比亚迪半导体正在积极布局新一代IGBT技术 提升功率半导体的可靠性

我国智能网联汽车行业最高规格的国际交流平台——2021世界智能网联汽车大会，在北京中国国际展览中心（新馆）举办。大会同期举办新能源汽车产业发展成果展，比亚迪半导体携6款“高精尖”功率器件产品亮相盛会，成为该会的亮点之一。

本次成果展由工业和信息化部主办，中国国际贸易促进委员会汽车行业分会承办，以“礼赞‘新’时代 加快推动新能源汽车产业高质量发展”为主题，全面展示新能源汽车产业发展取得的成就。

展会期间，比亚迪半导体集中展示了6款功率器件产品：V-215、V-305（SiC模块）、V-SSDC（SiC模块）、V-DUAL1、IGBT晶圆、FRD晶圆。产品向大众全方位展现了公司功率半导体领域的“高精尖”领先技术、智能制造的精湛工艺，纷纷引来宾驻足观看，并受到业界同行广泛关注。

本次重点展示了两款碳化硅功率模块：V-305（SiC模块）、V-SSDC（SiC模块）。其中，305封装 1200V 840A规格三相全桥碳化硅功率模块，在新能源汽车高端车型电机驱动控制器中已实现规模化应用，助力汉车型百公里加速达到3.9s，降低了能耗，累计装车量目前居于行业领先地位，引领了行业发展。

该SiC模块采用纳米银烧结工艺，AMB活性金属钎焊。根据实验室测试可知，相较先前传统焊接工艺及DBC覆铜工艺，使用寿命更长，可靠性更高。除此之外，其使用铜夹互连工艺，极大提升芯片过电流能力，模块输出功率可达200KW，以致功率密度提高一倍、体积缩小一半。

比亚迪半导体凭借多年的功率器件设计经验和集团汽车级应用平台资源，率先进军SiC功率器件研发领域。经过不懈努力，成为国内首批自主研发及实现SiC器件产业化的半导体公司。在SiC器件领域，比亚迪半导体已实现SiC模块在新能源汽车高端车型电机驱动控制器中的规模化应用，其自主研发制造的高性能碳化硅功率模块，是全球首家、国内唯一实现在电机驱动控制器中大批量装车的SiC三相全桥模块。

本次成果展也重点展示了V-DUAL1 IGBT模块，其采用自主研发的IGBT4.0（复合场终止）技术。IGBT4.0具备车规级可靠性大电流性能，解决了大电流IGBT易失效难题，应用于新能源汽车主电机驱动系统，对整车降低能耗起到有力地推动作用。

V-DUAL1在输出电流特性、运行高温损耗、异常耐受性、温度循环寿命等关键性能与可靠性指标上对比行业同类产品，整体指标达到行业先进水平，部分指标达到领先水平。

比亚迪半导体是一家拥有芯片设计、晶圆制造、模块封装与测试全产业链一体化经营能力的IGBT芯片量产装车IDM厂商。2018年12月，公司正式发布全新车规级“IGBT 4.0”技术。相比当前市场主流产品，其电流输出能力高15%、综合损耗降低约20%、温度循环寿命提高约10倍，树立了国内中高端车规级IGBT新标杆。搭载比亚迪IGBT4.0后，整车百公里电耗能够降低0.6kWh，能耗和用车成本大大降低。

目前，比亚迪半导体基于高密度TrenchFS的IGBT5.0技术已实现量产，同时正在积极布局新一代IGBT技术，致力于进一步提高IGBT芯片的电流密度，提升功率半导体的可靠性，降低产品成本，提高应用系统的整体功率密度，已批量应用于内、外部新能源汽车以及国内知名商业空调、变频空调领域。

FRD芯片在IGBT模块中与IGBT芯片并联使用，起反向恢复作用，是IGBT模块中必不可少的功率芯片之一。该款FRD芯片首创了基于异晶面键合的寿命控制方法并得到了载流子轴向寿命分布，降低了FRD反向恢复损耗，研发了具有注入效率自调节功能的控制复合发射极技术，攻克了FRD VF负温度系数导致多芯片并联均流差的关键技术难题，填补了国内VF非负温度系数FRD技术空白。

比亚迪半导体人充分利用公司平台提供的优势资源，致力“把产品做到极致”，无不体现术业专攻下一丝不苟的工匠精神。

“好产品经得起时间的考验”，披沙拣金，终见珍品。在当前行业普遍“缺芯”的趋势下，比亚迪半导体立足于“高精尖”产品要求，不断给自身制定高指标，寻求核心技术的突破，持续推进先进工艺研发；挖掘更优质的人才，以更先进的材料、更尖端的设备、更前沿的技术，造就卓越不凡的产品，进而加快相关产品的国产化进程，助力整个半导体行业奔涌向前。

原文标题：比亚迪半导体6款“高精尖”功率器件产品亮相2021新能源汽车产业发展成果展

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