扩展、超低延迟器件专为提高电力电子效率而设计。
    的头像 发表于 04-15 14:46 1121次阅读
    TMS320<b class='flag-5'>F</b>2800133 <b class='flag-5'>C2000</b>™ 32 位 MCU,具有 120 MHz、64 KB 闪存、FPU 和 TMU数据手册

    F29H850TU C2000™ 64 位 MCU,带 C29x 200MHz 三核技术手册

    F29H85xF29P58xC2000™ 实时微控制系列的成员,该系列是可扩展、超低延迟的器件,旨在提高电力电子器件的效率,包括但不限于:高功率密度、高开关频率,并支持使
    的头像 发表于 04-14 14:10 1328次阅读
    <b class='flag-5'>F</b>29H850TU <b class='flag-5'>C2000</b>™ 64 位 MCU,带 <b class='flag-5'>C29x</b> 200MHz 三核技术手册

    TMS320F28P550SG C2000™ 32 位 MCU技术手册

    TMS320F28P55xF28P55x) 是 C2000™ 实时微控制系列的成员,该系列可扩展、超低延迟器件旨在提高电力电子器件的效率,包括但不限于:高功率密度、高开关频率,并
    的头像 发表于 04-14 10:35 1958次阅读
    TMS320<b class='flag-5'>F</b>28P550SG <b class='flag-5'>C2000</b>™ 32 位 MCU技术手册

    F29H859TU-Q1 汽车级 C2000™ 64 位 MCU数据手册

    F29H85xF29P58xC2000™ 实时微控制系列的成员,该系列是可扩展、超低延迟的器件,旨在提高电力电子器件的效率,包括但不限于:高功率密度、高开关频率,并支持使
    的头像 发表于 04-14 09:44 1064次阅读
    <b class='flag-5'>F</b>29H859TU-Q1 汽车级 <b class='flag-5'>C2000</b>™ 64 位 MCU数据手册

    技术资料#TMS320F280049 具有 100 MHz、FPU、TMU、256 KB 闪存、CLA、PGA 和 SDFM 的 C2000™ 32 位 MCU

    。 TMS320F28004xF28004x) 是一款功能强大的 32 位浮点微控制单元 (MCU),可让设计人员将关键的控制外设、差分模拟和非易失性存储集成到单个器件上
    的头像 发表于 02-26 10:14 2858次阅读
    技术资料#TMS320<b class='flag-5'>F</b>280049 具有 100 MHz、FPU、TMU、256 KB 闪存、CLA、PGA 和 SDFM 的 <b class='flag-5'>C2000</b>™ 32 位 MCU

    参考设计#PMP41043 1.6kW 采用 C2000 和 GaN 实现的 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC

    此参考设计演示了混合磁滞控制 (HHC) 方法,这是一种在半桥 LLC 级上使用 C2000 F28004x 微控制的电流模式控制方法。该
    的头像 发表于 02-25 11:27 947次阅读
    参考设计#PMP41043 1.6kW 采用 <b class='flag-5'>C2000</b> 和 GaN 实现的 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC

    AN030 GD32F47x&F42x与GD32F45x&F40x系列间的差异

    电子发烧友网站提供《AN030 GD32F47x&F42x与GD32F45x&F40x系列间的差异.pdf》资料免费下载
    发表于 01-17 15:42 0次下载
    AN030 GD32<b class='flag-5'>F47x</b>&<b class='flag-5'>F42x</b>与GD32<b class='flag-5'>F45x</b>&<b class='flag-5'>F40x</b>系列间的差异